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Os módulos híbridos SiC Schottky Rectifier/Si IGBT da GeneSiC permitem operação a 175°C

DULLES, VA, Março 5, 2013 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) power semiconductors anuncia hoje a disponibilidade imediata de seus mini-módulos híbridos de segunda geração usando 1200 Retificadores Schottky V/100 Amperes SiC com IGBTs de silício robustos – o GB100XCP12-227. O ponto de preço de desempenho em que este produto está sendo lançado permite que muitas aplicações de conversão de energia se beneficiem da redução do custo/tamanho/peso/volume que nenhuma solução de IGBT de silício/Retificador de silício, nem um Módulo SiC puro pode oferecer. Esses dispositivos são direcionados para uso em uma ampla variedade de aplicações, incluindo motores industriais, inversores solares, equipamentos especializados e aplicações de rede elétrica.

Minimódulos SiC Schottky/Si IGBT (Co-pacotes) oferecidos pelo GeneSiC são feitos com Si IGBTs que exibem coeficiente de temperatura positivo de queda no estado, design robusto perfurado, operação em alta temperatura e características de comutação rápida que podem ser acionadas por, DULLES 15 DULLES. Os retificadores SiC usados ​​nesses módulos Co-pack permitem pacotes de indutância extremamente baixa, baixa queda de tensão no estado e sem recuperação reversa. O pacote SOT-227 oferece placa de base isolada, 12design de baixo perfil mm que pode ser usado de forma muito flexível como um elemento de circuito autônomo, configuração em paralelo de alta corrente, uma perna de fase (dois módulos), ou como elemento de circuito chopper.

“Ouvimos nossos principais clientes desde a oferta inicial deste produto quase 2 anos atrás. Esta segunda geração 1200 O produto V/100 A Co-pack tem um design de baixa indutância que é adequado para alta frequência, aplicações de alta temperatura. As baixas características de alta temperatura e recuperação reversa dos diodos de silício limitam criticamente o uso de IGBTs em temperaturas mais altas. VF baixo de GeneSiC, Os diodos SiC Schottky de baixa capacitância permitem este produto inovador” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.

1200 Destaques técnicos do retificador V/100 A Si IGBT/SiC

  • Queda no estado de 1.9 V em 100 UMA
  • Coeficiente de temperatura positivo em VF
  • Tjmax = 175 ° C
  • Perdas de energia de ativação 23 microJoules (típica).

Todos os dispositivos são 100% Todos os dispositivos são, Pacotes SOT-227 padrão da indústria em conformidade com RoHS. Todos os dispositivos são.

Sobre GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, carboneto de silício de alta potência e ultra-alta tensão (SiC) dispositivos, e fornecedor global de uma ampla gama de semicondutores de potência. Seu portfólio de dispositivos inclui retificador baseado em SiC, transistor, e produtos de tiristores, bem como produtos retificadores de silício. GeneSiC desenvolveu extensa propriedade intelectual e conhecimento técnico que abrange os mais recentes avanços em dispositivos de energia SiC, com produtos voltados para energias alternativas, automotivo, perfuração de petróleo velha, Controle motor, fonte de energia, transporte, e aplicações de fonte de alimentação ininterrupta. GeneSiC obteve vários contratos de pesquisa e desenvolvimento de agências do governo dos Estados Unidos, incluindo o ARPA-E, Departamento de Energia, Marinha, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, DARPA, DTRA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, bem como os principais contratantes do governo. Dentro 2011, a empresa ganhou o prestigioso R&Prêmio D100 pela comercialização de Tiristores SiC de ultra-alta tensão.

