Notas de aplicação:
AN-10A Conduzindo Transistores de Junção SiC (SJT) com drivers de porta IGBT de silício prontos para uso: Conceito de unidade de nível único
Posso 2013 AN-10A Conduzindo Transistores de Junção SiC (SJT) com drivers de porta IGBT de silício prontos para uso: Conceito de unidade de nível único
AN-10B Conduzindo Transistores de Junção SiC (SJT): Conceito de movimentação de portão de dois níveis
Junho 2013 AN-10B Conduzindo Transistores de Junção SiC (SJT): Conceito de movimentação de portão de dois níveis
Placa de comutação de pulso duplo
Set 2014 Placa de comutação de pulso duplo
Placa de driver de porta de alta potência
Set 2014 Placa de driver de porta de alta potência
Placa de driver de porta de baixa potência
Set 2014 Placa de driver de porta de baixa potência
Artigos Técnicos:
1200 Classe V 4H-SiC “Super” Transistores de junção com ganhos de corrente de 88 e capacidade de comutação ultrarrápida
Setembro, 20111200 Classe V 4H-SiC “Super” Transistores de junção com ganhos de corrente de 88 e capacidade de comutação ultrarrápida
1200 Transistores de junção "Super" V SiC operando em 250 ° C com perdas de energia extremamente baixas para aplicações de conversão de energia
Nov, 2011 1200 Transistores de junção "Super" V SiC operando em 250 ° C com perdas de energia extremamente baixas para aplicações de conversão de energia
Explorando a promessa de alta temperatura do SiC
Fev, 2012 Explorando a promessa de alta temperatura do SiC
Vá para os arquivos da categoria Notícias “Super” Transistores de junção operando a 500 ° C
Abr, 2012 Vá para os arquivos da categoria Notícias “Super” Transistores de junção operando a 500 ° C
Estabilidade das características elétricas de transistores de junção "Super" de SiC sob CC de longo prazo e operação pulsada em várias temperaturas
Posso, 2012 Estabilidade das características elétricas de transistores de junção "Super" de SiC sob CC de longo prazo e operação pulsada em várias temperaturas
