200 V SiC «супер» переходные транзисторы, работающие при 250 ° C с чрезвычайно низкими потерями энергии для приложений преобразования энергии

  • ноябрь, 2011
    1200 V SiC «супер» переходные транзисторы, работающие при 250 ° C с чрезвычайно низкими потерями энергии для приложений преобразования энергии