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GeneSiC apresenta transistores de junção de carboneto de silício

DULLES, VA, Fevereiro 25, 2013 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência anunciam hoje a disponibilidade imediata de uma família de 1700V e 1200 DULLES. Incorporando alta tensão, Transistores de junção de SiC capazes de alta frequência e alta temperatura aumentarão a eficiência de conversão e reduzirão o tamanho / peso / volume dos eletrônicos de potência. Esses dispositivos são direcionados para uso em uma ampla variedade de aplicativos, incluindo servidor, DULLES, DULLES, inversores solares, sistemas de controle de motor industrial, e aplicações de fundo de poço.

DULLES, DULLES (RBSOA), DULLES. DULLES, normalmente desligado, exibem coeficiente de temperatura positivo de resistência, DULLES, DULLES 15 DULLES, ao contrário de outros switches SiC. DULLES, Os transistores de junção podem ser facilmente colocados em paralelo por causa de suas características transitórias correspondentes.

“Conforme os projetistas do sistema de energia continuam a empurrar os limites da frequência operacional, DULLES, a necessidade de interruptores SiC que podem oferecer um padrão de desempenho e uniformidade de produção. DULLES, Os produtos de transistor da GeneSiC ajudam os designers a conseguir tudo isso em uma solução mais robusta,” disse o Dr.. Ranbir Singh , Presidente da GeneSiC Semiconductor.

1700 Destaques técnicos do transistor de junção V

  • Três ofertas - 110 DULLES (DULLES); 250 DULLES (GA08JT17-247); e 500 DULLES (DULLES)
  • Tjmax = 175 ° C
  • Ativar / desativar tempos de subida / queda <50 nanossegundos típicos.

1200 Destaques técnicos do transistor de junção V

  • Duas ofertas - 220 DULLES (GA06JT12-247); e 460 DULLES (GA03JT12-247)
  • Tjmax = 175 ° C
  • Ativar / desativar tempos de subida / queda <50 nanossegundos típicos

Todos os dispositivos são 100% Todos os dispositivos são, Todos os dispositivos são. Todos os dispositivos são.

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Nova Física permite que o tiristor alcance um nível mais alto

DULLES, VA, agosto 30, 2011 - Nova Física permite que os tiristores alcancem um nível mais alto

Uma rede elétrica fornece energia confiável com a ajuda de dispositivos eletrônicos que garantem, fluxo de energia confiável. Até agora, conjuntos à base de silício têm sido confiados, mas eles têm sido incapazes de lidar com os requisitos da rede inteligente. Materiais de banda larga, como carboneto de silício (SiC) oferecem uma alternativa melhor, pois são capazes de velocidades de comutação mais altas, uma tensão de ruptura mais alta, menores perdas de comutação, e uma temperatura de junção mais alta do que os interruptores tradicionais à base de silício. O primeiro dispositivo baseado em SiC a chegar ao mercado é o Tiristor de Carboneto de Silício de Ultra-alta voltagem (SiC Tiristor), desenvolvido por GeneSiC Semiconductor Inc., Dulles, Va., com o apoio do Sandia National Laboratories, Albuquerque, N.M., os EUA. Departamento de Energia / Eletricidade, e os EUA. Pesquisa de Exército / Armamento, Centro de Desenvolvimento e Engenharia, Picatinny Arsenal, N.J.

Os desenvolvedores adotaram uma física operacional diferente para este dispositivo, que opera no transporte de operadoras minoritárias e um terceiro retificador de terminal integrado, que é mais um do que outros dispositivos comerciais de SiC. Os desenvolvedores adotaram uma nova técnica de fabricação que suporta classificações acima 6,500 V, bem como um novo design de ânodo de porta para dispositivos de alta corrente. Capaz de funcionar em temperaturas de até 300 C e atual em 80 UMA, o SiC Tiristor oferece até 10 vezes maior voltagem, quatro vezes mais tensões de bloqueio, e 100 vezes mais rápido comutação de frequência do que tiristores baseados em silício.

