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Artigos Técnicos:
Transistores de junção “Super” SiC com ultra-rápido (< 15 ns) Capacidade de comutação
Posso, 2012 Transistores de junção “Super” SiC com ultra-rápido (< 15 ns) Capacidade de comutação
Caracterização da estabilidade de ganho de corrente e operação em modo avalanche de BJTs 4H-SiC
Out, 2012 Caracterização da estabilidade de ganho de corrente e operação em modo avalanche de BJTs 4H-SiC
10 kV SiC BJTs - estático, características de comutação e confiabilidade
Posso, 2013 10 kV SiC BJTs - estático, características de comutação e confiabilidade
Transistores de junção de SiC de maturação rápida com ganho de corrente (b) > 130, Bloqueio de tensões até 2700 V e operação estável de longo prazo
Out, 2013 Transistores de junção de SiC de maturação rápida com ganho de corrente (b) > 130, Bloqueio de tensões até 2700 V e operação estável de longo prazo
Transistores de junção de carboneto de silício e retificadores Schottky otimizados para operação a 250 ° C
Abr, 2014 Transistores de junção de carboneto de silício e retificadores Schottky otimizados para operação a 250 ° C