GeneSiC prospera para entregar os melhores projetos dirigidos ao cliente possíveis, fornecendo dispositivos de energia SiC com índice de desempenho de custo superior, alta robustez e alta qualidade.
Os aplicativos incluem:
- Boost Diode in Power Factor Correction (PFC)
- Fonte de alimentação comutada (SMPS)
- Veículos elétricos – Trem de força, Conversor DC-DC e carregamento integrado
- Infraestrutura de carregamento extremamente rápido
- Inversores solares e armazenamento de energia
- Tração
- Fontes de alimentação do data center
- Aquecimento por indução e soldagem
- Conversores DC-DC de alta tensão
- Free-wheeling / Diodo Antiparalelo
- Iluminação LED e HID
- Sistemas de imagens médicas
- Conversores de potência para perfuração de óleo no fundo do poço
- Detecção de alta tensão
- Pulsed Power
Visita www.genesicsemi.com/applications aprender mais!
Para aplicações de detecção de alta tensão, como proteção DE-SAT e circuitos de bootstrap de unidade de switch gate do lado alto, os pacotes DO-214 e TO-252-2 são soluções ideais.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GB01SLT06-214 650 1 DO-214
GB01SLT12-214 1200 1 DO-214
GB01SLT12-252 1200 1 TO-252-2
GB02SLT12-214 1200 2 DO-214
GB02SLT12-252 1200 2 TO-252-2
GAP3SLT33-214 3300 0.3 DO-214
O pacote TO-247-3 oferece grande flexibilidade para maior densidade de potência e redução de BOM em aplicações como a correção do fator de potência (PFC) inter que compartilham um cátodo comum entre dois diodos.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GC2X5MPS12-247 1200 5 / 10 TO-247-3
GC2X8MPS12-247 1200 8 / 16 TO-247-3
GC2X10MPS12-247 1200 10 / 20 TO-247-3
GC2X15MPS12-247 1200 15 / 30 TO-247-3
GC2X20MPS12-247 1200 20 / 40 TO-247-3
Notas de aplicação:
AN-1 1200 Diodos V Schottky com alturas de barreira invariáveis de temperatura e fatores de idealidade
Out 2010 AN-1 1200 Diodos V Schottky com alturas de barreira invariáveis de temperatura e fatores de idealidade
AN-2 1200 Diodos V SiC JBS com carga de recuperação reversa capacitiva ultrabaixa para aplicações de comutação rápida
Out 2010 AN-2 1200 Diodos V SiC JBS com carga de recuperação reversa capacitiva ultrabaixa para aplicações de comutação rápida
AN1001 SiC Confiabilidade do Diodo de Energia
setembro, 2018AN1001 SiC Confiabilidade do Diodo de Energia
AN1002 Compreendendo a folha de dados de um diodo SiC Power Schottky
setembro, 2018AN1002 Compreendendo a folha de dados de um diodo SiC Power Schottky
Instruções de uso do modelo AN1003 SPICE
dezembro, 2018Instruções de uso do modelo AN1003 SPICE
Artigos Técnicos:
Retificadores SiC PiN de alta potência
Dez, 2005 Retificadores SiC PiN de alta potência
Retificadores SiC PiN de alta potência
Junho, 2007 Retificadores SiC PiN de alta potência
Detecção rápida de nêutrons com detectores semi-isolantes de carboneto de silício
Junho, 2008 Detecção rápida de nêutrons com detectores semi-isolantes de carboneto de silício
Desenvolvimento de detectores de radiação baseados em carboneto de silício semisolante
Out, 2008 Desenvolvimento de detectores de radiação baseados em carboneto de silício semisolante
Correlação entre vida de recombinação de portadora e queda de tensão direta em diodos 4H-SiC PiN
Setembro, 2010 Correlação entre vida de recombinação de portadora e queda de tensão direta em diodos 4H-SiC PiN