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GeneSiC ganha o prestigioso R&Prêmio D100 para Dispositivos SiC em Aplicações de Energia Solar e Eólica conectadas à rede

DULLES, VA, Julho 14, 2011 — R&D Magazine selecionou GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA como destinatário do prestigioso 2011 R&D 100 Prêmio pela comercialização de dispositivos de Carboneto de Silício com classificações de alta tensão.

GeneSiC Semiconductor Inc, um inovador-chave nos dispositivos de energia baseados em carboneto de silício foi homenageado na semana passada com o anúncio de que foi premiado com o prestigioso 2011 R&D 100 Prêmio. Este prêmio reconhece GeneSiC por apresentar um dos mais importantes, avanços recentes de pesquisa e desenvolvimento entre várias disciplinas durante 2010. R&A D Magazine reconheceu o tiristor SiC de tensão ultra-alta da GeneSiC por sua capacidade de atingir tensões e frequências de bloqueio nunca utilizadas antes para demonstrações de eletrônica de potência. As classificações de tensão de >6.5kV, classificação atual no estado de 80 A e frequências operacionais de >5 kHz são muito mais elevados do que os anteriormente introduzidos no mercado. Essas capacidades alcançadas pelos tiristores do GeneSiC permitem que os pesquisadores de eletrônica de potência desenvolvam inversores ligados à rede, Flexível

Sistemas de transmissão AC (FATOS) e sistemas de alta tensão DC (HVDC). Isso permitirá novas invenções e desenvolvimento de produtos dentro da energia renovável, inversores solares, inversores de energia eólica, e indústrias de armazenamento de energia. Dr. Ranbir Singh, O presidente da GeneSiC Semiconductor comentou “Prevê-se que os mercados de grande escala em subestações elétricas de estado sólido e geradores de turbinas eólicas serão abertos depois que os pesquisadores na área de conversão de energia perceberem plenamente os benefícios dos tiristores de SiC. Estes tiristores de SiC de primeira geração utilizam a queda de tensão no estado mais baixa demonstrada e as resistências diferenciadas já alcançadas em tiristores de SiC. Pretendemos lançar futuras gerações de tiristores de SiC otimizados para capacidade de desligamento controlado por portão e capacidade de energia pulsada e >10classificações kV. À medida que continuamos a desenvolver soluções de embalagem de ultra-alta tensão para alta temperatura, os atuais tiristores de 6,5 kV são embalados em módulos com contatos totalmente soldados, limitado a temperaturas de junção 150oC. ” Como este produto foi lançado em outubro 2010, GeneSiC registrou pedidos de vários clientes para demonstração de hardware de eletrônica de potência avançada usando esses tiristores de carboneto de silício. GeneSiC continua a desenvolver sua família de produtos tiristores de carboneto de silício. O R&D na versão inicial para aplicativos de conversão de energia foram desenvolvidos através do apoio financeiro SBIR do Departamento dos EUA. de energia. Mais avancado, Tiristores de SiC otimizados para energia pulsada estão sendo desenvolvidos sob outro contrato SBIR com a ARDEC, Exército americano. Usando esses desenvolvimentos técnicos, investimento interno de GeneSiC e pedidos comerciais de vários clientes, GeneSiC foi capaz de oferecer esses tiristores UHV como produtos comerciais.

A 49ª competição anual de tecnologia promovida por R&A D Magazine avaliou entradas de várias empresas e participantes da indústria, organizações de pesquisa e universidades em todo o mundo. Os editores da revista e um painel de especialistas externos atuaram como juízes, avaliando cada entrada em termos de sua importância para o mundo da ciência e da pesquisa.

De acordo com R&D Magazine, ganhando um R&D 100 Prêmio fornece uma marca de excelência conhecida pela indústria, governo, e a academia como prova de que o produto é uma das ideias mais inovadoras do ano. Este prêmio reconhece GeneSiC como líder global na criação de produtos baseados em tecnologia que fazem a diferença em como trabalhamos e vivemos.

