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Os MOSFETs G3R ™ 750V SiC oferecem desempenho e confiabilidade incomparáveis

750MOSFET V G3R SiC

DULLES, VA, Junho 04, 2021 — Os MOSFETs de próxima geração de 750V G3R ™ SiC da GeneSiC oferecerão níveis de desempenho sem precedentes, robustez e qualidade que supera suas contrapartes. Os benefícios do sistema incluem baixas quedas no estado em temperaturas operacionais, velocidades de comutação mais rápidas, densidade de potência aumentada, toque mínimo (baixo EMI) e tamanho compacto do sistema. G3R ™ de GeneSiC, oferecido em pacotes discretos de baixa indutância otimizados (SMD e orifício de passagem), são otimizados para operar com as menores perdas de energia em todas as condições operacionais e velocidades de comutação ultra-rápidas. Esses dispositivos têm níveis de desempenho substancialmente melhores em comparação com os SiC MOSFETs contemporâneos.

750MOSFET V G3R SiC

“O uso de energia de alta eficiência tornou-se um produto crítico nos conversores de energia da próxima geração e os dispositivos de energia SiC continuam a ser os principais componentes que impulsionam esta revolução. Após anos de trabalho de desenvolvimento para alcançar a menor resistência no estado e desempenho robusto de curto-circuito e avalanche, estamos entusiasmados em lançar os MOSFETs SiC de 750 V com melhor desempenho da indústria. Nosso G3R ™ permite que os projetistas de eletrônicos de potência atendam ao desafio de eficiência, densidade de energia e objetivos de qualidade em aplicações como inversores solares, Carregadores EV on-board e fontes de alimentação de servidor / telecomunicações. Uma qualidade garantida, apoiado por um rápido retorno e fabricação de alto volume qualificada para automóveis aumenta ainda mais sua proposta de valor. ” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.

Características –

  • Menor tarifa de portão da indústria (QG) e resistência do portão interno (RG(INT))
  • R mais baixoDS(EM) mudar com a temperatura
  • Baixa capacitância de saída (Cnós) e capacitância miler (CGD)
  • 100% avalanche (UIL) testado durante a produção
  • Capacidade de resistência a curto-circuito líder da indústria
  • Diodo de corpo rápido e confiável com baixo VF e baixo QRR
  • Tensão de limiar de porta alta e estável (Vº) em todas as condições de temperatura e polarização de drenagem
  • Tecnologia de embalagem avançada para menor resistência térmica e menor toque
  • Uniformidade de fabricação de RDS(EM), Vº e tensão de ruptura (BV)
  • Portfólio abrangente de produtos e cadeia de suprimentos mais segura com manufatura de alto volume qualificada para automóveis

Formulários –

  • Solar (PV) Inversores
  • EV / Carregadores HEV Onboard
  • Servidor & Fontes de alimentação de telecomunicações
  • Fontes de alimentação ininterrupta (UPS)
  • Conversores DC-DC
  • Fontes de alimentação comutadas (SMPS)
  • Armazenamento de energia e carregamento de bateria
  • Aquecimento por indução

Todos os SiC MOSFETs da GeneSiC Semiconductor são direcionados para aplicações automotivas (AEC-q101) e capaz de PPAP.

G3R60MT07J - 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&comercializar SiC MOSFET

G3R60MT07K - 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&comercializar SiC MOSFET

G3R60MT07D - 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&comercializar SiC MOSFET

Para folha de dados e outros recursos, Visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ ou contato sales@genesicsemi.com

Todos os dispositivos estão disponíveis para compra através de distribuidores autorizados – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Electronics

Elemento Newark Farnell 14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício, ao mesmo tempo que investiu em tecnologias de silício de alta potência. Os fabricantes líderes globais de sistemas industriais e de defesa dependem da tecnologia GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos do GeneSiC funcionam mais frios, Mais rápido, e mais economicamente, e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. Detemos patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia com gap amplo; um mercado projetado para atingir mais de $1 bilhões por 2022. Nossa principal competência é agregar mais valor aos nossos clientes’ produto final. Nosso desempenho e métricas de custo estão definindo padrões na indústria de carboneto de silício.

