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Os MOSFETs G3R ™ 750V SiC oferecem desempenho e confiabilidade incomparáveis

750MOSFET V G3R SiC

DULLES, VA, Junho 04, 2021 — Os MOSFETs de próxima geração de 750V G3R ™ SiC da GeneSiC oferecerão níveis de desempenho sem precedentes, robustez e qualidade que supera suas contrapartes. Os benefícios do sistema incluem baixas quedas no estado em temperaturas operacionais, velocidades de comutação mais rápidas, densidade de potência aumentada, toque mínimo (baixo EMI) e tamanho compacto do sistema. G3R ™ de GeneSiC, oferecido em pacotes discretos de baixa indutância otimizados (SMD e orifício de passagem), são otimizados para operar com as menores perdas de energia em todas as condições operacionais e velocidades de comutação ultra-rápidas. Esses dispositivos têm níveis de desempenho substancialmente melhores em comparação com os SiC MOSFETs contemporâneos.

750MOSFET V G3R SiC

“O uso de energia de alta eficiência tornou-se um produto crítico nos conversores de energia da próxima geração e os dispositivos de energia SiC continuam a ser os principais componentes que impulsionam esta revolução. Após anos de trabalho de desenvolvimento para alcançar a menor resistência no estado e desempenho robusto de curto-circuito e avalanche, estamos entusiasmados em lançar os MOSFETs SiC de 750 V com melhor desempenho da indústria. Nosso G3R ™ permite que os projetistas de eletrônicos de potência atendam ao desafio de eficiência, densidade de energia e objetivos de qualidade em aplicações como inversores solares, Carregadores EV on-board e fontes de alimentação de servidor / telecomunicações. Uma qualidade garantida, apoiado por um rápido retorno e fabricação de alto volume qualificada para automóveis aumenta ainda mais sua proposta de valor. ” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.

Características –

  • Menor tarifa de portão da indústria (QG) e resistência do portão interno (RG(INT))
  • R mais baixoDS(EM) mudar com a temperatura
  • Baixa capacitância de saída (Cnós) e capacitância miler (CGD)
  • 100% avalanche (UIL) testado durante a produção
  • Capacidade de resistência a curto-circuito líder da indústria
  • Diodo de corpo rápido e confiável com baixo VF e baixo QRR
  • Tensão de limiar de porta alta e estável (Vº) em todas as condições de temperatura e polarização de drenagem
  • Tecnologia de embalagem avançada para menor resistência térmica e menor toque
  • Uniformidade de fabricação de RDS(EM), Vº e tensão de ruptura (BV)
  • Portfólio abrangente de produtos e cadeia de suprimentos mais segura com manufatura de alto volume qualificada para automóveis

Formulários –

  • Solar (PV) Inversores
  • EV / Carregadores HEV Onboard
  • Servidor & Fontes de alimentação de telecomunicações
  • Fontes de alimentação ininterrupta (UPS)
  • Conversores DC-DC
  • Fontes de alimentação comutadas (SMPS)
  • Armazenamento de energia e carregamento de bateria
  • Aquecimento por indução

Todos os SiC MOSFETs da GeneSiC Semiconductor são direcionados para aplicações automotivas (AEC-q101) e capaz de PPAP.

G3R60MT07J - 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&comercializar SiC MOSFET

G3R60MT07K - 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&comercializar SiC MOSFET

G3R60MT07D - 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&comercializar SiC MOSFET

Para folha de dados e outros recursos, Visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ ou contato sales@genesicsemi.com

Todos os dispositivos estão disponíveis para compra através de distribuidores autorizados – www.genesicsemi.com/sales-support

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Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício, ao mesmo tempo que investiu em tecnologias de silício de alta potência. Os fabricantes líderes globais de sistemas industriais e de defesa dependem da tecnologia GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos do GeneSiC funcionam mais frios, Mais rápido, e mais economicamente, e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. Detemos patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia com gap amplo; um mercado projetado para atingir mais de $1 bilhões por 2022. Nossa principal competência é agregar mais valor aos nossos clientes’ produto final. Nosso desempenho e métricas de custo estão definindo padrões na indústria de carboneto de silício.

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Novos MOSFETs SiC de 3ª geração da GeneSiC apresentando as melhores figuras de mérito da indústria

DULLES, VA, Fevereiro 12, 2020 — MOSFETs de próxima geração 1200V G3R ™ SiC da GeneSiC Semiconductor com RDS(EM) níveis que variam de 20 mΩ para 350 mΩ entregar níveis de desempenho sem precedentes, robustez e qualidade que supera suas contrapartes. Os benefícios do sistema incluem maior eficiência, frequência de comutação mais rápida, densidade de potência aumentada, toque reduzido (EMI) e tamanho compacto do sistema.

