опубликовано

Гибридные модули SiC выпрямителя Шоттки / Si IGBT от GeneSiC обеспечивают работу при температуре 175 ° C

DULLES, VA, Маршировать 5, 2013 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Power Semiconductors объявляет о немедленной доступности гибридных мини-модулей второго поколения, использующих 1200 SiC выпрямители Шоттки с напряжением 100 ампер и надежными кремниевыми IGBT - GB100XCP12-227. Граница производительности и цены, по которой выпускается этот продукт, позволяет многим приложениям по преобразованию энергии получить выгоду от снижения стоимости / размера / веса / объема, чего не делает ни одно решение кремниевый IGBT / кремниевый выпрямитель, ни один чистый SiC-модуль не может предложить. Эти устройства предназначены для использования в широком спектре приложений, включая промышленные двигатели., солнечные инверторы, специализированное оборудование и приложения для электросетей.

Мини-модули SiC Schottky / Si IGBT (Co-packs) Предлагаемые GeneSiC сделаны с Si IGBT, которые показывают положительный температурный коэффициент падения в открытом состоянии., прочная пробивная конструкция, высокотемпературная работа и характеристики быстрого переключения, которые могут использоваться коммерческими, общедоступный 15 Драйверы затворов V IGBT. Выпрямители SiC, используемые в этих модулях Co-pack, позволяют создавать корпуса с очень низкой индуктивностью., низкое падение напряжения в открытом состоянии и отсутствие обратного восстановления. Пакет SOT-227 предлагает изолированную опорную плиту., 12Низкопрофильная конструкция мм, которую можно очень гибко использовать в качестве автономного элемента схемы, сильноточная параллельная конфигурация, фаза (два модуля), или как элемент цепи прерывателя.

“Мы прислушиваемся к мнению наших ключевых клиентов с момента первого предложения этого продукта почти 2 лет назад. Это второе поколение 1200 В / 100 A Co-pack продукт имеет конструкцию с низкой индуктивностью, которая подходит для высоких частот., высокотемпературные приложения. Плохие характеристики кремниевых диодов при высоких температурах и обратном восстановлении критически ограничивают использование IGBT при более высоких температурах.. Низкая VF у GeneSiC, SiC диоды Шоттки с низкой емкостью делают возможным создание этого революционного продукта.” сказал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor.

1200 Основные технические характеристики выпрямителя V / 100 A Si IGBT / SiC

  • On-State Drop of 1.9 V в 100 А
  • Положительный температурный коэффициент на VF
  • Tjmax = 175 ° С
  • Потери энергии при включении 23 микроджоули (типичный).

Все устройства 100% протестированы на полное напряжение / ток и размещены в безгалогенном корпусе, Соответствующие стандарту RoHS пакеты SOT-227. Устройства сразу же доступны у официальных дистрибьюторов GeneSiC..

О компании GeneSiC Semiconductor Inc..

GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния большой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства, и глобальный поставщик широкого спектра силовых полупроводников. Ассортимент ее устройств включает выпрямитель на основе SiC., транзистор, и тиристорные изделия, а также кремниевые выпрямители. GeneSiC обладает обширными знаниями в области интеллектуальной собственности и технических знаний, которые охватывают последние достижения в области силовых устройств SiC., с продуктами, ориентированными на альтернативную энергию, автомобильный, вниз нефтяное бурение, Проверь двигатель, источник питания, транспорт, и источники бесперебойного питания. GeneSiC получила многочисленные контракты на исследования и разработки от правительственных агентств США., включая ARPA-E, Департамент энергетики, Флот, Армия, DARPA, DTRA, и Министерство внутренней безопасности, а также крупные государственные генеральные подрядчики. В 2011, компания выиграла престижную премию R&Награда D100 за коммерциализацию SiC-тиристоров сверхвысокого напряжения.

опубликовано

GeneSiC представляет транзисторы с переходом из карбида кремния

DULLES, VA, февраль 25, 2013 — GeneSiC Полупроводник, пионер и глобальный поставщик широкого спектра карбида кремния (SiC) Компания Power Semiconductors объявляет о поступлении в продажу семейства 1700 В и 1200 Переходные транзисторы V SiC. Включая высокое напряжение, SiC-переходные транзисторы, способные работать при высоких частотах и ​​температурах, повысят эффективность преобразования и уменьшат размер / вес / объем силовой электроники. Эти устройства предназначены для использования в самых разных приложениях, включая серверные., телекоммуникационные и сетевые источники питания, источники бесперебойного питания, солнечные инверторы, системы управления промышленными двигателями, и скважинные приложения.

