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GeneSiC lança 1700V SiC Schottky MPS de melhor desempenho da indústria™ diodos

DULLES, VA, Janeiro 7, 2019 — GeneSiC lança um portfólio abrangente de sua terceira geração de diodos SiC Schottky MPS ™ 1700V no pacote TO-247-2

GeneSiC introduziu GB05MPS17-247, Transporte, GB25MPS17-247 e GB50MPS17-247; os diodos de SiC de 1700 V com melhor desempenho da indústria disponíveis no popular pacote de orifício TO-247-2. Esses diodos de SiC de 1700 V substituem diodos de recuperação ultra-rápida à base de silício e outros diodos de SiC de 1700 V da geração anterior JBS, permitindo que os engenheiros construam circuitos de comutação com maior eficiência e maior densidade de potência. Espera-se que os aplicativos incluam carregadores rápidos para veículos elétricos, acionamentos do motor, fontes de alimentação de transporte e energia renovável.

GB50MPS17-247 é um diodo 1700V 50A SiC mesclado-PiN-schottky, o diodo de energia de SiC discreto com maior corrente nominal da indústria. Esses diodos recém-lançados apresentam baixa queda de tensão direta, recuperação direta zero, recuperação reversa zero, baixa capacitância de junção e são avaliados para uma temperatura máxima de operação de 175 ° C. A terceira geração da tecnologia de diodo Schottky SiC da GeneSiC fornece robustez de avalanche líder da indústria e corrente de pico (Ifsm) robustez, combinada com fundição de 6 polegadas qualificada automotiva de alta qualidade e tecnologia de montagem discreta avançada de alta confiabilidade.

Esses diodos SiC são substituições diretas compatíveis com pinos para outros diodos disponíveis no pacote TO-247-2. Beneficiando-se de suas perdas de energia mais baixas (operação mais fria) e capacidade de comutação de alta frequência, os designers agora podem alcançar uma maior eficiência de conversão e maior densidade de energia em projetos.

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC é um inovador emergente rápido na área de dispositivos de energia SiC e tem um forte compromisso com o desenvolvimento de Carbeto de Silício (SiC) dispositivos baseados em: (uma) Dispositivos HV-HF SiC para Rede Elétrica, Poder pulsado e armas de energia dirigida; e (b) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desenvolve Carboneto de Silício (SiC) dispositivos semicondutores baseados em alta temperatura, radiação, e aplicações de rede elétrica. Isso inclui o desenvolvimento de retificadores, FETs, dispositivos bipolares, bem como partículas & detectores fotônicos. GeneSiC tem acesso a um amplo conjunto de design de semicondutores, fabricação, instalações de caracterização e teste para tais dispositivos. GeneSiC capitaliza sua competência central em projeto de dispositivos e processos para desenvolver os melhores dispositivos SiC possíveis para seus clientes. A empresa distingue-se por fornecer produtos de alta qualidade e especificamente ajustados às necessidades de cada cliente. GeneSiC tem contratos principais/subcontratados das principais agências governamentais dos EUA, incluindo ARPA-E, Departamento de Energia dos EUA, Marinha, DARPA, Departamento de Segurança Interna, Departamento de Comércio e outros departamentos dentro do Departamento dos EUA. de Defesa. GeneSiC continua a aprimorar rapidamente a infraestrutura de equipamentos e pessoal em sua Dulles, Instalação da Virgínia. A empresa está contratando agressivamente pessoal com experiência na fabricação de dispositivos semicondutores compostos, testes de semicondutores e projetos de detectores. Informações adicionais sobre a empresa e seus produtos podem ser obtidas ligando para GeneSiC em 703-996-8200 ou visitandowww.genesicsemi.com.

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Multi-kHz, Tiristores de carboneto de silício de ultra-alta voltagem amostrados para pesquisadores dos EUA

DULLES, VA, novembro 1, 2010 –Em uma oferta inédita, GeneSiC Semiconductor anuncia a disponibilidade de uma família de tiristores de carboneto de silício no modo SCR de 6,5 kV para uso em eletrônica de potência para aplicações de Smart Grid. Espera-se que as vantagens revolucionárias de desempenho desses dispositivos de energia estimulem as principais inovações em hardware de eletrônica de energia em escala de serviço público para aumentar a acessibilidade e a exploração de recursos de energia distribuída (DO). "Até agora, carboneto de silício multi-kV (SiC) dispositivos de energia não estavam abertamente disponíveis para pesquisadores dos EUA para explorar totalmente as vantagens bem conhecidas - ou seja, frequências de operação de 2-10 kHz em classificações de 5-15 kV - de dispositivos de energia baseados em SiC. ” comentou Dr. Ranbir Singh, Vá para os arquivos da categoria Notícias. “GeneSiC concluiu recentemente a entrega de muitos 6.5kV / 40A, 6.5Tiristores kV / 60A e 6,5kV / 80A para vários clientes que realizam pesquisas em energia renovável, Aplicativos de sistema de energia do Exército e Naval. Dispositivos SiC com essas classificações agora estão sendo oferecidos de forma mais ampla. ”