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC é um inovador emergente rápido na área de dispositivos de energia SiC e tem um forte compromisso com o desenvolvimento de Carbeto de Silício (SiC) dispositivos baseados em: (uma) Dispositivos HV-HF SiC para Rede Elétrica, Poder pulsado e armas de energia dirigida; e (b) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desenvolve Carboneto de Silício (SiC) dispositivos semicondutores baseados em alta temperatura, radiação, e aplicações de rede elétrica. Isso inclui o desenvolvimento de retificadores, FETs, dispositivos bipolares, bem como partículas & detectores fotônicos. GeneSiC tem acesso a um amplo conjunto de design de semicondutores, fabricação, instalações de caracterização e teste para tais dispositivos. GeneSiC capitaliza sua competência central em projeto de dispositivos e processos para desenvolver os melhores dispositivos SiC possíveis para seus clientes. A empresa distingue-se por fornecer produtos de alta qualidade e especificamente ajustados às necessidades de cada cliente. GeneSiC tem contratos principais/subcontratados das principais agências governamentais dos EUA, incluindo ARPA-E, Departamento de Energia dos EUA, Marinha, DARPA, Departamento de Segurança Interna, Departamento de Comércio e outros departamentos dentro do Departamento dos EUA. de Defesa. GeneSiC continua a aprimorar rapidamente a infraestrutura de equipamentos e pessoal em sua Dulles, Instalação da Virgínia. A empresa está contratando agressivamente pessoal com experiência na fabricação de dispositivos semicondutores compostos, testes de semicondutores e projetos de detectores. Informações adicionais sobre a empresa e seus produtos podem ser obtidas ligando para GeneSiC em 703-996-8200 ou visitandoDispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.

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GeneSiC Semiconductor Selecionado para Mostrar Tecnologia em 2011 Cúpula de inovação energética ARPA-E

DULLES, VA, Fevereiro 28, 2011 - GeneSiC Semiconductor tem o prazer de anunciar sua seleção para o prestigioso Technology Showcase no ARPA-E Energy Innovation Summit, co-hosted by the Department of Energy’s Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) and the Clean Technology and Sustainable Industries Organization (CTSI). Hundreds of top technologists and cutting-edge clean tech organizations competed to participate in the Showcase, a hallway of America’s most promising prospects for winning the future in energy.

As one of ARPA-E’s selected organizations, GeneSiC Semiconductor will exhibit its Silicon Carbide to nearly 2,000 national leaders gathering to drive long-term American competitiveness in the energy sector, including top researchers, investors, entrepreneurs, corporate executives and government officials. More than 200 groundbreaking technologies from ARPA-E awardees, corporations, National Labs and Department of Energy R&D programs will be featured at the event.

“This Summit brings together organizations that understand the need to collaborate and partner to bring the next generation of energy technologies to market,” said GeneSiC Semiconductor, Presidente, Dr. Ranbir Singh. “It’s a rare and exciting opportunity to have so many key players in the energy community together under one roof and we look forward to sharing our Silicon Carbide Power Devices with other innovators and investors at the Technology Showcase.”

Research and business development teams from 14 Corporate Acceleration Partners committed to technology commercialization will also be present including Dow, Bosch, Applied Materials and Lockheed Martin.

The Summit also features high-profile speakers including U.S. Energy Secretary Steven Chu, ARPA-E Director Arun Majumdar, NÓS. Navy Secretary Raymond Mabus, former California Governor Arnold Schwarzenegger and Bank of America Chairman Charles Holliday.

The second annual ARPA-E Energy Innovation Summit will take place February 28 – Março 2, 2011 at the Gaylord Convention Center just outside Washington, D.C. To learn more or to register please visit: www.ct-si.org/events/EnergyInnovation.