Соединительные транзисторы, предлагаемые GeneSiC, обладают сверхбыстрой коммутационной способностью., квадратная зона безопасной работы с обратным смещением (РБСОА), а также не зависящие от температуры переходные потери энергии и время переключения. Эти переключатели не содержат оксида затвора., нормально выключен, имеют положительный температурный коэффициент сопротивления в открытом состоянии, и могут руководствоваться коммерческими, общедоступный 15 Драйверы затворов V IGBT, в отличие от других переключателей SiC. Предлагая совместимость с драйверами SiC JFET, Соединительные транзисторы можно легко подключать параллельно из-за их согласованных переходных характеристик..

“Поскольку проектировщики энергосистем продолжают раздвигать пределы рабочей частоты, при этом все еще требуя высокой эффективности схемы, потребность в переключателях SiC, которые могут предложить стандарт производительности и единообразия производства. Использование уникального устройства и инноваций в производстве, Продукты GeneSiC Transistor помогают разработчикам достичь всего этого в более надежном решении.,” сказал доктор. Ранбир Сингх , Президент GeneSiC Semiconductor.

1700 Технические характеристики V-образного транзистора

  • Три предложения - 110 мОм (GA16JT17-247); 250 мОм (GA08JT17-247); и 500 мОм (GA04JT17-247)
  • Tjmax = 175 ° С
  • Включение / выключение времени нарастания / падения <50 наносекунды типичные.

1200 Технические характеристики V-образного транзистора

  • Два предложения - 220 мОм (GA06JT12-247); и 460 мОм (GA03JT12-247)
  • Tjmax = 175 ° С
  • Включение / выключение времени нарастания / падения <50 наносекунды типичные

Все устройства 100% протестированы на полное напряжение / ток и размещены в безгалогенном корпусе, Пакеты TO-247, соответствующие RoHS. Устройства сразу же доступны у официальных дистрибьюторов GeneSiC..

опубликовано

Новая физика позволяет тиристорам достичь более высокого уровня

DULLES, VA, август 30, 2011 - Новая физика позволяет тиристорам достичь более высокого уровня

Электросеть обеспечивает надежное питание с помощью электронных устройств, обеспечивающих бесперебойную работу., надежный поток энергии. До настоящего времени, сборки на основе кремния полагались на, но они не смогли справиться с требованиями интеллектуальной сети. Широкозонные материалы, такие как карбид кремния (SiC) предлагают лучшую альтернативу, поскольку они способны к более высоким скоростям переключения, более высокое напряжение пробоя, меньшие коммутационные потери, и более высокая температура перехода, чем у традиционных переключателей на основе кремния. Первым таким устройством на основе SiC, появившимся на рынке, является тиристор из карбида кремния сверхвысокого напряжения. (SiC тиристор), разработан GeneSiC Semiconductor Inc., Даллес, Ва., при поддержке Sandia National Laboratories, Альбукерке, Н.М., Соединенные штаты. Департамент энергетики/электроснабжения, и США. Армия / исследования вооружений, Центр развития и инжиниринга, Пикатинни Арсенал, Нью-Джерси.

Разработчики приняли другую физику работы для этого устройства., который работает на транспорте мелких перевозчиков и интегрированном третьем терминальном выпрямителе, что на единицу больше, чем у других коммерческих устройств SiC. Разработчики внедрили новую технологию изготовления, которая поддерживает рейтинги выше 6,500 V, а также новая конструкция затвор-анод для сильноточных устройств. Способен работать при температурах до 300 C и ток при 80 А, SiC тиристор предлагает до 10 раз выше напряжение, в четыре раза выше напряжения блокировки, и 100 раз более высокая частота переключения, чем у кремниевых тиристоров.

опубликовано

GeneSiC выигрывает престижную премию R&Награда D100 за устройства SiC в приложениях солнечной и ветровой энергии, подключенных к сети

DULLES, VA, июль 14, 2011 — р&Журнал D выбрал GeneSiC Semiconductor Inc.. Даллеса, VA как лауреат престижной 2011 р&Д 100 Награда за коммерциализацию устройств из карбида кремния с высоким номинальным напряжением..

