Transistores de junção de SiC de maturação rápida com ganho de corrente (b) > 130, Bloqueio de tensões até 2700 V e operação estável de longo prazo
Transistores de junção de carboneto de silício e retificadores Schottky otimizados para operação a 250 ° C
Características estáticas e de comutação de 1200 Transistores de junção V SiC com retificadores Schottky integrados no chip
AN-10A Conduzindo Transistores de Junção SiC (SJT) com drivers de porta IGBT de silício prontos para uso: Conceito de unidade de nível único
AN-10B Conduzindo Transistores de Junção SiC (SJT): Conceito de movimentação de portão de dois níveis
1200 Classe V 4H-SiC “Super” Transistores de junção com ganhos de corrente de 88 e capacidade de comutação ultrarrápida