Sobre o GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor Inc. develops widebandgap semiconductor devices for high temperature, radiação, e aplicações de rede elétrica. Isso inclui o desenvolvimento de retificadores, power switches and bipolar devices. GeneSiC uses a unique and extensive suite of semiconductor design, fabricação, instalações de caracterização e teste para tais dispositivos. GeneSiC capitaliza sua competência central em projeto de dispositivos e processos para desenvolver os melhores dispositivos SiC possíveis para seus clientes. The company distinguishes itself by providing high quality products for a wide range of high volume markets. GeneSiC tem contratos principais/subcontratados das principais agências governamentais dos EUA, incluindo ARPA-E, Departamento de Energia dos EUA, Marinha, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, NASA, DARPA, Departamento de Segurança Interna, Departamento de Comércio e outros departamentos dentro do Departamento dos EUA. de Defesa.

About ARPA-E

The Advanced Research Projects Agency – Energy (ARPA-E) is a new agency within the U.S. Department of Energy – and the first to focus exclusively on breakthrough energy technologies that could radically change the way we use energy. Rather than performing research directly, ARPA-E invests in high-risk, high-reward energy technologies being developed by universities, startups, small businesses, and corporations. Our staff combines industry-leading scientists, engenheiros, and investment executives to identify promising solutions to the nation’s most critical energy problems and to fast-track top technologies towards the marketplace – which is critical to securing the nation’s global technology leadership and creating new American industries and jobs. Visita www.arpa-e.energy.govfor more information.

About CTSI

The Clean Technology & Sustainable Industries Organization (CTSI), a 501c6 non-profit industry association, represents the organizations developing, commercializing, and implementing energy, water, and environmental technologies. Clean technologies offer much needed solutions to growing resource security and sustainability concerns and are critical to maintaining economic competitiveness. CTSI brings together global leaders for advocacy, community development, networking, and information sharing to help bring these needed technologies to market more rapidly. Visita www.ct-si.org for more information.

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GeneSiC ganha projeto de gerenciamento de energia da NASA em apoio a futuras missões de exploração de Vênus

DULLES, VA, dezembro 14, 2010 - GeneSiC Semiconductor Inc., um inovador importante do romance carboneto de silício (SiC) dispositivos para alta temperatura, alto poder, e aplicações de ultra-alta tensão, announces selection of its project titled “Integrated SiC Super Junction Transistor-Diode Devices for high-power motor control modules operating at 500 oC” by the US National Aeronautics and Space Administration (NASA) for a Phase I SBIR award. This SBIR project is focused on the development of Monolithic Integrated SiC JBS diode-Super Junction Transistor (MIDSJT) devices for operation under Venus-like ambients (500 °C surface temperatures). The SiC MIDSJT devices developed in this program will be used to construct motor control power modules for direct integration with Venus exploration rovers.

“We are pleased with the confidence expressed by NASA in our high temperature SiC device solutions. This project will enable GeneSiC to develop industry-leading SiC-based power management technologies through its innovative device and packaging solutions” disse o Dr.. Siddarth Sundaresan, GeneSiC’s Director of Technology. “The SiC MIDSJT devices targeted in this program will allow Kilowatt-level power to be handled with digital precision at temperatures as high as 500 °C. In addition to outer space applications, this novel technology has the potential to revolutionize critical aerospace and geothermal oil drilling hardware requiring ambient temperatures in excess of 200 °C. These application areas are currently limited by the poor high-temperature performance of contemporary Silicon and even SiC based device technologies such as JFETs and MOSFETs” he added.