GeneSiC Semiconductor Inc., ключевой новатор в силовых устройствах на основе карбида кремния на прошлой неделе был удостоен чести объявить, что он был удостоен престижной награды 2011 р&Д 100 Награда. Эта награда присуждается GeneSiC за внедрение одного из самых значительных, недавно представленные достижения в области исследований и разработок среди нескольких дисциплин во время 2010. р&Журнал D Magazine отметил SiC-тиристор сверхвысокого напряжения GeneSiC за его способность достигать блокирующих напряжений и частот, которые никогда раньше не использовались для демонстрации силовой электроники.. Номинальное напряжение >6.5кВ, номинальный ток в открытом состоянии 80 А и рабочие частоты >5 кГц намного выше, чем те, которые ранее были представлены на рынке. Эти возможности, достигнутые тиристорами GeneSiC, позволяют исследователям силовой электроники разрабатывать сетевые инверторы., Гибкий

Системы передачи переменного тока (ФАКТЫ) и высоковольтные системы постоянного тока (HVDC). Это позволит разрабатывать новые изобретения и продукты в области возобновляемых источников энергии., солнечные инверторы, инверторы энергии ветра, и отрасли хранения энергии. доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC Semiconductor прокомментировал: «Ожидается, что крупные рынки полупроводниковых электрических подстанций и генераторов ветряных турбин откроются после того, как исследователи в области преобразования энергии полностью осознают преимущества SiC-тиристоров.. Эти SiC-тиристоры первого поколения используют самое низкое продемонстрированное падение напряжения в открытом состоянии и дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, когда-либо достигнутые в SiC-тиристорах.. Мы намерены выпустить будущие поколения тиристоров SiC, оптимизированных для возможности выключения с управлением затвором и импульсной мощности, а также >10кВ номиналы. Поскольку мы продолжаем разрабатывать высокотемпературные упаковочные решения для сверхвысокого напряжения, настоящие тиристоры 6,5 кВ упакованы в модули с полностью припаянными контактами, ограничивается температурой перехода 150°C». Поскольку этот продукт был запущен в октябре 2010, Компания GeneSiC получила заказы от нескольких клиентов на демонстрацию передового оборудования для силовой электроники с использованием этих тиристоров из карбида кремния.. GeneSiC продолжает развивать семейство карбидокремниевых тиристоров.. Р&Ранняя версия D on для приложений преобразования энергии была разработана при финансовой поддержке SBIR со стороны Министерства США.. энергии. Более продвинутый, SiC-тиристоры, оптимизированные для импульсной мощности, разрабатываются в рамках другого контракта SBIR с ARDEC., Армия Соединенных Штатов. Использование этих технических разработок, внутренние инвестиции от GeneSiC и коммерческие заказы от нескольких клиентов, GeneSiC смогла предложить эти тиристоры сверхвысокого напряжения в качестве коммерческих продуктов..

49-й ежегодный конкурс технологий, проводимый R&Журнал D оценил работы различных компаний и игроков отрасли., исследовательские организации и университеты по всему миру. В качестве судей выступили редакторы журнала и группа внешних экспертов., оценка каждой записи с точки зрения ее важности для мира науки и исследований.

Согласно Р&Журнал Д, выиграть R&Д 100 Награда представляет собой знак качества, известный в отрасли, правительство, и научное сообщество как доказательство того, что продукт является одной из самых инновационных идей года.. Эта награда признает GeneSiC мировым лидером в создании продуктов на основе технологий, которые меняют то, как мы работаем и живем..

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC - быстро развивающийся новатор в области силовых устройств на основе SiC и твердо привержен разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для авиационных приводов и нефтедобычи. GeneSiC Semiconductor Inc.. разрабатывает карбид кремния (SiC) на основе полупроводниковых приборов для высоких температур, радиация, и электросетевые приложения. Это включает разработку выпрямителей., Полевые транзисторы, биполярные устройства, а также частицы & фотонные детекторы. GeneSiC имеет доступ к обширному набору разработок полупроводников., изготовление, оборудование для определения характеристик и испытаний таких устройств. GeneSiC использует свою основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов для разработки наилучших устройств SiC для своих клиентов.. Компания отличается тем, что предоставляет высококачественную продукцию, специально адаптированную к требованиям каждого клиента.. GeneSiC имеет основные / субподрядные контракты с крупными правительственными агентствами США, включая ARPA-E, Департамент энергетики США, Флот, DARPA, Департамент внутренней безопасности, Департамент торговли и другие департаменты Министерства США. обороны. GeneSiC продолжает быстро улучшать оборудование и инфраструктуру персонала в своем Даллесе., Объект в Вирджинии. Компания активно нанимает персонал, имеющий опыт производства сложных полупроводниковых устройств., тестирование полупроводников и конструкции детекторов. Дополнительную информацию о компании и ее продуктах можно получить, позвонив в GeneSiC по телефону 703-996-8200 или посетивwww.genesicsemi.com.