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GeneSiC ganha o prestigioso R&Prêmio D100 para chave retificadora-transistor monolítica baseada em SiC

DULLES, VA, dezembro 5, 2019 — R&D Magazine selecionou GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA como destinatário do prestigioso 2019 R&D 100 Prêmio para o desenvolvimento de chave retificadora-transistor monolítica baseada em SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc, um dos principais inovadores nos dispositivos de energia à base de carboneto de silício foi homenageado com o anúncio de que recebeu o prestigioso 2019 R&D 100 Prêmio. Este prêmio reconhece GeneSiC por apresentar um dos mais importantes, avanços recentes de pesquisa e desenvolvimento entre várias disciplinas durante 2018. R&A D Magazine reconheceu a tecnologia de dispositivo de energia SiC de média tensão da GeneSiC por sua capacidade de integrar monoliticamente o MOSFET e o retificador Schottky em um único chip. Esses recursos alcançados pelo dispositivo GeneSiC permitem que os pesquisadores de eletrônica de potência desenvolvam sistemas eletrônicos de potência de última geração, como inversores e conversores DC-DC.. Isso permitirá o desenvolvimento de produtos em veículos elétricos, infraestrutura de carregamento, indústrias de energia renovável e armazenamento de energia. GeneSiC registrou pedidos de vários clientes para a demonstração de hardware de eletrônica de potência avançada usando esses dispositivos e continua a desenvolver sua família de produtos MOSFET de carboneto de silício. O R&D na versão inicial para aplicações de conversão de energia foram desenvolvidas através do Departamento dos EUA. de Energia e colaboração com Sandia National Laboratories.

A competição anual de tecnologia conduzida por R&A D Magazine avaliou entradas de várias empresas e participantes da indústria, organizações de pesquisa e universidades em todo o mundo. Os editores da revista e um painel de especialistas externos atuaram como juízes, avaliando cada entrada em termos de sua importância para o mundo da ciência e da pesquisa.

De acordo com R&D Magazine, ganhando um R&D 100 Prêmio fornece uma marca de excelência conhecida pela indústria, governo, e a academia como prova de que o produto é uma das ideias mais inovadoras do ano. Este prêmio reconhece GeneSiC como líder global na criação de produtos baseados em tecnologia que fazem a diferença em como trabalhamos e vivemos.

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC é um inovador emergente rápido na área de dispositivos de energia SiC e tem um forte compromisso com o desenvolvimento de Carbeto de Silício (SiC) dispositivos baseados em: (uma) Dispositivos HV-HF SiC para Rede Elétrica, Poder pulsado e armas de energia dirigida; e (b) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desenvolve Carboneto de Silício (SiC) dispositivos semicondutores baseados em alta temperatura, radiação, e aplicações de rede elétrica. Isso inclui o desenvolvimento de retificadores, FETs, dispositivos bipolares, bem como partículas & detectores fotônicos. GeneSiC tem acesso a um amplo conjunto de design de semicondutores, fabricação, instalações de caracterização e teste para tais dispositivos. GeneSiC capitaliza sua competência central em projeto de dispositivos e processos para desenvolver os melhores dispositivos SiC possíveis para seus clientes. A empresa distingue-se por fornecer produtos de alta qualidade e especificamente ajustados às necessidades de cada cliente. GeneSiC tem contratos principais/subcontratados das principais agências governamentais dos EUA, incluindo ARPA-E, Departamento de Energia dos EUA, Marinha, DARPA, Departamento de Segurança Interna, Departamento de Comércio e outros departamentos dentro do Departamento dos EUA. de Defesa. GeneSiC continua a aprimorar rapidamente a infraestrutura de equipamentos e pessoal em sua Dulles, Instalação da Virgínia. A empresa está contratando agressivamente pessoal com experiência na fabricação de dispositivos semicondutores compostos, testes de semicondutores e projetos de detectores. Informações adicionais sobre a empresa e seus produtos podem ser obtidas ligando para GeneSiC em 703-996-8200 ou visitandoDispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.

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GeneSiC ganha US $ 2,53 milhões da ARPA-E para o desenvolvimento de dispositivos baseados em tiristores de carboneto de silício

DULLES, VA, setembro 28, 2010 - Agência de Projetos de Pesquisa Avançada - Energia (ARPA-E) entrou em um Acordo Cooperativo com a equipe liderada pela GeneSiC Semiconductor para o desenvolvimento do novo carboneto de silício de ultra alta tensão (SiC) Dispositivos baseados em tiristor. Espera-se que esses dispositivos sejam os principais capacitadores para a integração de usinas de energia eólica e solar em grande escala na rede inteligente de próxima geração.

