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Combinação de transistor-diodo SiC co-embalado em um robusto, isolado, 4-Com chumbo, embalagem de mini-módulo reduz as perdas de energia ao ligar e permite projetos de circuitos flexíveis para conversores de energia de alta frequência

DULLES, VA, Posso 13, 2015 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência anuncia hoje a disponibilidade imediata de 20 mOhm-1200 V SiC transistor-diodos de junção em um isolado, 4-Embalagem de mini-módulo com chumbo que permite perdas de energia extremamente baixas, oferecendo flexibilidade, projetos modulares em conversores de potência de alta frequência. O uso de alta frequência, Transistores e retificadores de SiC com capacidade de alta tensão e baixa resistência reduzirão o tamanho/peso/volume de aplicações eletrônicas que exigem maior manuseio de energia em altas frequências de operação. Esses dispositivos são direcionados para uso em uma ampla variedade de aplicações, incluindo aquecedores por indução, geradores de plasma, carregadores rápidos, Conversores DC-DC, e fontes de alimentação comutadas.

Transistores de junção SiC co-embalados (SJT)-Os retificadores de SiC oferecidos pela GeneSiC são aplicáveis ​​exclusivamente a aplicações de comutação indutiva porque os SJTs são os únicos switches de banda larga que oferecem >10 capacidade de curto-circuito repetitivo microsec, Mesmo em 80% das tensões nominais (por exemplo. 960 V para um 1200 dispositivo V). Além dos tempos de subida/descida abaixo de 10 ns e uma área de operação segura com polarização reversa quadrada (RBSOA), o terminal Gate Return na nova configuração melhora significativamente a capacidade de reduzir as energias de comutação. Esta nova classe de produtos oferece perdas de energia transitórias e tempos de comutação independentes da temperatura da junção. Os transistores de junção SiC da GeneSiC são livres de óxido de porta, normalmente desligado, exibem coeficiente de temperatura positivo de resistência, e são capazes de serem acionados em baixas tensões de Gate, ao contrário de outros switches SiC.
Os retificadores SiC Schottky usados ​​nesses minimódulos mostram baixas quedas de tensão no estado ligado, boas classificações de corrente de surto e as correntes de fuga mais baixas do setor em temperaturas elevadas. Com temperatura independente, características de comutação de recuperação reversa quase zero, Os retificadores SiC Schottky são candidatos ideais para uso em circuitos de alta eficiência.
“Os produtos de transistor e retificador SiC da GeneSiC são projetados e fabricados para obter baixas perdas de estado e comutação. Uma combinação dessas tecnologias em um pacote inovador promete desempenho exemplar em circuitos de energia que exigem dispositivos baseados em banda larga. A embalagem do minimódulo oferece grande flexibilidade de design para uso em uma variedade de circuitos de energia como H-Bridge, Flyback e inversores multinível” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.
O produto lançado hoje inclui
20 mOhm/1200 V SiC Junção Transistor/Retificador Co-pack (GA50SICP12-227):
• Pacote SOT-227/mini-bloco/Isotop isolado
• Ganho de corrente do transistor (hFE) >100
• Tjmax = 175oC (limitado pela embalagem)
• Ligar / desligar; Tempos de subida/descida <10 nanossegundos típicos.

Todos os dispositivos são 100% testado para classificações de tensão/corrente total. Os dispositivos estão imediatamente disponíveis no GeneSiC's Distribuidores Autorizados.

Para maiores informações, por favor visite: https://192.168.88.14/comercial-sic/sic-modules-copack/

Sobre GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos de tiristores, bem como módulos de diodo de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo de fundo de poço, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. Dentro 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de Tiristores SiC de ultra-alta tensão.

