Marcação: G3R ™

DULLES, VA, Fevereiro 12, 2020 — MOSFETs de próxima geração 1200V G3R ™ SiC da GeneSiC Semiconductor com RDS(EM) níveis que variam de 20 mΩ para 350 mΩ entregar níveis de desempenho sem precedentes, robustez e qualidade que supera suas contrapartes. Os benefícios do sistema incluem maior eficiência, frequência de comutação mais rápida, densidade de potência aumentada, toque reduzido (EMI) e tamanho compacto do sistema.

GeneSiC anuncia a disponibilidade de seus MOSFETs de carboneto de silício de 3ª geração líderes da indústria, que apresentam desempenho líder da indústria, robustez e qualidade para aproveitar níveis nunca antes vistos de eficiência e confiabilidade do sistema em aplicações automotivas e industriais.

Estes MOSFETs G3R ™ SiC, oferecido em pacotes discretos de baixa indutância otimizados (SMD e orifício de passagem), são altamente otimizados para projetos de sistemas de energia que requerem níveis de eficiência elevados e velocidades de comutação ultra-rápidas. Esses dispositivos têm níveis de desempenho substancialmente melhores em comparação com produtos concorrentes. Uma qualidade garantida, apoiado por manufatura de alto volume de resposta rápida aumenta ainda mais sua proposta de valor.

“Após anos de trabalho de desenvolvimento para alcançar a menor resistência no estado e desempenho aprimorado de curto-circuito, estamos entusiasmados em lançar os MOSFETs SiC 1200V de melhor desempenho da indústria com mais de 15+ produtos de chip discreto e simples. Se os sistemas eletrônicos de potência de próxima geração devem atender à eficiência desafiadora, densidade de potência e objetivos de qualidade em aplicações como automotiva, industrial, energia renovável, transporte, TI e telecomunicações, então, eles exigem desempenho e confiabilidade do dispositivo significativamente melhorados em comparação com os SiC MOSFETs disponíveis atualmente” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.

Características –

• Superior Q_G x R_DS(EM) Figura de mérito – Os MOSFETs G3R ™ SiC apresentam a menor resistência no estado da indústria com uma carga de porta muito baixa, resultando em 20% melhor figura de mérito do que qualquer outro dispositivo concorrente semelhante
• Baixas perdas de condução em todas as temperaturas – Os MOSFETs do GeneSiC apresentam a dependência de temperatura mais suave da resistência no estado para oferecer perdas de condução muito baixas em todas as temperaturas; significativamente melhor do que qualquer outra vala e SiC MOSFETs planares do mercado
• 100 % avalanche testada – A capacidade robusta de UIL é um requisito crítico para a maioria das aplicações de campo. GeneSiC 1200V SiC MOSFET discretos são 100 % avalanche (UIL) testado durante a produção
• Carga de porta baixa e baixa resistência de porta interna – Esses parâmetros são essenciais para realizar a comutação ultrarrápida e alcançar as mais altas eficiências (Eon baixo -Eoff) em uma ampla gama de frequências de comutação de aplicativos
• Operação normalmente desligada estável até 175 ° C – Todos os SiC MOSFETs da GeneSiC são projetados e fabricados com processos de última geração para fornecer produtos estáveis ​​e confiáveis ​​em todas as condições operacionais, sem qualquer risco de mau funcionamento. A qualidade superior do óxido de porta desses dispositivos evita qualquer limite (V_º) deriva
• Capacitâncias baixas do dispositivo – G3R ™ são projetados para conduzir mais rápido e mais eficiente com suas baixas capacitâncias de dispositivo - Ciss, Coss e Crss
• Diodo corporal rápido e confiável com baixa carga intrínseca – Os MOSFETs do GeneSiC apresentam baixa carga de recuperação reversa de referência (Q_RR) em todas as temperaturas; 30% melhor do que qualquer dispositivo concorrente com classificação semelhante. Isso oferece mais redução nas perdas de energia e aumenta as frequências de operação
• Fácil de usar – Os MOSFETs G3R ™ SiC são projetados para serem acionados a + 15V / -5V gate drive. Isso oferece a mais ampla compatibilidade com os drivers de gate IGBT e SiC MOSFET comerciais existentes

Formulários –

• Veículo elétrico – Trem de força e carregamento
• Inversor solar e armazenamento de energia
• Unidade de motor industrial
• Fonte de energia ininterrupta (UPS)
• Fonte de alimentação comutada (SMPS)
• Conversores bidirecionais DC-DC
• Smart Grid e HVDC
• Aquecimento por indução e soldagem
• Aplicação de energia pulsada

Todos os dispositivos estão disponíveis para compra através de distribuidores autorizados – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Electronics

Elemento Newark Farnell 14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Para folha de dados e outros recursos, Visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet ou contato sales@genesicsemi.com

Todos os SiC MOSFETs da GeneSiC Semiconductor são direcionados para aplicações automotivas (AEC-q101) e capaz de PPAP. Todos os dispositivos são oferecidos no padrão da indústria D2PAK, Pacotes TO-247 e SOT-227.

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício, ao mesmo tempo que investiu em tecnologias de silício de alta potência. Os fabricantes líderes globais de sistemas industriais e de defesa dependem da tecnologia GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos do GeneSiC funcionam mais frios, Mais rápido, e mais economicamente, e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. Detemos patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia com gap amplo; um mercado projetado para atingir mais de $1 bilhões por 2022. Nossa principal competência é agregar mais valor aos nossos clientes’ produto final. Nosso desempenho e métricas de custo estão definindo padrões na indústria de carboneto de silício.