“Este prêmio altamente competitivo para GeneSiC nos permitirá estender nossa posição de liderança técnica na tecnologia de carboneto de silício multi-kV, bem como nosso compromisso com soluções de energia alternativa em escala de rede com soluções de estado sólido,”Comentou o Dr.. Ranbir Singh, Vá para os arquivos da categoria Notícias. “Tiristores de SiC Multi-kV que estamos desenvolvendo são a principal tecnologia de capacitação para a realização de Sistemas Flexíveis de Transmissão AC (FATOS) elementos e alta tensão DC (HVDC) arquiteturas previstas para uma integração, eficiente, Smart Grid do futuro. Os tiristores baseados em SiC da GeneSiC oferecem voltagem 10X mais alta, 100Frequências de comutação X mais rápidas e operação em temperatura mais alta em soluções de processamento de energia FACTS e HVDC em comparação com tiristores convencionais à base de silício. ”

Em abril 2010, GeneSiC respondeu ao Agile Delivery of Electrical Power Technology (ADEPT) solicitação da ARPA-E que buscou investir em materiais para avanços fundamentais em comutadores de alta tensão que têm o potencial de superar o desempenho do conversor de energia existente, oferecendo reduções de custo. A proposta da empresa intitulada "Tiristor comutado de anodo de carboneto de silício para conversão de energia de média tensão" foi selecionada para fornecer um, Estado sólido, conversão de energia de média tensão para aplicações de alta potência, como subestações elétricas de estado sólido e geradores de turbinas eólicas. Vá para os arquivos da categoria Notícias 25-30 Vá para os arquivos da categoria Notícias. As inovações selecionadas foram para apoiar e promover os EUA. negócios por meio de liderança tecnológica, por meio de um processo altamente competitivo.

O carboneto de silício é um material semicondutor de próxima geração com propriedades muito superiores ao silício convencional, como a capacidade de lidar com dez vezes a tensão - e cem vezes a corrente - em temperaturas tão altas quanto 300ºC. Essas características o tornam ideal para aplicações de alta potência, como veículos híbridos e elétricos, energia renovável (eólica e solar) instalações, e sistemas de controle de rede elétrica.

Vá para os arquivos da categoria Notícias (>10kV) Vá para os arquivos da categoria Notícias (SiC) Vá para os arquivos da categoria Notícias. Vá para os arquivos da categoria Notícias >5 Vá para os arquivos da categoria Notícias, Vá para os arquivos da categoria Notícias, Vá para os arquivos da categoria Notícias, Compensadores VAR estáticos e compensadores de série. Vá para os arquivos da categoria Notícias. Outras aplicações e vantagens promissoras para esses dispositivos incluem:

  • Sistemas de gerenciamento de energia e condicionamento de energia para conversão de média tensão DC buscada sob a Capacidade Naval do Futuro (FNC) da Marinha dos EUA, Sistemas de lançamento eletromagnético, sistemas de armas de alta energia e imagens médicas. A capacidade de frequência operacional 10-100X mais alta permite melhorias sem precedentes no tamanho, peso, volume e finalmente, custo de tais sistemas.
  • Uma variedade de armazenamento de energia, aplicações físicas de alta temperatura e alta energia. As aplicações de armazenamento de energia e rede elétrica estão recebendo cada vez mais atenção à medida que o mundo se concentra em soluções de gerenciamento de energia mais eficientes e econômicas.

GeneSiC é um inovador emergente rápido na área de dispositivos de energia SiC e tem um forte compromisso com o desenvolvimento de Carbeto de Silício (SiC) dispositivos baseados em: (uma) Dispositivos HV-HF SiC para Rede Elétrica, Poder pulsado e armas de energia dirigida; e (b) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.

“Emergimos como líderes em tecnologia de SiC de ultra-alta tensão, alavancando nossa competência principal em design de dispositivos e processos com um amplo conjunto de fabricação, caracterização, e instalações de teste,”Conclui o Dr.. Singh. “A posição do GeneSiC agora foi efetivamente validada pelo US DOE com este significativo prêmio subsequente.”

Sobre o GeneSiC Semiconductor

Estrategicamente localizado perto de Washington, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo (SiC) dispositivos. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo (SJT) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Marinha, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, DARPA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, fabricação, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, por favor visiteDispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.