DULLES, VA, Junho 04, 2021 — Os MOSFETs de próxima geração de 750V G3R ™ SiC da GeneSiC oferecerão níveis de desempenho sem precedentes, robustez e qualidade que supera suas contrapartes. Os benefícios do sistema incluem baixas quedas no estado em temperaturas operacionais, velocidades de comutação mais rápidas, densidade de potência aumentada, toque mínimo (baixo EMI) e tamanho compacto do sistema. G3R ™ de GeneSiC, oferecido em pacotes discretos de baixa indutância otimizados (SMD e orifício de passagem), são otimizados para operar com as menores perdas de energia em todas as condições operacionais e velocidades de comutação ultra-rápidas. Esses dispositivos têm níveis de desempenho substancialmente melhores em comparação com os SiC MOSFETs contemporâneos.
“O uso de energia de alta eficiência tornou-se um produto crítico nos conversores de energia da próxima geração e os dispositivos de energia SiC continuam a ser os principais componentes que impulsionam esta revolução. Após anos de trabalho de desenvolvimento para alcançar a menor resistência no estado e desempenho robusto de curto-circuito e avalanche, estamos entusiasmados em lançar os MOSFETs SiC de 750 V com melhor desempenho da indústria. Nosso G3R ™ permite que os projetistas de eletrônicos de potência atendam ao desafio de eficiência, densidade de energia e objetivos de qualidade em aplicações como inversores solares, Carregadores EV on-board e fontes de alimentação de servidor / telecomunicações. Uma qualidade garantida, apoiado por um rápido retorno e fabricação de alto volume qualificada para automóveis aumenta ainda mais sua proposta de valor. ” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.
Características –
- Menor tarifa de portão da indústria (QG) e resistência do portão interno (RG(INT))
- R mais baixoDS(EM) mudar com a temperatura
- Baixa capacitância de saída (Cnós) e capacitância miler (CGD)
- 100% avalanche (UIL) testado durante a produção
- Capacidade de resistência a curto-circuito líder da indústria
- Diodo de corpo rápido e confiável com baixo VF e baixo QRR
- Tensão de limiar de porta alta e estável (Vº) em todas as condições de temperatura e polarização de drenagem
- Tecnologia de embalagem avançada para menor resistência térmica e menor toque
- Uniformidade de fabricação de RDS(EM), Vº e tensão de ruptura (BV)
- Portfólio abrangente de produtos e cadeia de suprimentos mais segura com manufatura de alto volume qualificada para automóveis
Formulários –
- Solar (PV) Inversores
- EV / Carregadores HEV Onboard
- Servidor & Fontes de alimentação de telecomunicações
- Fontes de alimentação ininterrupta (UPS)
- Conversores DC-DC
- Fontes de alimentação comutadas (SMPS)
- Armazenamento de energia e carregamento de bateria
- Aquecimento por indução
Todos os SiC MOSFETs da GeneSiC Semiconductor são direcionados para aplicações automotivas (AEC-q101) e capaz de PPAP.
G3R60MT07J - 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&comercializar SiC MOSFET
G3R60MT07K - 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&comercializar SiC MOSFET
G3R60MT07D - 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&comercializar SiC MOSFET
Para folha de dados e outros recursos, Visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ ou contato sales@genesicsemi.com
Todos os dispositivos estão disponíveis para compra através de distribuidores autorizados – www.genesicsemi.com/sales-support
Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício, ao mesmo tempo que investiu em tecnologias de silício de alta potência. Os fabricantes líderes globais de sistemas industriais e de defesa dependem da tecnologia GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos do GeneSiC funcionam mais frios, Mais rápido, e mais economicamente, e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. Detemos patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia com gap amplo; um mercado projetado para atingir mais de $1 bilhões por 2022. Nossa principal competência é agregar mais valor aos nossos clientes’ produto final. Nosso desempenho e métricas de custo estão definindo padrões na indústria de carboneto de silício.
