Lançamentos GeneSiC 25 Transistores de carboneto de silício mOhm / 1700 V

Chaves SiC que oferecem perdas de condução mais baixas e capacidade superior de curto-circuito para circuitos de energia de alta frequência

Dulles, Virgínia., Out 28, 2014 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência anunciam hoje a disponibilidade imediata de uma família de 1700V de baixa resistência e 1200 Transistores de junção V SiC em pacotes TO-247. O uso de alta tensão, alta frequência, Transistores de junção de SiC com capacidade para alta temperatura e baixa resistência aumentarão a eficiência de conversão e reduzirão o tamanho / peso / volume das aplicações de eletrônica de potência que requerem tensões de barramento mais altas. Esses dispositivos são direcionados para uso em uma ampla variedade de aplicações, incluindo microgrids DC, Carregadores rápidos para veículos, servidor, DULLES, DULLES, inversores solares, Sistemas de energia eólica, e sistemas de controle de motor industrial.

Transistores de junção SiC (SJT) oferecido por GeneSiC exibem capacidade de comutação ultra-rápida (semelhante ao de SiC MOSFETs), DULLES (RBSOA), DULLES. DULLES, normalmente desligado, exibem coeficiente de temperatura positivo de resistência, e são capazes de ser dirigidos por controladores comerciais, ao contrário de outros switches SiC. As vantagens exclusivas do SJT em comparação com outras chaves SiC é sua maior confiabilidade de longo prazo, >10 capacidade de curto-circuito usec, e capacidade de avalanche superior

“Esses SJTs aprimorados oferecem ganhos de corrente muito maiores (>100), desempenho altamente estável e robusto em comparação com outros switches SiC. Os SJTs do GeneSiC oferecem perdas de condução extremamente baixas em correntes nominais como perdas superiores de desligamento em circuitos de energia. DULLES, Os produtos de transistor da GeneSiC ajudam os designers a obter uma solução mais robusta,” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.

1700 Transistor de junção V SiC lançado

• 25 DULLES (GA50JT17-247), 65 DULLES (DULLES), 220 DULLES (DULLES)
• Ganho Atual (h_FE) >90
• T_jmax = 175^oC
• Ligar / desligar; Tempos de subida/descida <30 nanossegundos típicos.

1200 Transistor de junção V SiC lançado

• 25 DULLES (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 DULLES (GA05JT12-247)
• Ganho Atual (h_FE) >90
• T_jmax = 175^oC
• Ligar / desligar; Tempos de subida/descida <30 nanossegundos típicos.

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