Temperatura alta (>210^oC) Transistores de junção e retificadores em pacotes de lata de metal de fator de forma pequeno oferecem benefícios de desempenho revolucionários para uma variedade de aplicações, incluindo amplificação, circuitos de baixo ruído e controles de atuador de fundo de poço

DULLES, VA, Março 9, 2015 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência anuncia hoje a disponibilidade imediata de uma linha de compactos, Transistores de junção de SiC de alta temperatura, bem como uma linha de retificadores em pacotes de latas de metal TO-46. Esses componentes discretos são projetados e fabricados para operar em temperaturas ambientes superiores a 215^oC. O uso de alta temperatura, Transistores e retificadores de SiC com capacidade para alta tensão e baixa resistência reduzirão o tamanho / peso / volume das aplicações eletrônicas que requerem maior manuseio de energia em temperaturas elevadas. Esses dispositivos são direcionados para uso em uma ampla variedade de aplicações, incluindo uma grande variedade de circuitos de fundo de poço, instrumentação geotérmica, atuação solenóide, amplificação de propósito geral, e fontes de alimentação comutadas.

Transistores de junção SiC de alta temperatura (SJT) oferecido por GeneSiC exibem tempos de subida / descida sub-10 nsec, permitindo >10 Comutação de MHz, bem como uma área de operação segura com polarização reversa quadrada (RBSOA). As perdas de energia transitórias e os tempos de comutação são independentes da temperatura da junção. DULLES, normalmente desligado, exibem coeficiente de temperatura positivo de resistência, e são capazes de ser dirigidos por 0/+5 Drivers de portão V TTL, ao contrário de outros switches SiC. As vantagens exclusivas do SJT em comparação com outras chaves SiC é sua maior confiabilidade de longo prazo, >20 capacidade de curto-circuito usec, e capacidade de avalanche superior. Esses dispositivos podem ser usados ​​como amplificadores eficientes, pois prometem uma linearidade muito maior do que qualquer outro switch SiC.

Os retificadores Schottky de alta temperatura SiC oferecidos pela GeneSiC mostram baixas quedas de tensão no estado, e as correntes de fuga mais baixas da indústria em temperaturas elevadas. Com temperatura independente, características de comutação de recuperação reversa quase zero, Os retificadores SiC Schottky são candidatos ideais para uso em alta eficiência, circuitos de alta temperatura. Os pacotes de latas de metal TO-46, bem como os processos de embalagem associados usados ​​para criar esses produtos, permitem o uso de longo prazo onde a alta confiabilidade é crítica.

“Os produtos de transistor e retificador da GeneSiC são projetados e fabricados a partir do solo para permitir a operação em alta temperatura. Esses SJTs compactos TO-46 oferecem altos ganhos de corrente (>110), 0/+5 Controle V TTL, e desempenho robusto. Esses dispositivos oferecem baixas perdas de condução e alta linearidade. Nós projetamos nossa linha “SHT” de retificadores, para oferecer correntes de fuga baixas em altas temperaturas. Esses produtos embalados em latas de metal aumentam nosso TO-257 e produtos SMD de metal lançados no ano passado para oferecer um fator de forma pequeno, soluções resistentes à vibração” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.

Os produtos lançados hoje incluem:

240 Transistores de junção mOhm SiC:

• 300 Tensão de bloqueio V. Número da peça GA05JT03-46
• 100 Tensão de bloqueio V. Número da peça GA05JT01-46
• Ganho Atual (h_FE) >110
• T_jmax = 210^oC
• Ligar / desligar; Tempos de subida/descida <10 nanossegundos típicos.

Até 4 Diodos Schottky de alta temperatura ampere:

• 600 Tensão de bloqueio V. Número da peça GB02SHT06-46
• 300 Tensão de bloqueio V. Número da peça GB02SHT03-46
• 100 Tensão de bloqueio V. Número da peça GB02SHT01-46
• Carga capacitiva total 9 nC
• T_jmax = 210^oC.

Todos os dispositivos são 100% testado para classificações de tensão / corrente total e alojado em pacotes TO-46 de lata de metal. Os dispositivos estão imediatamente disponíveis nos Distribuidores Autorizados GeneSiC.