Tiristores baseados em carboneto de silício oferecem voltagem 10X mais alta, 100Frequências de comutação X mais rápidas e operação em temperatura mais alta em comparação com tiristores convencionais à base de silício. As oportunidades de pesquisa de aplicações direcionadas para esses dispositivos incluem conversão de energia de média tensão de propósito geral (MVDC), Inversores solares ligados à rede, inversores de energia eólica, poder pulsado, sistemas de armas, controle de ignição, e controle de gatilho. Vá para os arquivos da categoria Notícias (>10kV) Vá para os arquivos da categoria Notícias (SiC) Vá para os arquivos da categoria Notícias. Vá para os arquivos da categoria Notícias >5 Vá para os arquivos da categoria Notícias, Vá para os arquivos da categoria Notícias, Vá para os arquivos da categoria Notícias, Compensadores VAR estáticos e Compensadores Série. Vá para os arquivos da categoria Notícias. Vá para os arquivos da categoria Notícias 25-30 Vá para os arquivos da categoria Notícias.

Dr. Singh continua “Prevê-se que os mercados de grande escala em subestações elétricas de estado sólido e geradores de turbinas eólicas serão abertos após os pesquisadores na área de conversão de energia perceberem plenamente os benefícios dos tiristores de SiC. Estes tiristores de SiC de primeira geração utilizam a queda de tensão no estado mais baixa demonstrada e as resistências diferenciadas já alcançadas em tiristores de SiC. Pretendemos lançar futuras gerações de tiristores SiC otimizados para capacidade de desligamento controlado por portão e >10classificações kV. À medida que continuamos a desenvolver soluções de embalagem de ultra-alta tensão para alta temperatura, os atuais tiristores de 6,5 kV são embalados em módulos com contatos totalmente soldados, limitado a temperaturas de junção 150oC. ” GeneSiC é um inovador emergente rápido na área de dispositivos de energia de SiC e tem um forte compromisso com o desenvolvimento de carboneto de silício (SiC) dispositivos baseados em: (uma) Dispositivos HV-HF SiC para Rede Elétrica, Poder pulsado e armas de energia dirigida; e (b) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.

Localizado perto de Washington, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo (SiC) dispositivos. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo (SJT) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Marinha, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, DARPA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, fabricação, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, por favor visite Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.

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GeneSiC ganha US $ 2,53 milhões da ARPA-E para o desenvolvimento de dispositivos baseados em tiristores de carboneto de silício

DULLES, VA, setembro 28, 2010 - Agência de Projetos de Pesquisa Avançada - Energia (ARPA-E) entrou em um Acordo Cooperativo com a equipe liderada pela GeneSiC Semiconductor para o desenvolvimento do novo carboneto de silício de ultra alta tensão (SiC) Dispositivos baseados em tiristor. Espera-se que esses dispositivos sejam os principais capacitadores para a integração de usinas de energia eólica e solar em grande escala na rede inteligente de próxima geração.

“Este prêmio altamente competitivo para GeneSiC nos permitirá estender nossa posição de liderança técnica na tecnologia de carboneto de silício multi-kV, bem como nosso compromisso com soluções de energia alternativa em escala de rede com soluções de estado sólido,”Comentou o Dr.. Ranbir Singh, Vá para os arquivos da categoria Notícias. “Tiristores de SiC Multi-kV que estamos desenvolvendo são a principal tecnologia de capacitação para a realização de Sistemas Flexíveis de Transmissão AC (FATOS) elementos e alta tensão DC (HVDC) arquiteturas previstas para uma integração, eficiente, Smart Grid do futuro. Os tiristores baseados em SiC da GeneSiC oferecem voltagem 10X mais alta, 100Frequências de comutação X mais rápidas e operação em temperatura mais alta em soluções de processamento de energia FACTS e HVDC em comparação com tiristores convencionais à base de silício. ”

