опубликовано 2019-06-102020-05-11 от Editor0Мощный 4H-SiC DMOSFET на 10 кВ со стабильным подпороговым поведением независимо от температуры Авг, 2008Мощный 4H-SiC DMOSFET на 10 кВ со стабильным подпороговым поведением независимо от температуры