Sobre GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos de tiristores, bem como módulos de diodo de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo de fundo de poço, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. Dentro 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de Tiristores SiC de ultra-alta tensão.

Para maiores informações, por favor visite https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; e https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.

Gate Driver Board otimizado para altas velocidades de chaveamento e modelos baseados em comportamento permitem que engenheiros de projetos eletrônicos de energia verifiquem e quantifiquem os benefícios dos SJTs na avaliação de nível de placa e simulação de circuito

DULLES, V.A., Nov 19, 2014 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) Power semiconductors anuncia hoje a disponibilidade imediata da placa de avaliação Gate Driver e expandiu seu suporte de design para os interruptores de menor perda da indústria - o Transistor de junção SiC (SJT) - com um modelo LTSPICE IV totalmente qualificado. Usando o novo Gate Driver Board, designers de circuitos de conversão de energia podem verificar os benefícios de sub-15 nanossegundos, características de comutação independentes de temperatura dos transistores de junção de SiC, com baixas perdas de potência do driver. Incorporando os novos modelos SPICE, os designers de circuitos podem avaliar facilmente os benefícios que os SJTs do GeneSiC fornecem para atingir um nível mais alto de eficiência do que é possível com dispositivos de comutação de energia de silício convencionais para dispositivos de classificação comparável.

Os transistores de junção de SiC têm características significativamente diferentes do que outras tecnologias de transistores de SiC, bem como transistores de silício. Placas Gate Driver que podem fornecer baixas perdas de energia, enquanto ainda oferecem altas velocidades de chaveamento, eram necessárias para fornecer soluções de acionamento para utilizar os benefícios dos Transistores de Junção de SiC. GeneSiC totalmente isolado GA03IDDJT30-FR4 A placa do controlador de porta leva em 0 / 12V e um sinal TTL para condicionar de forma ideal as formas de onda de tensão / corrente necessárias para fornecer pequenos tempos de subida / queda, enquanto ainda minimiza o requisito de corrente contínua para manter o SJT normalmente DESLIGADO conduzindo durante o estado ligado. A configuração do pino e os fatores de forma são mantidos semelhantes a outros transistores SiC. GeneSiC também lançou arquivos Gerber e BOMs para o usuário final para permitir que eles incorporem os benefícios das inovações de design de driver realizadas.

SJTs oferecem características de estado e comutação bem comportadas, tornando mais fácil criar modelos SPICE baseados em comportamento que concordam notavelmente bem com os modelos baseados em física subjacentes também. Usando modelos baseados na física bem estabelecidos e compreendidos, Os parâmetros SPICE foram lançados após extensos testes com o comportamento do dispositivo. Os modelos SPICE do GeneSiC são comparados aos dados medidos experimentalmente em todas as planilhas de dados do dispositivo e são aplicáveis ​​a todos 1200 V e 1700 Transistores de junção V SiC lançados.
Os SJTs do GeneSiC são capazes de fornecer frequências de comutação que são mais do que 15 vezes mais do que soluções baseadas em IGBT. Suas frequências de comutação mais altas podem permitir elementos magnéticos e capacitivos menores, diminuindo assim o tamanho geral, peso e custo dos sistemas eletrônicos de potência.

Este modelo SPICE de transistor de junção de SiC adiciona ao conjunto abrangente de ferramentas de suporte de design do GeneSiC, documentação técnica, e informações de confiabilidade para fornecer aos engenheiros de eletrônica de potência os recursos de projeto necessários para implementar a família abrangente de transistores e retificadores de junção de SiC da GeneSiC na próxima geração de sistemas de potência.