опубликовано

Компания GeneSiC Semiconductor выбрана для демонстрации технологий на 2011 Саммит энергетических инноваций ARPA-E

DULLES, VA, февраль 28, 2011 - GeneSiC Semiconductor рада объявить о своем отборе для участия в престижной выставке технологий на саммите ARPA-E Energy Innovation Summit., совместно организовано Агентством перспективных исследовательских проектов Министерства энергетики – Энергетика (АРПА-Э) и Организация чистых технологий и устойчивой промышленности (CTSI). Сотни ведущих технологов и передовых организаций, занимающихся экологически чистыми технологиями, боролись за участие в Showcase., коридор самых многообещающих перспектив Америки для победы в будущем в энергетике.

Как одна из выбранных ARPA-E организаций, GeneSiC Semiconductor продемонстрирует свой карбид кремния почти 2,000 национальные лидеры собираются, чтобы обеспечить долгосрочную конкурентоспособность Америки в энергетическом секторе, включая ведущих исследователей, инвесторы, предприниматели, руководителей компаний и государственных служащих. Больше, чем 200 новаторские технологии от лауреатов ARPA-E, корпорации, Национальные лаборатории и Министерство энергетики R&D программы будут представлены на мероприятии.

«Этот саммит объединяет организации, которые понимают необходимость сотрудничества и партнерства для вывода на рынок энергетических технологий следующего поколения.,— сказал GeneSiC Semiconductor., президент, доктор. Ранбир Сингх. «Это редкая и захватывающая возможность собрать так много ключевых игроков в энергетическом сообществе под одной крышей, и мы с нетерпением ждем возможности поделиться нашими силовыми устройствами на основе карбида кремния с другими новаторами и инвесторами на выставке технологий».

Команды по исследованиям и развитию бизнеса из 14 Также будут представлены корпоративные партнеры по ускорению, приверженные коммерциализации технологий, включая Dow., Бош, Прикладные материалы и Lockheed Martin.

На саммите также выступают известные спикеры, включая США.. Министр энергетики Стивен Чу, Директор ARPA-E Арун Маджумдар, U.S. Министр ВМС Раймонд Мабус, бывший губернатор Калифорнии Арнольд Шварценеггер и председатель Bank of America Чарльз Холлидей.

Второй ежегодный саммит ARPA-E Energy Innovation Summit состоится в феврале 28 – Маршировать 2, 2011 в конференц-центре Gaylord недалеко от Вашингтона, Округ Колумбия. Чтобы узнать больше или зарегистрироваться, пожалуйста, посетите: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

О компании GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor Inc.. разрабатывает широкозонные полупроводниковые приборы для высоких температур, радиация, и электросетевые приложения. Это включает разработку выпрямителей., силовые выключатели и биполярные устройства. GeneSiC использует уникальный и обширный набор полупроводниковых разработок., изготовление, оборудование для определения характеристик и испытаний таких устройств. GeneSiC использует свою основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов для разработки наилучших устройств SiC для своих клиентов.. Компания отличается тем, что поставляет высококачественную продукцию для широкого круга рынков с большими объемами.. GeneSiC имеет основные / субподрядные контракты с крупными правительственными агентствами США, включая ARPA-E, Департамент энергетики США, Флот, Армия, НАСА, DARPA, Департамент внутренней безопасности, Департамент торговли и другие департаменты Министерства США. обороны.

Об АРПА-Э

Агентство перспективных исследовательских проектов - Энергетика (АРПА-Э) новое агентство в США. Министерство энергетики — и первое, кто сосредоточится исключительно на прорывных энергетических технологиях, которые могут радикально изменить то, как мы используем энергию.. Вместо того, чтобы проводить исследования напрямую, ARPA-E инвестирует в высокорисковые, высокодоходные энергетические технологии, разрабатываемые университетами, стартапы, малый бизнес, и корпорации. Наш штат объединяет ведущих ученых отрасли, инженеры, и руководители инвестиционных компаний, чтобы найти многообещающие решения наиболее острых энергетических проблем страны и ускорить вывод передовых технологий на рынок, что имеет решающее значение для обеспечения глобального технологического лидерства страны и создания новых американских отраслей промышленности и рабочих мест.. Посещение www.arpa-e.energy.govЧтобы получить больше информации.