GeneSiC continua a aprimorar rapidamente a infraestrutura de equipamentos e pessoal em sua Dulles, Instalação da Virgínia. A empresa está contratando agressivamente pessoal com experiência na fabricação de dispositivos semicondutores compostos, testes de semicondutores e projetos de detectores. Informações adicionais sobre a empresa e seus produtos podem ser obtidas ligando para GeneSiC em 703-996-8200 ou visitando Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. desenvolve Carboneto de Silício (SiC) dispositivos semicondutores baseados em alta temperatura, radiação, e aplicações de rede elétrica. Isso inclui o desenvolvimento de retificadores, FETs, dispositivos bipolares, bem como partículas & detectores fotônicos. GeneSiC tem acesso a um amplo conjunto de design de semicondutores, fabricação, instalações de caracterização e teste para tais dispositivos. GeneSiC capitaliza sua competência central em projeto de dispositivos e processos para desenvolver os melhores dispositivos SiC possíveis para seus clientes. A empresa distingue-se por fornecer produtos de alta qualidade e especificamente ajustados às necessidades de cada cliente. GeneSiC tem contratos principais/subcontratados das principais agências governamentais dos EUA, incluindo ARPA-E, Departamento de Energia dos EUA, Marinha, DARPA, Departamento de Segurança Interna, Departamento de Comércio e outros departamentos dentro do Departamento dos EUA. de Defesa.

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Multi-kHz, Tiristores de carboneto de silício de ultra-alta voltagem amostrados para pesquisadores dos EUA

DULLES, VA, novembro 1, 2010 –Em uma oferta inédita, GeneSiC Semiconductor anuncia a disponibilidade de uma família de tiristores de carboneto de silício no modo SCR de 6,5 kV para uso em eletrônica de potência para aplicações de Smart Grid. Espera-se que as vantagens revolucionárias de desempenho desses dispositivos de energia estimulem as principais inovações em hardware de eletrônica de energia em escala de serviço público para aumentar a acessibilidade e a exploração de recursos de energia distribuída (DO). "Até agora, carboneto de silício multi-kV (SiC) dispositivos de energia não estavam abertamente disponíveis para pesquisadores dos EUA para explorar totalmente as vantagens bem conhecidas - ou seja, frequências de operação de 2-10 kHz em classificações de 5-15 kV - de dispositivos de energia baseados em SiC. ” comentou Dr. Ranbir Singh, Vá para os arquivos da categoria Notícias. “GeneSiC concluiu recentemente a entrega de muitos 6.5kV / 40A, 6.5Tiristores kV / 60A e 6,5kV / 80A para vários clientes que realizam pesquisas em energia renovável, Aplicativos de sistema de energia do Exército e Naval. Dispositivos SiC com essas classificações agora estão sendo oferecidos de forma mais ampla. ”

Tiristores baseados em carboneto de silício oferecem voltagem 10X mais alta, 100Frequências de comutação X mais rápidas e operação em temperatura mais alta em comparação com tiristores convencionais à base de silício. As oportunidades de pesquisa de aplicações direcionadas para esses dispositivos incluem conversão de energia de média tensão de propósito geral (MVDC), Inversores solares ligados à rede, inversores de energia eólica, poder pulsado, sistemas de armas, controle de ignição, e controle de gatilho. Vá para os arquivos da categoria Notícias (>10kV) Vá para os arquivos da categoria Notícias (SiC) Vá para os arquivos da categoria Notícias. Vá para os arquivos da categoria Notícias >5 Vá para os arquivos da categoria Notícias, Vá para os arquivos da categoria Notícias, Vá para os arquivos da categoria Notícias, Compensadores VAR estáticos e Compensadores Série. Vá para os arquivos da categoria Notícias. Vá para os arquivos da categoria Notícias 25-30 Vá para os arquivos da categoria Notícias.

Dr. Singh continua “Prevê-se que os mercados de grande escala em subestações elétricas de estado sólido e geradores de turbinas eólicas serão abertos após os pesquisadores na área de conversão de energia perceberem plenamente os benefícios dos tiristores de SiC. Estes tiristores de SiC de primeira geração utilizam a queda de tensão no estado mais baixa demonstrada e as resistências diferenciadas já alcançadas em tiristores de SiC. Pretendemos lançar futuras gerações de tiristores SiC otimizados para capacidade de desligamento controlado por portão e >10classificações kV. À medida que continuamos a desenvolver soluções de embalagem de ultra-alta tensão para alta temperatura, os atuais tiristores de 6,5 kV são embalados em módulos com contatos totalmente soldados, limitado a temperaturas de junção 150oC. ” GeneSiC é um inovador emergente rápido na área de dispositivos de energia de SiC e tem um forte compromisso com o desenvolvimento de carboneto de silício (SiC) dispositivos baseados em: (uma) Dispositivos HV-HF SiC para Rede Elétrica, Poder pulsado e armas de energia dirigida; e (b) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.

