Baixe o guia do seletor de produtos
Os MOSFETs G3R ™ SiC da GeneSiC apresentam desempenho líder da indústria em comutação de alta tensão para chicotes de fios nunca antes vistos níveis de eficiência, operação em alta temperatura e confiabilidade do sistema.
Características:
- Tecnologia G3R ™ para +15 V Gate Drive
- Superior QG x RDS(EM) Figura de mérito
- Carga de porta baixa e capacitâncias do dispositivo
- Baixas perdas de condução em alta temperatura
- Avalanche superior e robustez de curto-circuito
- Operação estável normalmente desligada até 175 ° C
- Diodo Corporal Rápido e Confiável
- Empacotamento Otimizado com Conexão de Fonte Kelvin
Benefícios:
- Índice de desempenho de custo superior
- Maior densidade de potência para sistema compacto
- R interno baixoG para operação de alta frequência de comutação
- Perdas reduzidas para maior eficiência do sistema
- Toque de porta minimizado
- Capacidades térmicas aprimoradas
- Simples de dirigir
- Facilidade de paralelismo sem fuga térmica
Formulários:
- Veículos elétricos - trem de força e carregamento
- Inversores solares e armazenamento de energia
- Smart Grid e HVDC
- Drives de motor
- Conversores DC-DC e AC-DC de alta tensão
- Aquecimento por indução e soldagem
- Fontes de alimentação comutadas
- Aplicações de energia pulsada
750V SiC MOSFET
| Na Resistência, RDS(EM) | Chip Bare | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |
|
| 10 mΩ | G3R10MT07-CAL | |||
| 12 mΩ | G4R12MT07-CAU | |||
| 60 mΩ | G3R60MT07J | G3R60MT07D | G3R60MT07K |
1200V SiC MOSFET
| Na Resistência, RDS(EM) | Chip Bare | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |  |
|
| 10 mΩ | G4R10MT12-CAU | ||||
| 12 mΩ | G3R12MT12-CAL | G3R12MT12K | |||
| 20 mΩ | G3R20MT12-CAL | G3R20MT12K | G3R20MT12N | ||
| 30 mΩ | G3R30MT12-CAL | G3R30MT12J | G3R30MT12K | ||
| 40 mΩ | G3R40MT12J | G3R40MT12D | G3R40MT12K | ||
| 75 mΩ | G3R75MT12J | G3R75MT12D | G3R75MT12K | ||
| 160 mΩ | G3R160MT12J | G3R160MT12D | |||
| 350 mΩ | G3R350MT12J | G3R350MT12D |
1700V SiC MOSFET
| Na Resistência, RDS(EM) | Chip Bare | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
| | | | |
|
| 20 mΩ | G3R20MT17-CAL | G3R20MT17K | G3R20MT17N | ||
| 45 mΩ | G3R45MT17-CAL | G3R45MT17D | G3R45MT17K | ||
| 160 mΩ | G3R160MT17J | G3R160MT17D | |||
| 450 mΩ | G3R450MT17J | G3R450MT17D | |||
| 1000 mΩ | G2R1000MT17J | G2R1000MT17D |
3300V SiC MOSFET
| Na Resistência, RDS(EM) | Chip Bare | TO-263-7 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|
| | |
|
| 50 mΩ | G2R50MT33-CAL | G2R50MT33K | |
| 120 mΩ | G2R120MT33J | ||
| 1000 mΩ | G2R1000MT33J |
6500V SiC MOSFET
| Na Resistência, RDS(EM) | Chip Bare |
|---|---|
|
|
| 300 mΩ | G2R300MT65-CAL |
| 325 mΩ | G2R325MS65-CAL |
