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GeneSiC apresenta transistores de junção de carboneto de silício
SiC Schottky Diodes em SMB (DO-214) pacotes oferecem pegadas menores
Os módulos híbridos SiC Schottky Rectifier/Si IGBT da GeneSiC permitem operação a 175°C
Retificadores Schottky de Carbeto de Silício estendidos para 3300 Taxas de tensão
Temperatura alta (210 C) Transistores de junção SiC oferecidos em pacotes herméticos
Transistores-diodos de junção de carboneto de silício oferecidos em um 4 Mini-módulo com chumbo
Sistemas de energia de Bodo (Pg 44)
Transistores e retificadores de SiC de alta temperatura de uso geral oferecidos a baixo custo
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