Características estáticas e de comutação de 1200 Transistores de junção V SiC com retificadores Schottky integrados no chip
Transistores de junção de carboneto de silício e retificadores Schottky otimizados para operação a 250 ° C
Características estáticas e de comutação de 1200 Transistores de junção V SiC com retificadores Schottky integrados no chip
Transistores de junção de carboneto de silício e retificadores Schottky otimizados para operação a 250 ° C
GeneSiC ganha o prestigioso R&Prêmio D100 para chave retificadora-transistor monolítica baseada em SiC