As fichas técnicas do Gate Driver Board da GeneSiC e os modelos SJT SPICE podem ser baixados de https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/

Chaves SiC que oferecem perdas de condução mais baixas e capacidade superior de curto-circuito para circuitos de energia de alta frequência

Dulles, Virgínia., Out 28, 2014 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência anunciam hoje a disponibilidade imediata de uma família de 1700V de baixa resistência e 1200 Transistores de junção V SiC em pacotes TO-247. O uso de alta tensão, alta frequência, Transistores de junção de SiC com capacidade para alta temperatura e baixa resistência aumentarão a eficiência de conversão e reduzirão o tamanho / peso / volume das aplicações de eletrônica de potência que requerem tensões de barramento mais altas. Esses dispositivos são direcionados para uso em uma ampla variedade de aplicações, incluindo microgrids DC, Carregadores rápidos para veículos, servidor, DULLES, DULLES, inversores solares, Sistemas de energia eólica, e sistemas de controle de motor industrial.

Transistores de junção SiC (SJT) oferecido por GeneSiC exibem capacidade de comutação ultra-rápida (semelhante ao de SiC MOSFETs), DULLES (RBSOA), DULLES. DULLES, normalmente desligado, exibem coeficiente de temperatura positivo de resistência, e são capazes de ser dirigidos por controladores comerciais, ao contrário de outros switches SiC. As vantagens exclusivas do SJT em comparação com outras chaves SiC é sua maior confiabilidade de longo prazo, >10 capacidade de curto-circuito usec, e capacidade de avalanche superior

“Esses SJTs aprimorados oferecem ganhos de corrente muito maiores (>100), desempenho altamente estável e robusto em comparação com outros switches SiC. Os SJTs do GeneSiC oferecem perdas de condução extremamente baixas em correntes nominais como perdas superiores de desligamento em circuitos de energia. DULLES, Os produtos de transistor da GeneSiC ajudam os designers a obter uma solução mais robusta,” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.

1700 Transistor de junção V SiC lançado

• 25 DULLES (GA50JT17-247), 65 DULLES (DULLES), 220 DULLES (DULLES)
• Ganho Atual (h_FE) >90
• T_jmax = 175^oC
• Ligar / desligar; Tempos de subida/descida <30 nanossegundos típicos.

1200 Transistor de junção V SiC lançado

• 25 DULLES (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 DULLES (GA05JT12-247)
• Ganho Atual (h_FE) >90
• T_jmax = 175^oC
• Ligar / desligar; Tempos de subida/descida <30 nanossegundos típicos.

Todos os dispositivos são 100% Todos os dispositivos são, Todos os dispositivos são. Todos os dispositivos são.

Para maiores informações, visite https://192.168.88.14/comercial-sic / sic-junction-transistors /

O transistor e retificadores SiC da GeneSiC oferecem vantagens significativas para atingir os objetivos do Desafio de caixinha

Estado da arte. Transistores de potência de carboneto de silício & Retificadores. Disponível. Agora!

GeneSiC tem um amplo portfólio de produtos disponíveis agora em todo o mundo dos principais distribuidores

Bare Die Chip forma de dispositivos SiC disponíveis diretamente da fábrica (Por favor preencha o formulário abaixo)

Discreto SJTs e Retificadores em classificações de temperatura comercial (175° C)

Discreto HiT SJTareia Retificadores HiT em alta temperatura (até 250 ° C)

GeneSiC oferece a mais ampla variedade de produtos SiC - em produtos embalados, bem como no formato bare-die para permitir maior flexibilidade de design e inovação. GeneSiC está continuamente se esforçando para ficar à frente, introduzindo novos, produtos inovadores. Se você não encontrar o produto exato que está procurando hoje, você pode ver isso em um futuro próximo.