О CTSI

Чистая технология & Организация устойчивых отраслей (CTSI), некоммерческая отраслевая ассоциация 501c6, представляет организации, разрабатывающие, коммерциализация, и реализация энергии, вода, и экологические технологии. Чистые технологии предлагают столь необходимые решения растущих проблем безопасности и устойчивости ресурсов и имеют решающее значение для поддержания экономической конкурентоспособности.. CTSI объединяет мировых лидеров для защиты интересов, Сообщество по вопросам развития, сеть, и обмен информацией, чтобы помочь быстрее вывести эти необходимые технологии на рынок. Посещение www.ct-si.org Чтобы получить больше информации.

опубликовано

GeneSiC выигрывает проект по управлению питанием от НАСА в поддержку будущих миссий по исследованию Венеры

DULLES, VA, Декабрь 14, 2010 - GeneSiC Semiconductor Inc., ключевой новатор нового карбида кремния (SiC) устройства для высоких температур, высокое напряжение, и сверхвысокие напряжения, объявляет о выборе своего проекта под названием «Интегральные транзисторно-диодные устройства SiC Super Junction для модулей управления мощными двигателями, работающими на 500 oC» Национального управления по аэронавтике и исследованию космического пространства США. (НАСА) на получение награды SBIR Фазы I. Этот проект SBIR направлен на разработку монолитного интегрированного диода SiC JBS с суперпереходным транзистором. (МИДСЖТ) устройства для работы в венерианских средах (500 °C температура поверхности). Устройства SiC MIDSJT, разработанные в рамках этой программы, будут использоваться для создания силовых модулей управления двигателем для прямой интеграции с исследовательскими марсоходами Венеры..

“Мы довольны доверием, проявленным NASA к нашим решениям для высокотемпературных устройств SiC.. Этот проект позволит GeneSiC разработать ведущие в отрасли технологии управления питанием на основе карбида кремния с помощью своих инновационных устройств и корпусных решений.” сказал доктор. Сиддхарт Сундаресан, Технический директор GeneSiC. “Устройства SiC MIDSJT, предназначенные для этой программы, позволят управлять мощностью на уровне киловатт с цифровой точностью при температурах до 500 ° C. Помимо космических приложений, эта новая технология может произвести революцию в критическом оборудовании для аэрокосмической и геотермальной добычи нефти, требующем температуры окружающей среды выше 200 ° C. Эти области применения в настоящее время ограничены плохими высокотемпературными характеристиками современных устройств на основе кремния и даже SiC, таких как JFET и MOSFET.” добавил он.

GeneSiC продолжает быстро улучшать оборудование и инфраструктуру персонала в своем Даллесе., Объект в Вирджинии. Компания активно нанимает персонал, имеющий опыт производства сложных полупроводниковых устройств., тестирование полупроводников и конструкции детекторов. Дополнительную информацию о компании и ее продуктах можно получить, позвонив в GeneSiC по телефону 703-996-8200 или посетив www.genesicsemi.com.

О компании GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc.. разрабатывает карбид кремния (SiC) на основе полупроводниковых приборов для высоких температур, радиация, и электросетевые приложения. Это включает разработку выпрямителей., Полевые транзисторы, биполярные устройства, а также частицы & фотонные детекторы. GeneSiC имеет доступ к обширному набору разработок полупроводников., изготовление, оборудование для определения характеристик и испытаний таких устройств. GeneSiC использует свою основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов для разработки наилучших устройств SiC для своих клиентов.. Компания отличается тем, что предоставляет высококачественную продукцию, специально адаптированную к требованиям каждого клиента.. GeneSiC имеет основные / субподрядные контракты с крупными правительственными агентствами США, включая ARPA-E, Департамент энергетики США, Флот, DARPA, Департамент внутренней безопасности, Департамент торговли и другие департаменты Министерства США. обороны.

