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MOSFETs de SiC de 6,5 kV líderes da indústria da GeneSiC – a vanguarda para uma nova onda de aplicativos

6.5MOSFETs kV SiC

DULLES, VA, Outubro 20, 2020 — A GeneSiC lança MOSFETs de carboneto de silício de 6,5 kV para liderar na entrega de níveis de desempenho sem precedentes, eficiência e confiabilidade em aplicações de conversão de energia de média tensão, como tração, energia pulsada e infraestrutura de rede inteligente.

GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência, anuncia hoje a disponibilidade imediata de chips nus SiC MOSFET de 6,5 kV - G2R300MT65-CAL e G2R325MS65-CAL. Módulos SiC completos que utilizam esta tecnologia serão lançados em breve. Os aplicativos devem incluir tração, poder pulsado, infraestrutura de rede inteligente e outros conversores de energia de média tensão.

G2R300MT65-CAL - Chip Bare MOSFET 6,5kV 300mΩ G2R ™ SiC

G2R325MS65-CAL - MOSFET de 6,5kV 325mΩ G2R ™ SiC (com Integrated-Schottky) Chip Bare

G2R100MT65-CAL - Chip Bare do MOSFET de 6,5 kV 100mΩ G2R ™ SiC

A inovação da GeneSiC apresenta um semicondutor de óxido de metal com implantação dupla de SiC (DMOSFET) estrutura do dispositivo com uma barreira de junção schottky (JBS) retificador integrado na célula unitária SiC DMOSFET. Este dispositivo de energia de ponta pode ser usado em uma variedade de circuitos de conversão de energia na próxima geração de sistemas de conversão de energia. Outras vantagens significativas incluem desempenho bidirecional mais eficiente, comutação independente de temperatura, baixas perdas de comutação e condução, requisitos de resfriamento reduzidos, confiabilidade superior de longo prazo, facilidade de dispositivos paralelos e benefícios de custo. A tecnologia GeneSiC oferece desempenho superior e também tem o potencial de reduzir a pegada de material de SiC líquido em conversores de energia.

“Os MOSFETs de SiC de 6,5 kV do GeneSiC são projetados e fabricados em wafers de 6 polegadas para obter baixa resistência no estado, mais alta qualidade, e índice de desempenho de preço superior. Esta tecnologia de MOSFETs de última geração promete desempenho exemplar, robustez superior e confiabilidade de longo prazo em aplicações de conversão de energia de média tensão.” disse Dr. Siddarth Sundaresan, VP de tecnologia da GeneSiC Semiconductor.

Recursos da tecnologia MOSFET de 6.5kV G2R ™ SiC do GeneSiC –

  • Alta avalanche (UIS) e robustez de curto-circuito
  • Superior QG x RDS(EM) Figura de mérito
  • Perdas de comutação independentes de temperatura
  • Capacitâncias baixas e carga de porta baixa
  • Baixas perdas em todas as temperaturas
  • Operação normalmente desligada estável até 175 ° C
  • +20 V / -5 V gate drive

Para folha de dados e outros recursos, Visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip ou contato sales@genesicsemi.com

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício, ao mesmo tempo que investiu em tecnologias de silício de alta potência. Os fabricantes líderes globais de sistemas industriais e de defesa dependem da tecnologia GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos do GeneSiC funcionam mais frios, Mais rápido, e mais economicamente, e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. Detemos patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia com gap amplo; um mercado projetado para atingir mais de $1 bilhões por 2022. Nossa principal competência é agregar mais valor aos nossos clientes’ produto final. Nosso desempenho e métricas de custo estão definindo padrões na indústria de carboneto de silício.

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GeneSiC ganha US $ 2,53 milhões da ARPA-E para o desenvolvimento de dispositivos baseados em tiristores de carboneto de silício

DULLES, VA, setembro 28, 2010 - Agência de Projetos de Pesquisa Avançada - Energia (ARPA-E) entrou em um Acordo Cooperativo com a equipe liderada pela GeneSiC Semiconductor para o desenvolvimento do novo carboneto de silício de ultra alta tensão (SiC) Dispositivos baseados em tiristor. Espera-se que esses dispositivos sejam os principais capacitadores para a integração de usinas de energia eólica e solar em grande escala na rede inteligente de próxima geração.