GeneSiC anuncia a disponibilidade de seus MOSFETs de carboneto de silício de 3ª geração líderes da indústria, que apresentam desempenho líder da indústria, robustez e qualidade para aproveitar níveis nunca antes vistos de eficiência e confiabilidade do sistema em aplicações automotivas e industriais.

Estes MOSFETs G3R ™ SiC, oferecido em pacotes discretos de baixa indutância otimizados (SMD e orifício de passagem), são altamente otimizados para projetos de sistemas de energia que requerem níveis de eficiência elevados e velocidades de comutação ultra-rápidas. Esses dispositivos têm níveis de desempenho substancialmente melhores em comparação com produtos concorrentes. Uma qualidade garantida, apoiado por manufatura de alto volume de resposta rápida aumenta ainda mais sua proposta de valor.

“Após anos de trabalho de desenvolvimento para alcançar a menor resistência no estado e desempenho aprimorado de curto-circuito, estamos entusiasmados em lançar os MOSFETs SiC 1200V de melhor desempenho da indústria com mais de 15+ produtos de chip discreto e simples. Se os sistemas eletrônicos de potência de próxima geração devem atender à eficiência desafiadora, densidade de potência e objetivos de qualidade em aplicações como automotiva, industrial, energia renovável, transporte, TI e telecomunicações, então, eles exigem desempenho e confiabilidade do dispositivo significativamente melhorados em comparação com os SiC MOSFETs disponíveis atualmente” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.

Características –

  • Superior QG x RDS(EM) Figura de mérito – Os MOSFETs G3R ™ SiC apresentam a menor resistência no estado da indústria com uma carga de porta muito baixa, resultando em 20% melhor figura de mérito do que qualquer outro dispositivo concorrente semelhante
  • Baixas perdas de condução em todas as temperaturas – Os MOSFETs do GeneSiC apresentam a dependência de temperatura mais suave da resistência no estado para oferecer perdas de condução muito baixas em todas as temperaturas; significativamente melhor do que qualquer outra vala e SiC MOSFETs planares do mercado
  • 100 % avalanche testada – A capacidade robusta de UIL é um requisito crítico para a maioria das aplicações de campo. GeneSiC 1200V SiC MOSFET discretos são 100 % avalanche (UIL) testado durante a produção
  • Carga de porta baixa e baixa resistência de porta interna – Esses parâmetros são essenciais para realizar a comutação ultrarrápida e alcançar as mais altas eficiências (Eon baixo -Eoff) em uma ampla gama de frequências de comutação de aplicativos
  • Operação normalmente desligada estável até 175 ° C – Todos os SiC MOSFETs da GeneSiC são projetados e fabricados com processos de última geração para fornecer produtos estáveis ​​e confiáveis ​​em todas as condições operacionais, sem qualquer risco de mau funcionamento. A qualidade superior do óxido de porta desses dispositivos evita qualquer limite (Vº) deriva
  • Capacitâncias baixas do dispositivo – G3R ™ são projetados para conduzir mais rápido e mais eficiente com suas baixas capacitâncias de dispositivo - Ciss, Coss e Crss
  • Diodo corporal rápido e confiável com baixa carga intrínseca – Os MOSFETs do GeneSiC apresentam baixa carga de recuperação reversa de referência (QRR) em todas as temperaturas; 30% melhor do que qualquer dispositivo concorrente com classificação semelhante. Isso oferece mais redução nas perdas de energia e aumenta as frequências de operação
  • Fácil de usar – Os MOSFETs G3R ™ SiC são projetados para serem acionados a + 15V / -5V gate drive. Isso oferece a mais ampla compatibilidade com os drivers de gate IGBT e SiC MOSFET comerciais existentes

Formulários –

  • Veículo elétrico – Trem de força e carregamento
  • Inversor solar e armazenamento de energia
  • Unidade de motor industrial
  • Fonte de energia ininterrupta (UPS)
  • Fonte de alimentação comutada (SMPS)
  • Conversores bidirecionais DC-DC
  • Smart Grid e HVDC
  • Aquecimento por indução e soldagem
  • Aplicação de energia pulsada

Todos os dispositivos estão disponíveis para compra através de distribuidores autorizados – www.genesicsemi.com/sales-support

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Para folha de dados e outros recursos, Visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet ou contato sales@genesicsemi.com

Todos os SiC MOSFETs da GeneSiC Semiconductor são direcionados para aplicações automotivas (AEC-q101) e capaz de PPAP. Todos os dispositivos são oferecidos no padrão da indústria D2PAK, Pacotes TO-247 e SOT-227.