A promessa de alta temperatura em transistores de SiC realizada por meio de pacotes padrão da indústria compatíveis irá melhorar criticamente atuadores de fundo de poço e aeroespaciais e fontes de alimentação

Dulles, Virgínia., Dez 10, 2013 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência anuncia hoje a disponibilidade imediata através de seus distribuidores e diretamente uma família embalada em alta temperatura 600 DULLES (SJT) no 3-50 Amperes atuais nominais em JEDEC padrão da indústria através de orifícios e pacotes de montagem em superfície. Incorporando essas altas temperaturas, baixa resistência, Transistores de SiC de alta frequência em pacotes herméticos, soldas de alta temperatura e encapsulamento aumentarão a eficiência de conversão e reduzirão o tamanho / peso / volume das aplicações de conversão de energia em alta temperatura.

Fonte de alimentação contemporânea de alta temperatura, o controle do motor e os circuitos do atuador usados ​​em aplicações de óleo / gás / fundo de poço e aeroespaciais sofrem com a falta de disponibilidade de uma solução viável de carboneto de silício de alta temperatura. Os transistores de silício sofrem de baixa eficiência de circuito e tamanhos grandes porque sofrem com altas correntes de fuga e características de chaveamento baixas e pobres. Ambos os parâmetros tornam-se piores em temperaturas de junção mais altas. Com ambientes termicamente restritos, as temperaturas da junção aumentam facilmente, mesmo quando correntes modestas são passadas. Os transistores de SiC embalados hermeticamente oferecem características únicas que prometem revolucionar a capacidade de aplicações de fundo de poço e aeroespaciais. GeneSiC’s 650 Os transistores de junção V / 3-50 A SiC apresentam tempos de comutação próximos de zero que não mudam com a temperatura. o 210^oDispositivos com classificação de temperatura de junção C oferecem margens de temperatura relativamente grandes para aplicações que operam em ambientes extremos.

DULLES, DULLES (RBSOA), DULLES. DULLES, normalmente desligado, exibem coeficiente de temperatura positivo de resistência, DULLES, DULLES 15 DULLES, ao contrário de outros switches SiC. DULLES, Os transistores de junção SiC podem ser facilmente colocados em paralelo por causa de suas características transitórias correspondentes.

“À medida que os designers de aplicativos aeroespaciais e de fundo de poço continuam a empurrar os limites de frequência operacional, DULLES, eles precisam de switches SiC que podem oferecer um padrão de desempenho, confiabilidade e uniformidade de produção. DULLES, Os produtos SJT da GeneSiC ajudam os designers a conseguir tudo isso em uma solução mais robusta. Estes produtos complementam o retificador de SiC hermético lançado no ano passado pela GeneSiC, e os produtos de matriz simples lançados no início deste ano, enquanto pavimentamos o caminho para oferecermos alta temperatura, baixa indutância, módulos de energia em um futuro próximo ” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.

Isolado TO-257 com 600 Em SJTs:

• 65 mOhms / 20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhms / 8 Amp (2N7637-GA); e 425 mOhms / 4 Amp (2N7635-GA)
• T_jmax = 210^oC
• Ligar / desligar; Tempos de subida/descida <50 nanossegundos típicos.
• Matriz nua correspondente GA20JT06-CAL (em 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (em 2N7637-GA); e GA05JT06-CAL (em 2N7635-GA)

Pacote de protótipo TO-258 não isolado com 600 SJTs

• 25 mOhms / 50 Amp (Pacote de protótipo GA50JT06-258)
• T_jmax = 210^oC
• Ligar / desligar; Tempos de subida/descida <50 nanossegundos típicos.
• Matriz nua correspondente GA50JT06-CAL (em GA50JT06-258)

Montagem em superfície TO-276 (SMD0.5) com 600 SJTs

• 65 mOhms / 20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhms / 8 Amp (2N7638-GA); e 425 mOhms / 4 Amp (2N7636-GA)
• T_jmax = 210^oC
• Ligar / desligar; Tempos de subida/descida <50 nanossegundos típicos.

Todos os dispositivos são 100% testado para tensão/corrente total e alojado em pacotes herméticos. Suporte técnico e modelos de circuito SPICE são oferecidos. Os dispositivos estão imediatamente disponíveis na GeneSiC diretamente e / ou através de seus distribuidores autorizados.