опубликовано

Мульти-кГц, Образцы карбидокремниевых тиристоров сверхвысокого напряжения переданы американским исследователям

DULLES, VA, Ноябрь 1, 2010 –В первом в своем роде предложении, GeneSiC Semiconductor объявляет о выпуске семейства карбидокремниевых тиристоров с режимом SCR 6,5 кВ для использования в силовой электронике для приложений Smart Grid.. Ожидается, что революционные преимущества производительности этих силовых устройств будут стимулировать ключевые инновации в аппаратном обеспечении силовой электроники коммунального масштаба, чтобы повысить доступность и использование распределенных энергетических ресурсов. (НАШИ). "До настоящего времени, мульти-кВ карбид кремния (SiC) Силовые устройства не были доступны американским исследователям, чтобы в полной мере использовать хорошо известные преимущества силовых устройств на основе карбида кремния, а именно рабочие частоты 2-10 кГц при номинальном напряжении 5-15 кВ». прокомментировал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC. «GeneSiC недавно завершила поставку многих 6,5 кВ/40 А, 6.5кВ/60А и 6,5кВ/80А тиристоры нескольким клиентам, проводящим исследования в области возобновляемых источников энергии, Применение в армейских и военно-морских силовых системах. Устройства SiC с такими рейтингами теперь предлагаются более широко».

Тиристоры на основе карбида кремния обеспечивают в 10 раз более высокое напряжение, 100X более высокая частота переключения и работа при более высоких температурах по сравнению с обычными тиристорами на основе кремния. Возможности исследования целевых приложений для этих устройств включают преобразование энергии среднего напряжения общего назначения. (МВДЦ), Сетевые солнечные инверторы, инверторы энергии ветра, импульсная мощность, системы вооружения, контроль зажигания, и управление триггером. В настоящее время хорошо известно, что сверхвысокое напряжение (>10кВ) Карбид кремния (SiC) Технология устройств сыграет революционную роль в инженерной сети нового поколения.. Устройства SiC на основе тиристоров обеспечивают высочайшую производительность в открытом состоянии для >5 кВ устройства, и широко применяются в схемах преобразования мощности среднего напряжения, таких как ограничители тока короткого замыкания., Преобразователи переменного тока в постоянный, Статические компенсаторы реактивной мощности и последовательные компенсаторы. Тиристоры на основе карбида кремния также имеют наилучшие шансы на раннее внедрение из-за их сходства с обычными элементами энергосистемы.. Развертывание этих передовых силовых полупроводниковых технологий может обеспечить 25-30 процентное снижение потребления электроэнергии за счет повышения эффективности подачи электроэнергии.

доктор. Сингх продолжает: «Ожидается, что крупные рынки полупроводниковых электрических подстанций и генераторов ветряных турбин откроются после того, как исследователи в области преобразования энергии полностью осознают преимущества SiC-тиристоров.. Эти SiC-тиристоры первого поколения используют самое низкое продемонстрированное падение напряжения в открытом состоянии и дифференциальное сопротивление во включенном состоянии, когда-либо достигнутые в SiC-тиристорах.. Мы намерены выпустить будущие поколения тиристоров SiC, оптимизированных для возможности выключения с управлением затвором и >10кВ номиналы. Поскольку мы продолжаем разрабатывать высокотемпературные упаковочные решения для сверхвысокого напряжения, настоящие тиристоры 6,5 кВ упакованы в модули с полностью припаянными контактами, ограничивается температурой перехода 150°C». GeneSiC является быстро развивающимся новатором в области силовых устройств SiC и твердо привержена разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для авиационных приводов и нефтедобычи.

Расположен недалеко от Вашингтона, округ Колумбия в Даллесе, Вирджиния, GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния высокой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства. Текущие проекты разработки включают высокотемпературные выпрямители., Транзисторы с суперпереходом (СДТ) и широкий спектр устройств на основе тиристоров. GeneSiC имеет или имела основные/субконтракты с крупными правительственными учреждениями США., в том числе министерство энергетики, Флот, Армия, DARPA, и Министерство внутренней безопасности. В настоящее время компания переживает значительный рост, и наем квалифицированного персонала по проектированию силовых устройств и детекторов, изготовление, и тестирование. Узнать больше, пожалуйста, посетите www.genesicsemi.com.

