Transistores de junção de SiC de maturação rápida com ganho de corrente (b) > 130, Bloqueio de tensões até 2700 V e operação estável de longo prazo
Estabilidade das características elétricas de transistores de junção "Super" de SiC sob CC de longo prazo e operação pulsada em várias temperaturas
Características estáticas e de comutação de 1200 Transistores de junção V SiC com retificadores Schottky integrados no chip
200 Transistores de junção "Super" V SiC operando em 250 ° C com perdas de energia extremamente baixas para aplicações de conversão de energia
Transistores de junção de carboneto de silício e retificadores Schottky otimizados para operação a 250 ° C
Multi-kHz, Tiristores de carboneto de silício de ultra-alta voltagem amostrados para pesquisadores dos EUA