Sobre GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos de tiristores, bem como produtos retificadores de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo velha, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. GeneSiC obteve vários contratos de pesquisa e desenvolvimento de agências do governo dos Estados Unidos, incluindo o ARPA-E, Departamento de Energia, Marinha, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, DARPA, DTRA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, bem como os principais contratantes do governo. Dentro 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de Tiristores SiC de ultra-alta tensão.

Para maiores informações, por favor visite https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt

Alta voltagem, Diodos SiC Schottky livres de recuperação reversa para habilitar de forma crítica os inversores solares e conjuntos de alta tensão, oferecendo recursos de montagem em superfície com o menor fator de forma

Dulles, Virgínia., Nov 19, 2013 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência anunciam hoje a disponibilidade imediata de uma família de SMB padrão da indústria (JEDEC DO-214AA) retificadores de SiC embalados no 650 - 3300 Gama V. Incorporando esses de alta tensão, livre de recuperação reversa, Diodos de SiC capazes de alta frequência e alta temperatura aumentarão a eficiência de conversão e reduzirão o tamanho / peso / volume de conjuntos multi-kV. Esses produtos são direcionados a inversores microssolares, bem como a circuitos multiplicadores de tensão usados ​​em uma ampla gama de raios-X, Fontes de alimentação de gerador de partículas e laser.

Os inversores microssolares contemporâneos e os circuitos multiplicadores de tensão podem sofrer de baixa eficiência de circuito e tamanhos grandes devido às correntes de recuperação reversa dos retificadores de silício. Em temperaturas mais altas de junção do retificador, esta situação se agrava porque a corrente de recuperação reversa em retificadores de silício aumenta com a temperatura. Com conjuntos de alta tensão com restrições térmicas, as temperaturas da junção aumentam facilmente, mesmo quando correntes modestas são passadas. Os retificadores de SiC de alta tensão oferecem características únicas que prometem revolucionar os inversores microssolares e os conjuntos de alta tensão. GeneSiC’s 650 V / 1 A; 1200 V / 2 A e 3300 Os retificadores Schottky V / 0,3 A apresentam corrente de recuperação reversa zero que não muda com a temperatura. o 3300 Dispositivos com classificação V oferecem tensão relativamente alta em um único dispositivo, permitindo uma redução nos estágios de multiplicação de tensão necessários em circuitos geradores de alta tensão típicos, através do uso de tensões de entrada CA mais altas. As características de chaveamento quase ideais permitem a eliminação / redução dramática de redes de balanceamento de tensão e circuitos de amortecimento. O SMB (DO-214AA) pacote sobremoldado apresenta fator de forma padrão da indústria para montagens de montagem em superfície.

“Essas ofertas de produtos vêm de anos de esforços de desenvolvimento sustentado na GeneSiC para oferecer dispositivos e pacotes atraentes. Acreditamos que o fator de forma SMB é um diferenciador chave para o mercado de Micro Inversores Solar e Multiplicadores de Tensão, e permitirá benefícios significativos para nossos clientes. VF baixo de GeneSiC, Retificadores Schottky SiC de baixa capacitância e pacotes SMB aprimorados possibilitam este produto inovador” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.

1200 Diodo V / 2 A SMB SiC Schottky (GB02SLT12-214) Destaques Técnicos

• VF típica = 1.5 V
• T_jmax = 175^oC
• Carga de recuperação reversa = 14 nC.

3300 Díodo Schottky V / 0,3 A SMB SiC (GAP3SLT33-214) Destaques Técnicos

• VF típica = 1.7 V
• T_jmax = 175^oC
• Carga de recuperação reversa = 52 nC.

650 Diodo V / 1 A SMB SiC Schottky (GB01SLT06-214) Destaques Técnicos

• VF típica = 1.5 V
• T_jmax = 175^oC
• Carga de recuperação reversa = 7 nC.