опубликовано

GeneSiC выиграла 2,53 миллиона долларов от ARPA-E на разработку устройств на основе тиристоров из карбида кремния

DULLES, VA, сентябрь 28, 2010 – Агентство перспективных исследовательских проектов – Энергетика (АРПА-Э) заключила соглашение о сотрудничестве с командой GeneSiC Semiconductor для разработки нового сверхвысоковольтного карбида кремния. (SiC) Устройства на тиристорах. Ожидается, что эти устройства станут ключевыми факторами интеграции крупномасштабных ветряных и солнечных электростанций в интеллектуальную сеть следующего поколения..

«Эта высококонкурентная награда для GeneSiC позволит нам расширить наше техническое лидерство в технологии карбида кремния с напряжением в несколько киловольт., а также наша приверженность решениям для альтернативной энергетики в масштабе сети с твердотельными решениями,— прокомментировал доктор. Ранбир Сингх, Президент GeneSiC. «Разрабатываемые нами многокиловольтные SiC-тиристоры являются ключевой технологией, позволяющей реализовать гибкие системы передачи переменного тока. (ФАКТЫ) элементов и постоянного тока высокого напряжения (HVDC) архитектуры, предназначенные для интегрированного, эффективный, Умная сеть будущего. Тиристоры GeneSiC на основе карбида кремния обеспечивают в 10 раз более высокое напряжение, 100X более высокая частота переключения и работа при более высоких температурах в решениях для обработки электроэнергии FACTS и HVDC по сравнению с обычными тиристорами на основе кремния».

В апреле 2010, GeneSiC отреагировала на Agile Delivery of Electrical Power Technology (АДЕПТ) запрос от ARPA-E, который стремился инвестировать в материалы для фундаментальных достижений в высоковольтных переключателях, которые потенциально могут превзойти существующие характеристики преобразователя мощности, предлагая снижение стоимости.. Предложение компании под названием «Тиристор с переключаемым анодом на основе карбида кремния для преобразования энергии среднего напряжения» было выбрано для обеспечения легкого, твердое состояние, преобразование энергии среднего напряжения для приложений высокой мощности, таких как полупроводниковые электрические подстанции и генераторы ветряных турбин. Развертывание этих передовых силовых полупроводниковых технологий может обеспечить 25-30 процентное снижение потребления электроэнергии за счет повышения эффективности подачи электроэнергии. Выбранные инновации должны были поддерживать и продвигать США.. бизнес через технологическое лидерство, через высококонкурентный процесс.

Карбид кремния — это полупроводниковый материал нового поколения, свойства которого значительно превосходят свойства обычного кремния., например, способность выдерживать десятикратное превышение напряжения и стократное превышение силы тока при температурах до 300ºC.. Эти характеристики делают его идеально подходящим для мощных приложений, таких как гибридные и электрические транспортные средства., Возобновляемая энергия (ветер и солнце) инсталляции, и системы управления электрическими сетями.

В настоящее время хорошо известно, что сверхвысокое напряжение (>10кВ) Карбид кремния (SiC) Технология устройств сыграет революционную роль в инженерной сети нового поколения.. Устройства SiC на основе тиристоров обеспечивают высочайшую производительность в открытом состоянии для >5 кВ устройства, и широко применяются в схемах преобразования мощности среднего напряжения, таких как ограничители тока короткого замыкания., Преобразователи переменного тока в постоянный, Статические компенсаторы реактивной мощности и последовательные компенсаторы. Тиристоры на основе карбида кремния также имеют наилучшие шансы на раннее внедрение из-за их сходства с обычными элементами энергосистемы.. Другие перспективные области применения и преимущества этих устройств включают::

  • Системы управления питанием и кондиционирования питания для преобразования постоянного тока среднего напряжения запрашиваются в рамках Future Naval Capability. (ФНК) ВМС США, Электромагнитные пусковые системы, системы высокоэнергетического оружия и медицинская визуализация. В 10-100 раз более высокая рабочая частота позволяет беспрецедентно увеличить размеры., масса, объем и в итоге, стоимость таких систем.
  • Разнообразие накопителей энергии, приложения физики высоких температур и высоких энергий. Приложения для хранения энергии и электросетей получают все большее внимание, поскольку мир сосредотачивается на более эффективных и экономичных решениях по управлению энергопотреблением..

GeneSiC - быстро развивающийся новатор в области силовых устройств на основе SiC и твердо привержен разработке карбида кремния. (SiC) устройства на базе: (а) Высоковольтные SiC-устройства для электросетей, Импульсное силовое и направленное энергетическое оружие; и (б) Силовые устройства из высокотемпературного SiC для авиационных приводов и нефтедобычи.