“Este prêmio altamente competitivo para GeneSiC nos permitirá estender nossa posição de liderança técnica na tecnologia de carboneto de silício multi-kV, bem como nosso compromisso com soluções de energia alternativa em escala de rede com soluções de estado sólido,”Comentou o Dr.. Ranbir Singh, Vá para os arquivos da categoria Notícias. “Tiristores de SiC Multi-kV que estamos desenvolvendo são a principal tecnologia de capacitação para a realização de Sistemas Flexíveis de Transmissão AC (FATOS) elementos e alta tensão DC (HVDC) arquiteturas previstas para uma integração, eficiente, Smart Grid do futuro. Os tiristores baseados em SiC da GeneSiC oferecem voltagem 10X mais alta, 100Frequências de comutação X mais rápidas e operação em temperatura mais alta em soluções de processamento de energia FACTS e HVDC em comparação com tiristores convencionais à base de silício. ”

Em abril 2010, GeneSiC respondeu ao Agile Delivery of Electrical Power Technology (ADEPT) solicitação da ARPA-E que buscou investir em materiais para avanços fundamentais em comutadores de alta tensão que têm o potencial de superar o desempenho do conversor de energia existente, oferecendo reduções de custo. A proposta da empresa intitulada "Tiristor comutado de anodo de carboneto de silício para conversão de energia de média tensão" foi selecionada para fornecer um, Estado sólido, conversão de energia de média tensão para aplicações de alta potência, como subestações elétricas de estado sólido e geradores de turbinas eólicas. Vá para os arquivos da categoria Notícias 25-30 Vá para os arquivos da categoria Notícias. As inovações selecionadas foram para apoiar e promover os EUA. negócios por meio de liderança tecnológica, por meio de um processo altamente competitivo.

O carboneto de silício é um material semicondutor de próxima geração com propriedades muito superiores ao silício convencional, como a capacidade de lidar com dez vezes a tensão - e cem vezes a corrente - em temperaturas tão altas quanto 300ºC. Essas características o tornam ideal para aplicações de alta potência, como veículos híbridos e elétricos, energia renovável (eólica e solar) instalações, e sistemas de controle de rede elétrica.

Vá para os arquivos da categoria Notícias (>10kV) Vá para os arquivos da categoria Notícias (SiC) Vá para os arquivos da categoria Notícias. Vá para os arquivos da categoria Notícias >5 Vá para os arquivos da categoria Notícias, Vá para os arquivos da categoria Notícias, Vá para os arquivos da categoria Notícias, Compensadores VAR estáticos e compensadores de série. Vá para os arquivos da categoria Notícias. Outras aplicações e vantagens promissoras para esses dispositivos incluem:

  • Sistemas de gerenciamento de energia e condicionamento de energia para conversão de média tensão DC buscada sob a Capacidade Naval do Futuro (FNC) da Marinha dos EUA, Sistemas de lançamento eletromagnético, sistemas de armas de alta energia e imagens médicas. A capacidade de frequência operacional 10-100X mais alta permite melhorias sem precedentes no tamanho, peso, volume e finalmente, custo de tais sistemas.
  • Uma variedade de armazenamento de energia, aplicações físicas de alta temperatura e alta energia. As aplicações de armazenamento de energia e rede elétrica estão recebendo cada vez mais atenção à medida que o mundo se concentra em soluções de gerenciamento de energia mais eficientes e econômicas.

GeneSiC é um inovador emergente rápido na área de dispositivos de energia SiC e tem um forte compromisso com o desenvolvimento de Carbeto de Silício (SiC) dispositivos baseados em: (uma) Dispositivos HV-HF SiC para Rede Elétrica, Poder pulsado e armas de energia dirigida; e (b) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.

“Emergimos como líderes em tecnologia de SiC de ultra-alta tensão, alavancando nossa competência principal em design de dispositivos e processos com um amplo conjunto de fabricação, caracterização, e instalações de teste,”Conclui o Dr.. Singh. “A posição do GeneSiC agora foi efetivamente validada pelo US DOE com este significativo prêmio subsequente.”

Sobre o GeneSiC Semiconductor

Estrategicamente localizado perto de Washington, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo (SiC) dispositivos. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo (SJT) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Marinha, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, DARPA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, fabricação, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, por favor visiteDispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.