Transistores e retificadores de SiC de alta temperatura de uso geral oferecidos a baixo custo

Temperatura alta (>210^oC) Transistores de junção e retificadores em pacotes de lata de metal de fator de forma pequeno oferecem benefícios de desempenho revolucionários para uma variedade de aplicações, incluindo amplificação, circuitos de baixo ruído e controles de atuador de fundo de poço

DULLES, VA, Março 9, 2015 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência anuncia hoje a disponibilidade imediata de uma linha de compactos, Transistores de junção de SiC de alta temperatura, bem como uma linha de retificadores em pacotes de latas de metal TO-46. Esses componentes discretos são projetados e fabricados para operar em temperaturas ambientes superiores a 215^oC. O uso de alta temperatura, Transistores e retificadores de SiC com capacidade para alta tensão e baixa resistência reduzirão o tamanho / peso / volume das aplicações eletrônicas que requerem maior manuseio de energia em temperaturas elevadas. Esses dispositivos são direcionados para uso em uma ampla variedade de aplicações, incluindo uma grande variedade de circuitos de fundo de poço, instrumentação geotérmica, atuação solenóide, amplificação de propósito geral, e fontes de alimentação comutadas.

Transistores de junção SiC de alta temperatura (SJT) oferecido por GeneSiC exibem tempos de subida / descida sub-10 nsec, permitindo >10 Comutação de MHz, bem como uma área de operação segura com polarização reversa quadrada (RBSOA). As perdas de energia transitórias e os tempos de comutação são independentes da temperatura da junção. DULLES, normalmente desligado, exibem coeficiente de temperatura positivo de resistência, e são capazes de ser dirigidos por 0/+5 Drivers de portão V TTL, ao contrário de outros switches SiC. As vantagens exclusivas do SJT em comparação com outras chaves SiC é sua maior confiabilidade de longo prazo, >20 capacidade de curto-circuito usec, e capacidade de avalanche superior. Esses dispositivos podem ser usados ​​como amplificadores eficientes, pois prometem uma linearidade muito maior do que qualquer outro switch SiC.

Os retificadores Schottky de alta temperatura SiC oferecidos pela GeneSiC mostram baixas quedas de tensão no estado, e as correntes de fuga mais baixas da indústria em temperaturas elevadas. Com temperatura independente, características de comutação de recuperação reversa quase zero, Os retificadores SiC Schottky são candidatos ideais para uso em alta eficiência, circuitos de alta temperatura. Os pacotes de latas de metal TO-46, bem como os processos de embalagem associados usados ​​para criar esses produtos, permitem o uso de longo prazo onde a alta confiabilidade é crítica.

“Os produtos de transistor e retificador da GeneSiC são projetados e fabricados a partir do solo para permitir a operação em alta temperatura. Esses SJTs compactos TO-46 oferecem altos ganhos de corrente (>110), 0/+5 Controle V TTL, e desempenho robusto. Esses dispositivos oferecem baixas perdas de condução e alta linearidade. Nós projetamos nossa linha “SHT” de retificadores, para oferecer correntes de fuga baixas em altas temperaturas. Esses produtos embalados em latas de metal aumentam nosso TO-257 e produtos SMD de metal lançados no ano passado para oferecer um fator de forma pequeno, soluções resistentes à vibração” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.

Os produtos lançados hoje incluem:

240 Transistores de junção mOhm SiC:

• 300 Tensão de bloqueio V. Número da peça GA05JT03-46
• 100 Tensão de bloqueio V. Número da peça GA05JT01-46
• Ganho Atual (h_FE) >110
• T_jmax = 210^oC
• Ligar / desligar; Tempos de subida/descida <10 nanossegundos típicos.

Até 4 Diodos Schottky de alta temperatura ampere:

• 600 Tensão de bloqueio V. Número da peça GB02SHT06-46
• 300 Tensão de bloqueio V. Número da peça GB02SHT03-46
• 100 Tensão de bloqueio V. Número da peça GB02SHT01-46
• Carga capacitiva total 9 nC
• T_jmax = 210^oC.

Todos os dispositivos são 100% testado para classificações de tensão / corrente total e alojado em pacotes TO-46 de lata de metal. Os dispositivos estão imediatamente disponíveis nos Distribuidores Autorizados GeneSiC.

Sobre GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos de tiristores, bem como módulos de diodo de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo de fundo de poço, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. Dentro 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de Tiristores SiC de ultra-alta tensão.

Para maiores informações, por favor visite https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; e https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.