MOSFETs de SiC de 6,5 kV líderes da indústria da GeneSiC – a vanguarda para uma nova onda de aplicativos
DULLES, VA, Outubro 20, 2020 — A GeneSiC lança MOSFETs de carboneto de silício de 6,5 kV para liderar na entrega de níveis de desempenho sem precedentes, eficiência e confiabilidade em aplicações de conversão de energia de média tensão…
GeneSiC ganha o prestigioso R&Prêmio D100 para chave retificadora-transistor monolítica baseada em SiC
DULLES, VA, dezembro 5, 2019 — R&D Magazine selecionou GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA como destinatário do prestigioso 2019 R&D 100 Prêmio para o desenvolvimento de SiC-Based…
Capacidade de alta corrente 650V, 1200Diodos V e 1700V SiC Schottky MPS ™ no pacote mini-módulo SOT-227
DULLES, VA, Posso 11, 2019 — GeneSiC torna-se líder de mercado em capacidade de alta corrente (100 A e 200 UMA) Diodos schottky SiC no minimódulo SOT-227 GeneSiC introduziu GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC lança 1700V SiC Schottky MPS de melhor desempenho da indústria™ diodos
DULLES, VA, Janeiro 7, 2019 — GeneSiC releases a comprehensive portfolio of its third generation 1700V SiC Schottky MPS™ diodes in TO-247-2 package GeneSiC has introduced GB05MPS17-247, Transporte, GB25MPS17-247 and…
Os módulos híbridos SiC Schottky Rectifier/Si IGBT da GeneSiC permitem operação a 175°C
DULLES, VA, Março 5, 2013 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) power semiconductors today announces the immediate availability of its…