Em abril 2010, GeneSiC respondeu ao Agile Delivery of Electrical Power Technology (ADEPT) solicitação da ARPA-E que buscou investir em materiais para avanços fundamentais em comutadores de alta tensão que têm o potencial de superar o desempenho do conversor de energia existente, oferecendo reduções de custo. A proposta da empresa intitulada "Tiristor comutado de anodo de carboneto de silício para conversão de energia de média tensão" foi selecionada para fornecer um, Estado sólido, conversão de energia de média tensão para aplicações de alta potência, como subestações elétricas de estado sólido e geradores de turbinas eólicas. Vá para os arquivos da categoria Notícias 25-30 Vá para os arquivos da categoria Notícias. As inovações selecionadas foram para apoiar e promover os EUA. negócios por meio de liderança tecnológica, por meio de um processo altamente competitivo.

O carboneto de silício é um material semicondutor de próxima geração com propriedades muito superiores ao silício convencional, como a capacidade de lidar com dez vezes a tensão - e cem vezes a corrente - em temperaturas tão altas quanto 300ºC. Essas características o tornam ideal para aplicações de alta potência, como veículos híbridos e elétricos, energia renovável (eólica e solar) instalações, e sistemas de controle de rede elétrica.

Vá para os arquivos da categoria Notícias (>10kV) Vá para os arquivos da categoria Notícias (SiC) Vá para os arquivos da categoria Notícias. Vá para os arquivos da categoria Notícias >5 Vá para os arquivos da categoria Notícias, Vá para os arquivos da categoria Notícias, Vá para os arquivos da categoria Notícias, Compensadores VAR estáticos e compensadores de série. Vá para os arquivos da categoria Notícias. Outras aplicações e vantagens promissoras para esses dispositivos incluem:

  • Sistemas de gerenciamento de energia e condicionamento de energia para conversão de média tensão DC buscada sob a Capacidade Naval do Futuro (FNC) da Marinha dos EUA, Sistemas de lançamento eletromagnético, sistemas de armas de alta energia e imagens médicas. A capacidade de frequência operacional 10-100X mais alta permite melhorias sem precedentes no tamanho, peso, volume e finalmente, custo de tais sistemas.
  • Uma variedade de armazenamento de energia, aplicações físicas de alta temperatura e alta energia. As aplicações de armazenamento de energia e rede elétrica estão recebendo cada vez mais atenção à medida que o mundo se concentra em soluções de gerenciamento de energia mais eficientes e econômicas.

GeneSiC é um inovador emergente rápido na área de dispositivos de energia SiC e tem um forte compromisso com o desenvolvimento de Carbeto de Silício (SiC) dispositivos baseados em: (uma) Dispositivos HV-HF SiC para Rede Elétrica, Poder pulsado e armas de energia dirigida; e (b) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.

“Emergimos como líderes em tecnologia de SiC de ultra-alta tensão, alavancando nossa competência principal em design de dispositivos e processos com um amplo conjunto de fabricação, caracterização, e instalações de teste,”Conclui o Dr.. Singh. “A posição do GeneSiC agora foi efetivamente validada pelo US DOE com este significativo prêmio subsequente.”

Sobre o GeneSiC Semiconductor

Estrategicamente localizado perto de Washington, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo (SiC) dispositivos. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo (SJT) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Marinha, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, DARPA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, fabricação, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, por favor visiteDispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.

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Redes de impulso de energia renovável GeneSiC Semiconductor US $ 1,5 milhão do Departamento de Energia dos EUA

DULLES, VA, novembro 12, 2008 – O Departamento de Energia dos EUA concedeu à GeneSiC Semiconductor duas doações separadas, totalizando US $ 1,5 milhão para o desenvolvimento de carboneto de silício de alta tensão (SiC) dispositivos que servirão como facilitadores-chave para o vento- e integração de energia solar com a rede elétrica do país.

“Esses prêmios demonstram a confiança do DOE nas capacidades do GeneSiC, bem como seu compromisso com soluções de energia alternativa,”Observa o Dr.. Ranbir Singh, presidente da GeneSiC. "Um Integrado, rede de energia eficiente é crítica para o futuro energético da nação - e os dispositivos SiC que estamos desenvolvendo são essenciais para superar as ineficiências das tecnologias convencionais de silício. ”

O primeiro prêmio é um subsídio SBIR de Fase II de US $ 750.000 para o desenvolvimento de, dispositivos bipolares SiC de ultra-alta voltagem. O segundo é um subsídio STTR de Fase II de US $ 750.000 para o desenvolvimento de switches SiC de alta potência com controle óptico.