Todos os dispositivos são 100% Todos os dispositivos são, SMB compatível com RoHS (DO-214AA) pacotes. Suporte técnico e modelos de circuito SPICE são oferecidos. Todos os dispositivos são.

Sobre GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos de tiristores, bem como produtos retificadores de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo velha, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. GeneSiC obteve vários contratos de pesquisa e desenvolvimento de agências do governo dos Estados Unidos, incluindo o ARPA-E, Departamento de Energia, Marinha, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, DARPA, DTRA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, bem como os principais contratantes do governo. Dentro 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de Tiristores SiC de ultra-alta tensão.

Para maiores informações, visite https://192.168.88.14/index.php / sic-products / schottky

Conjuntos de alta tensão para se beneficiar desses retificadores de baixa capacitância, oferecendo correntes de recuperação reversa zero independentes de temperatura em pacotes isolados

Thief River Falls/Dulles, Virgínia., Posso 28, 2013 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência anunciam a disponibilidade imediata de 3300 Retificadores Schottky V/0,3 Ampere SiC – o GAP3SLT33-220FP. Este produto exclusivo representa o retificador de SiC de maior tensão do mercado, e é especificamente direcionado para circuitos multiplicadores de tensão e conjuntos de alta tensão usados ​​em uma ampla gama de raios-X, Fontes de alimentação de gerador de partículas e laser.

Os circuitos multiplicadores de tensão contemporâneos sofrem de baixa eficiência de circuito e tamanhos grandes porque as correntes de recuperação reversa dos retificadores de silício descarregam os capacitores conectados em paralelo. Em temperaturas mais altas de junção do retificador, esta situação se agrava porque a corrente de recuperação reversa em retificadores de silício aumenta com a temperatura. Com conjuntos de alta tensão com restrições térmicas, as temperaturas da junção aumentam facilmente, mesmo quando correntes modestas são passadas. Os retificadores SiC de alta tensão oferecem características únicas que prometem revolucionar os conjuntos de alta tensão. GeneSiC’s 3300 Os retificadores Schottky V / 0,3 A apresentam corrente de recuperação reversa zero que não muda com a temperatura. Esta tensão relativamente alta em um único dispositivo permite uma redução nos estágios de multiplicação de tensão necessários em circuitos geradores de alta tensão típicos, através do uso de tensões de entrada CA mais altas. As características de chaveamento quase ideais permitem a eliminação / redução dramática de redes de balanceamento de tensão e circuitos de amortecimento. O pacote isolado sobremoldado TO-220 Full Pack apresenta fator de forma padrão do setor com maior espaçamento de pinos em conjuntos de furos passantes.

“Esta oferta de produtos vem de anos de esforços sustentados na GeneSiC. Acreditamos que o 3300 A classificação V é um diferencial importante para o mercado de geradores de alta tensão, e permitirá benefícios significativos para nossos clientes. VF baixo de GeneSiC, Retificadores SiC Schottky de baixa capacitância permitem este produto inovador” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.

3300 Destaques Técnicos do Retificador de SiC V/0,3 A

• Queda no estado de 1.7 V em 0.3 UMA
• Coeficiente de temperatura positivo em VF
• T_jmax = 175^oC
• Carga capacitiva 52 nC (típica).

Todos os dispositivos são 100% Todos os dispositivos são, Padrão industrial compatível com RoHS TO-220FP (Pacote Completo) pacotes. Os dispositivos estão imediatamente disponíveis no Distribuidor Autorizado GeneSiC, Digikey.

Sobre GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos de tiristores, bem como produtos retificadores de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo velha, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. GeneSiC obteve vários contratos de pesquisa e desenvolvimento de agências do governo dos Estados Unidos, incluindo o ARPA-E, Departamento de Energia, Marinha, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, DARPA, DTRA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, bem como os principais contratantes do governo. Dentro 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de Tiristores SiC de ultra-alta tensão.