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício, ao mesmo tempo que investiu em tecnologias de silício de alta potência. Os fabricantes líderes globais de sistemas industriais e de defesa dependem da tecnologia GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos do GeneSiC funcionam mais frios, Mais rápido, e mais economicamente, e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. Detemos patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia com gap amplo; um mercado projetado para atingir mais de $1 bilhões por 2022. Nossa principal competência é agregar mais valor aos nossos clientes’ produto final. Nosso desempenho e métricas de custo estão definindo padrões na indústria de carboneto de silício.

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Os MOSFETs SiC 3300V e 1700V 1000mΩ da GeneSiC revolucionam a miniaturização de fontes de alimentação auxiliares

DULLES, VA, dezembro 4, 2020 — GeneSiC anuncia a disponibilidade de MOSFETs SiC discretos de 3300V e 1700V líderes da indústria que são otimizados para alcançar miniaturização incomparável, confiabilidade e economia de energia em energia de limpeza industrial.

GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de um portfólio abrangente de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência, anuncia hoje a disponibilidade imediata de MOSFETs SiC de 3300V e 1700V 1000mΩ de próxima geração - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, e G2R1000MT33J. Esses MOSFETs SiC permitem níveis de desempenho superiores, com base nas principais figuras de mérito (FoM) que melhoram e simplificam os sistemas de energia no armazenamento de energia, energia renovável, motores industriais, inversores de uso geral e iluminação industrial. Produtos lançados são:

G2R1000MT33J - 3300V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D - 1700V 1000mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J - 1700V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G3R450MT17D - 1700V 450mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J - 1700V 450mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

Novos MOSFETs 3300V e 1700V SiC da GeneSiC, disponível em opções de 1000mΩ e 450mΩ como pacotes discretos SMD e Through-Hole, são altamente otimizados para projetos de sistemas de energia que requerem níveis de eficiência elevados e velocidades de comutação ultra-rápidas. Esses dispositivos têm níveis de desempenho substancialmente melhores em comparação com produtos concorrentes. Uma qualidade garantida, apoiado por manufatura de alto volume de resposta rápida, aumenta ainda mais sua proposta de valor.

“Em aplicações como inversores solares de 1500V, o MOSFET na fonte de alimentação auxiliar pode ter que suportar tensões na faixa de 2500V, dependendo da tensão de entrada, relação de voltas do transformador e a tensão de saída. MOSFETs de alta tensão de ruptura eliminam a necessidade de interruptores conectados em série no Flyback, Conversores Boost e Forward, reduzindo assim a contagem de peças e reduzindo a complexidade do circuito. Os MOSFETs SiC discretos 3300V e 1700V da GeneSiC permitem que os designers usem uma topologia mais simples baseada em switch único e, ao mesmo tempo, forneçam aos clientes, sistema compacto e de baixo custo” disse Sumit Jadav, Gerente de Aplicativos Sênior na GeneSiC Semiconductor.

Características –

  • Índice superior de preço-desempenho
  • Flagship QG x RDS(EM) Figura de mérito
  • Baixa capacitância intrínseca e baixa carga de porta
  • Baixas perdas em todas as temperaturas
  • Alta avalanche e robustez de curto-circuito
  • Tensão limite de referência para operação estável normalmente desligada até 175 ° C

Formulários –

  • Energia renovável (inversores solares) e armazenamento de energia
  • Motores industriais (e vínculo)
  • Inversores de uso geral
  • Iluminação industrial
  • Drivers piezo
  • Geradores de feixe de íons

Todos os dispositivos estão disponíveis para compra através de distribuidores autorizados – www.genesicsemi.com/sales-support

Para folha de dados e outros recursos, Visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet ou contato sales@genesicsemi.com

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício, ao mesmo tempo que investiu em tecnologias de silício de alta potência. Os fabricantes líderes globais de sistemas industriais e de defesa dependem da tecnologia GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos do GeneSiC funcionam mais frios, Mais rápido, e mais economicamente, e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. Detemos patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia com gap amplo; um mercado projetado para atingir mais de $1 bilhões por 2022. Nossa principal competência é agregar mais valor aos nossos clientes’ produto final. Nosso desempenho e métricas de custo estão definindo padrões na indústria de carboneto de silício.