O carboneto de silício é um material semicondutor de próxima geração com a capacidade de lidar com 10x a voltagem e 100x a corrente do silício, tornando-o idealmente adequado para aplicações de alta potência, como energia renovável (eólica e solar) instalações e sistemas de controle de rede elétrica.

Especificamente, os dois prêmios são para:

  • Desenvolvimento de alta frequência, Multi-kilovolt SiC gate-off-off (GTO) dispositivos de energia. Aplicações governamentais e comerciais incluem gerenciamento de energia e sistemas de condicionamento para navios, a indústria de utilidades, e imagens médicas.
  • Projeto e fabricação de alta tensão opticamente fechada, dispositivos de comutação SiC de alta potência. Usar fibra óptica para alternar energia é uma solução ideal para ambientes atormentados por interferência eletromagnética (EMI), e aplicações que requerem voltagens ultra-altas.

Os dispositivos SiC que GeneSiC está desenvolvendo servem a uma variedade de armazenamento de energia, malha energética, e aplicações militares, que estão recebendo atenção cada vez maior à medida que o mundo se concentra em soluções de gerenciamento de energia mais eficientes e econômicas.

Sediada fora de Washington, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo (SiC) dispositivos. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, transistores de efeito de campo (FETs) e dispositivos bipolares, bem como partícula & detectores fotônicos. GeneSiC tem contratos principais / subcontratados das principais agências do governo dos EUA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Marinha, DARPA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, fabricação, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, por favor visite Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.

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GeneSiC Semiconductor recebeu vários subsídios SBIR e STTR do Departamento de Energia dos EUA

DULLES, VA, Outubro 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., um inovador em rápido crescimento de alta temperatura, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo (SiC) dispositivos, anunciou que recebeu três concessões separadas para pequenas empresas do Departamento de Energia dos EUA durante o EF07. As concessões SBIR e STTR serão usadas por GeneSiC para demonstrar novos dispositivos SiC de alta tensão para uma variedade de armazenamento de energia, malha energética, aplicações físicas de alta temperatura e alta energia. As aplicações de armazenamento de energia e rede elétrica estão recebendo cada vez mais atenção à medida que o mundo se concentra em soluções de gerenciamento de energia mais eficientes e econômicas.

“Estamos satisfeitos com o nível de confiança expresso por vários escritórios do Departamento de Energia dos EUA em relação às nossas soluções de dispositivos de alta potência. A injeção deste financiamento em nossos programas de tecnologia avançada de SiC resultará em uma linha de dispositivos de SiC líder da indústria,” comentou o presidente da GeneSiC, Dr. Ranbir Singh. “Os dispositivos que estão sendo desenvolvidos nesses projetos prometem fornecer tecnologia capacitadora crítica para dar suporte a uma rede elétrica mais eficiente, e abrirá a porta para uma nova tecnologia de hardware comercial e militar que não foi realizada devido às limitações das tecnologias contemporâneas baseadas em silício.”

Os três projetos incluem:

  • Um novo prêmio SBIR Fase I focado em alta corrente, Dispositivos baseados em tiristores multi-kV voltados para aplicações de armazenamento de energia.
  • Um prêmio SBIR de Fase II para o desenvolvimento de dispositivos de energia multi-kV SiC para fontes de alimentação de alta tensão para aplicações de sistema de RF de alta potência concedido pelo DOE Office of Science.
  • Um prêmio STTR de Fase I focado em alta tensão opticamente controlada, dispositivos de energia SiC de alta frequência para ambientes ricos em interferência eletromagnética, incluindo sistemas de energia RF de alta potência, e sistemas de armas de energia dirigida.

Junto com os prêmios, GeneSiC transferiu recentemente as operações para um laboratório expandido e prédio de escritórios em Dulles, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, atualizando significativamente seu equipamento, infraestrutura e está em processo de adição de pessoal-chave adicional.

“GeneSiC capitaliza sua competência central em projeto de dispositivos e processos para desenvolver os melhores dispositivos SiC possíveis para seus clientes, apoiando isso com acesso a um amplo conjunto de fabricação, caracterização e instalações de teste,” concluiu Dr. Singh. “Acreditamos que essas capacidades foram efetivamente validadas pelo US DOE com esses novos prêmios.”

Informações adicionais sobre a empresa e seus produtos podem ser obtidas ligando para GeneSiC em 703-996-8200 ou visitando Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.