“Мы стали лидером в области технологии карбида кремния сверхвысокого напряжения, используя нашу основную компетенцию в области проектирования устройств и процессов с обширным набором производственных мощностей., характеристика, и испытательные установки,- заключает доктор. Сингх. «Позиция GeneSiC теперь была эффективно подтверждена Министерством энергетики США с этой значительной последующей наградой».

О компании GeneSiC Semiconductor

Стратегически расположен недалеко от Вашингтона, округ Колумбия в Даллесе, Вирджиния, GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния высокой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства. Текущие проекты разработки включают высокотемпературные выпрямители., Транзисторы с суперпереходом (СДТ) и широкий спектр устройств на основе тиристоров. GeneSiC имеет или имела основные/субконтракты с крупными правительственными учреждениями США., в том числе министерство энергетики, Флот, Армия, DARPA, и Министерство внутренней безопасности. В настоящее время компания переживает значительный рост, и наем квалифицированного персонала по проектированию силовых устройств и детекторов, изготовление, и тестирование. Узнать больше, пожалуйста, посетитеwww.genesicsemi.com.

опубликовано

Компания GeneSiC Semiconductor продвигает возобновляемые источники энергии на 1,5 миллиона долларов от Министерства энергетики США

DULLES, VA, Ноябрь 12, 2008 – Министерство энергетики США предоставило компании GeneSiC Semiconductor два отдельных гранта на общую сумму 1,5 миллиона долларов на разработку высоковольтного карбида кремния. (SiC) устройства, которые будут служить ключевыми инструментами для ветра- и интеграция солнечной энергии с электросетью страны.

«Эти награды демонстрируют уверенность Министерства энергетики в возможностях GeneSiC., а также приверженность альтернативным энергетическим решениям,»Отмечает доктор. Ранбир Сингх, президент GeneSiC. «Интегрированная, эффективная электросеть имеет решающее значение для энергетического будущего страны, а разрабатываемые нами SiC-устройства имеют решающее значение для преодоления неэффективности традиционных кремниевых технологий ».

Первая награда - это грант Phase II SBIR в размере 750 тыс. Долларов на разработку быстрых, SiC биполярные устройства сверхвысокого напряжения. Второй - грант Phase II STTR в размере 750 тыс. Долларов на разработку мощных SiC-переключателей с оптическим стробированием..

Карбид кремния - это полупроводниковый материал нового поколения, способный выдерживать 10-кратное напряжение и 100-кратный ток кремния., что делает его идеально подходящим для мощных приложений, таких как возобновляемые источники энергии. (ветер и солнце) установки и системы управления электросетью.

Конкретно, две награды предназначены для:

  • Развитие высокочастотного, отключение затвора из SiC на несколько киловольт (GTO) силовые устройства. Государственные и коммерческие приложения включают системы управления питанием и кондиционирования для судов., коммунальная промышленность, и медицинская визуализация.
  • Проектирование и изготовление оптически закрытых высоковольтных, коммутационные устройства на основе SiC высокой мощности. Использование оптоволокна для переключения питания - идеальное решение для сред, подверженных электромагнитным помехам. (ЭМИ), и приложения, требующие сверхвысокого напряжения.

Устройства SiC, разрабатываемые GeneSiC, служат для хранения разнообразной энергии., Энергосистема, и военное применение, которые привлекают все большее внимание, поскольку мир фокусируется на более эффективных и рентабельных решениях по управлению энергопотреблением..

Находится за пределами Вашингтона, округ Колумбия в Даллесе, Вирджиния, GeneSiC Semiconductor Inc.. является ведущим новатором в области высокотемпературных, карбид кремния высокой мощности и сверхвысокого напряжения (SiC) устройства. Текущие проекты разработки включают высокотемпературные выпрямители., полевые транзисторы (Полевые транзисторы) и биполярные устройства, а также частица & фотонные детекторы. GeneSiC имеет основные / субподрядные контракты с крупными правительственными агентствами США., в том числе министерство энергетики, Флот, DARPA, и Министерство внутренней безопасности. В настоящее время компания переживает значительный рост, и наем квалифицированного персонала по проектированию силовых устройств и детекторов, изготовление, и тестирование. Узнать больше, пожалуйста, посетите www.genesicsemi.com.