DULLES, VA, Fevereiro 25, 2013 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência anunciam hoje a disponibilidade imediata de uma família de 1700V e 1200 DULLES. Incorporando alta tensão, Transistores de junção de SiC capazes de alta frequência e alta temperatura aumentarão a eficiência de conversão e reduzirão o tamanho / peso / volume dos eletrônicos de potência. Esses dispositivos são direcionados para uso em uma ampla variedade de aplicativos, incluindo servidor, DULLES, DULLES, inversores solares, sistemas de controle de motor industrial, e aplicações de fundo de poço.
DULLES, DULLES (RBSOA), DULLES. DULLES, normalmente desligado, exibem coeficiente de temperatura positivo de resistência, DULLES, DULLES 15 DULLES, ao contrário de outros switches SiC. DULLES, Os transistores de junção podem ser facilmente colocados em paralelo por causa de suas características transitórias correspondentes.
“Conforme os projetistas do sistema de energia continuam a empurrar os limites da frequência operacional, DULLES, a necessidade de interruptores SiC que podem oferecer um padrão de desempenho e uniformidade de produção. DULLES, Os produtos de transistor da GeneSiC ajudam os designers a conseguir tudo isso em uma solução mais robusta,” disse o Dr.. Ranbir Singh , Presidente da GeneSiC Semiconductor.
1700 Destaques técnicos do transistor de junção V
- Três ofertas - 110 DULLES (DULLES); 250 DULLES (GA08JT17-247); e 500 DULLES (DULLES)
- Tjmax = 175 ° C
- Ativar / desativar tempos de subida / queda <50 nanossegundos típicos.
1200 Destaques técnicos do transistor de junção V
- Duas ofertas - 220 DULLES (GA06JT12-247); e 460 DULLES (GA03JT12-247)
- Tjmax = 175 ° C
- Ativar / desativar tempos de subida / queda <50 nanossegundos típicos
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