Para maiores informações, visite www.genesicsemi.com

Circuitos e montagens de alta tensão para se beneficiar dos chips SiC que oferecem classificações de tensão sem precedentes e comutação de velocidade ultra-alta

Dulles, Virgínia., Nov 7, 2013 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência anunciam a disponibilidade imediata de 8000 Retificadores V SiC PiN; 8000 Retificadores Schottky V SiC, 3300 V SiC Schottky Retificadores e 6500 Tiristores V SiC em formato de matriz nua. Esses produtos exclusivos representam os dispositivos SiC de maior tensão do mercado, e é especificamente voltado para instrumentação de petróleo e gás, circuitos multiplicadores de tensão e montagens de alta tensão.

Os circuitos contemporâneos de ultra-alta tensão sofrem de baixa eficiência de circuito e grandes tamanhos porque as correntes de recuperação reversa dos retificadores de silício descarregam os capacitores conectados em paralelo. Em temperaturas mais altas de junção do retificador, esta situação piora ainda mais, pois a corrente de recuperação reversa nos retificadores de silício aumenta com a temperatura. Com conjuntos de alta tensão com restrições térmicas, as temperaturas da junção aumentam facilmente, mesmo quando correntes modestas são passadas. Os retificadores SiC de alta tensão oferecem características únicas que prometem revolucionar os conjuntos de alta tensão. GeneSiC’s 8000 V e 3300 Os retificadores V Schottky apresentam corrente de recuperação reversa zero que não muda com a temperatura. Esta tensão relativamente alta em um único dispositivo permite uma redução nos estágios de multiplicação de tensão necessários em circuitos geradores de alta tensão típicos, através do uso de tensões de entrada CA mais altas. As características de chaveamento quase ideais permitem a eliminação / redução dramática de redes de balanceamento de tensão e circuitos de amortecimento. 8000 Os retificadores V PiN oferecem níveis de corrente mais altos e temperaturas operacionais mais altas. 6500 Chips V SiC Thyristor também estão disponíveis para acelerar R&D de novos sistemas.

“Esses produtos mostram a forte liderança da GeneSiC no desenvolvimento de chips SiC nas classificações multi-kV. Acreditamos que o 8000 A classificação V vai além do que os dispositivos de silício podem oferecer em temperaturas nominais, e permitirá benefícios significativos para nossos clientes. VF baixo de GeneSiC, Os retificadores e tiristores SiC de baixa capacitância permitirão benefícios no nível do sistema que antes não eram possíveis” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.

8000 V/2 A SiC Bare Die PiN Rectifier Destaques técnicos

• T_jmax = 210^oC
• Correntes de Fuga Reversas < 50 uA em 175^oC
• Taxa de Recuperação Reversa 558 nC (típica).

8000 Destaques técnicos do retificador Schottky V/50 mA SiC Bare Die

• Capacitância Total 25 pF (típica, no -1 V, 25^oC).
• Coeficiente de temperatura positivo em VF
• T_jmax = 175^oC

6500 V SiC Thyristor Bare Die Die Destaques técnicos

• Três ofertas - 80 Amperes (GA080TH65-CAU); 60 Amperes (GA060TH65-CAU); e 40 Amperes (GA040TH65-CAU)
• T_jmax = 200^oC

3300 Destaques técnicos do retificador de matriz nua V/0.3 A SiC

• Queda no estado de 1.7 V em 0.3 UMA
• Coeficiente de temperatura positivo em VF
• T_jmax = 175^oC
• Carga capacitiva 52 nC (típica).

Sobre GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos de tiristores, bem como produtos retificadores de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo velha, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. GeneSiC obteve vários contratos de pesquisa e desenvolvimento de agências do governo dos Estados Unidos, incluindo o ARPA-E, Departamento de Energia, Marinha, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, DARPA, DTRA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, bem como os principais contratantes do governo. Dentro 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de Tiristores SiC de ultra-alta tensão.

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