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GeneSiC ganha o prestigioso R&Prêmio D100 para Dispositivos SiC em Aplicações de Energia Solar e Eólica conectadas à rede

DULLES, VA, Julho 14, 2011 — R&D Magazine selecionou GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA como destinatário do prestigioso 2011 R&D 100 Prêmio pela comercialização de dispositivos de Carboneto de Silício com classificações de alta tensão.

GeneSiC Semiconductor Inc, um inovador-chave nos dispositivos de energia baseados em carboneto de silício foi homenageado na semana passada com o anúncio de que foi premiado com o prestigioso 2011 R&D 100 Prêmio. Este prêmio reconhece GeneSiC por apresentar um dos mais importantes, avanços recentes de pesquisa e desenvolvimento entre várias disciplinas durante 2010. R&A D Magazine reconheceu o tiristor SiC de tensão ultra-alta da GeneSiC por sua capacidade de atingir tensões e frequências de bloqueio nunca utilizadas antes para demonstrações de eletrônica de potência. As classificações de tensão de >6.5kV, classificação atual no estado de 80 A e frequências operacionais de >5 kHz são muito mais elevados do que os anteriormente introduzidos no mercado. Essas capacidades alcançadas pelos tiristores do GeneSiC permitem que os pesquisadores de eletrônica de potência desenvolvam inversores ligados à rede, Flexível

Sistemas de transmissão AC (FATOS) e sistemas de alta tensão DC (HVDC). Isso permitirá novas invenções e desenvolvimento de produtos dentro da energia renovável, inversores solares, inversores de energia eólica, e indústrias de armazenamento de energia. Dr. Ranbir Singh, O presidente da GeneSiC Semiconductor comentou “Prevê-se que os mercados de grande escala em subestações elétricas de estado sólido e geradores de turbinas eólicas serão abertos depois que os pesquisadores na área de conversão de energia perceberem plenamente os benefícios dos tiristores de SiC. Estes tiristores de SiC de primeira geração utilizam a queda de tensão no estado mais baixa demonstrada e as resistências diferenciadas já alcançadas em tiristores de SiC. Pretendemos lançar futuras gerações de tiristores de SiC otimizados para capacidade de desligamento controlado por portão e capacidade de energia pulsada e >10classificações kV. À medida que continuamos a desenvolver soluções de embalagem de ultra-alta tensão para alta temperatura, os atuais tiristores de 6,5 kV são embalados em módulos com contatos totalmente soldados, limitado a temperaturas de junção 150oC. ” Como este produto foi lançado em outubro 2010, GeneSiC registrou pedidos de vários clientes para demonstração de hardware de eletrônica de potência avançada usando esses tiristores de carboneto de silício. GeneSiC continua a desenvolver sua família de produtos tiristores de carboneto de silício. O R&D na versão inicial para aplicativos de conversão de energia foram desenvolvidos através do apoio financeiro SBIR do Departamento dos EUA. de energia. Mais avancado, Tiristores de SiC otimizados para energia pulsada estão sendo desenvolvidos sob outro contrato SBIR com a ARDEC, Exército americano. Usando esses desenvolvimentos técnicos, investimento interno de GeneSiC e pedidos comerciais de vários clientes, GeneSiC foi capaz de oferecer esses tiristores UHV como produtos comerciais.

A 49ª competição anual de tecnologia promovida por R&A D Magazine avaliou entradas de várias empresas e participantes da indústria, organizações de pesquisa e universidades em todo o mundo. Os editores da revista e um painel de especialistas externos atuaram como juízes, avaliando cada entrada em termos de sua importância para o mundo da ciência e da pesquisa.

De acordo com R&D Magazine, ganhando um R&D 100 Prêmio fornece uma marca de excelência conhecida pela indústria, governo, e a academia como prova de que o produto é uma das ideias mais inovadoras do ano. Este prêmio reconhece GeneSiC como líder global na criação de produtos baseados em tecnologia que fazem a diferença em como trabalhamos e vivemos.

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC é um inovador emergente rápido na área de dispositivos de energia SiC e tem um forte compromisso com o desenvolvimento de Carbeto de Silício (SiC) dispositivos baseados em: (uma) Dispositivos HV-HF SiC para Rede Elétrica, Poder pulsado e armas de energia dirigida; e (b) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desenvolve Carboneto de Silício (SiC) dispositivos semicondutores baseados em alta temperatura, radiação, e aplicações de rede elétrica. Isso inclui o desenvolvimento de retificadores, FETs, dispositivos bipolares, bem como partículas & detectores fotônicos. GeneSiC tem acesso a um amplo conjunto de design de semicondutores, fabricação, instalações de caracterização e teste para tais dispositivos. GeneSiC capitaliza sua competência central em projeto de dispositivos e processos para desenvolver os melhores dispositivos SiC possíveis para seus clientes. A empresa distingue-se por fornecer produtos de alta qualidade e especificamente ajustados às necessidades de cada cliente. GeneSiC tem contratos principais/subcontratados das principais agências governamentais dos EUA, incluindo ARPA-E, Departamento de Energia dos EUA, Marinha, DARPA, Departamento de Segurança Interna, Departamento de Comércio e outros departamentos dentro do Departamento dos EUA. de Defesa. GeneSiC continua a aprimorar rapidamente a infraestrutura de equipamentos e pessoal em sua Dulles, Instalação da Virgínia. A empresa está contratando agressivamente pessoal com experiência na fabricação de dispositivos semicondutores compostos, testes de semicondutores e projetos de detectores. Informações adicionais sobre a empresa e seus produtos podem ser obtidas ligando para GeneSiC em 703-996-8200 ou visitandoDispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.

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Redes de impulso de energia renovável GeneSiC Semiconductor US $ 1,5 milhão do Departamento de Energia dos EUA

DULLES, VA, novembro 12, 2008 – O Departamento de Energia dos EUA concedeu à GeneSiC Semiconductor duas doações separadas, totalizando US $ 1,5 milhão para o desenvolvimento de carboneto de silício de alta tensão (SiC) dispositivos que servirão como facilitadores-chave para o vento- e integração de energia solar com a rede elétrica do país.

“Esses prêmios demonstram a confiança do DOE nas capacidades do GeneSiC, bem como seu compromisso com soluções de energia alternativa,”Observa o Dr.. Ranbir Singh, presidente da GeneSiC. "Um Integrado, rede de energia eficiente é crítica para o futuro energético da nação - e os dispositivos SiC que estamos desenvolvendo são essenciais para superar as ineficiências das tecnologias convencionais de silício. ”

O primeiro prêmio é um subsídio SBIR de Fase II de US $ 750.000 para o desenvolvimento de, dispositivos bipolares SiC de ultra-alta voltagem. O segundo é um subsídio STTR de Fase II de US $ 750.000 para o desenvolvimento de switches SiC de alta potência com controle óptico.

O carboneto de silício é um material semicondutor de próxima geração com a capacidade de lidar com 10x a voltagem e 100x a corrente do silício, tornando-o idealmente adequado para aplicações de alta potência, como energia renovável (eólica e solar) instalações e sistemas de controle de rede elétrica.

Especificamente, os dois prêmios são para:

  • Desenvolvimento de alta frequência, Multi-kilovolt SiC gate-off-off (GTO) dispositivos de energia. Aplicações governamentais e comerciais incluem gerenciamento de energia e sistemas de condicionamento para navios, a indústria de utilidades, e imagens médicas.
  • Projeto e fabricação de alta tensão opticamente fechada, dispositivos de comutação SiC de alta potência. Usar fibra óptica para alternar energia é uma solução ideal para ambientes atormentados por interferência eletromagnética (EMI), e aplicações que requerem voltagens ultra-altas.

Os dispositivos SiC que GeneSiC está desenvolvendo servem a uma variedade de armazenamento de energia, malha energética, e aplicações militares, que estão recebendo atenção cada vez maior à medida que o mundo se concentra em soluções de gerenciamento de energia mais eficientes e econômicas.

Sediada fora de Washington, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo (SiC) dispositivos. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, transistores de efeito de campo (FETs) e dispositivos bipolares, bem como partícula & detectores fotônicos. GeneSiC tem contratos principais / subcontratados das principais agências do governo dos EUA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Marinha, DARPA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, fabricação, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, por favor visite Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.