Localizado perto de Washington, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo (SiC) dispositivos. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo (SJT) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Marinha, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, DARPA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, fabricação, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, por favor visite Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.

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GeneSiC ganha US $ 2,53 milhões da ARPA-E para o desenvolvimento de dispositivos baseados em tiristores de carboneto de silício

DULLES, VA, setembro 28, 2010 - Agência de Projetos de Pesquisa Avançada - Energia (ARPA-E) entrou em um Acordo Cooperativo com a equipe liderada pela GeneSiC Semiconductor para o desenvolvimento do novo carboneto de silício de ultra alta tensão (SiC) Dispositivos baseados em tiristor. Espera-se que esses dispositivos sejam os principais capacitadores para a integração de usinas de energia eólica e solar em grande escala na rede inteligente de próxima geração.

“Este prêmio altamente competitivo para GeneSiC nos permitirá estender nossa posição de liderança técnica na tecnologia de carboneto de silício multi-kV, bem como nosso compromisso com soluções de energia alternativa em escala de rede com soluções de estado sólido,”Comentou o Dr.. Ranbir Singh, Vá para os arquivos da categoria Notícias. “Tiristores de SiC Multi-kV que estamos desenvolvendo são a principal tecnologia de capacitação para a realização de Sistemas Flexíveis de Transmissão AC (FATOS) elementos e alta tensão DC (HVDC) arquiteturas previstas para uma integração, eficiente, Smart Grid do futuro. Os tiristores baseados em SiC da GeneSiC oferecem voltagem 10X mais alta, 100Frequências de comutação X mais rápidas e operação em temperatura mais alta em soluções de processamento de energia FACTS e HVDC em comparação com tiristores convencionais à base de silício. ”

Em abril 2010, GeneSiC respondeu ao Agile Delivery of Electrical Power Technology (ADEPT) solicitação da ARPA-E que buscou investir em materiais para avanços fundamentais em comutadores de alta tensão que têm o potencial de superar o desempenho do conversor de energia existente, oferecendo reduções de custo. A proposta da empresa intitulada "Tiristor comutado de anodo de carboneto de silício para conversão de energia de média tensão" foi selecionada para fornecer um, Estado sólido, conversão de energia de média tensão para aplicações de alta potência, como subestações elétricas de estado sólido e geradores de turbinas eólicas. Vá para os arquivos da categoria Notícias 25-30 Vá para os arquivos da categoria Notícias. As inovações selecionadas foram para apoiar e promover os EUA. negócios por meio de liderança tecnológica, por meio de um processo altamente competitivo.

O carboneto de silício é um material semicondutor de próxima geração com propriedades muito superiores ao silício convencional, como a capacidade de lidar com dez vezes a tensão - e cem vezes a corrente - em temperaturas tão altas quanto 300ºC. Essas características o tornam ideal para aplicações de alta potência, como veículos híbridos e elétricos, energia renovável (eólica e solar) instalações, e sistemas de controle de rede elétrica.

Vá para os arquivos da categoria Notícias (>10kV) Vá para os arquivos da categoria Notícias (SiC) Vá para os arquivos da categoria Notícias. Vá para os arquivos da categoria Notícias >5 Vá para os arquivos da categoria Notícias, Vá para os arquivos da categoria Notícias, Vá para os arquivos da categoria Notícias, Compensadores VAR estáticos e compensadores de série. Vá para os arquivos da categoria Notícias. Outras aplicações e vantagens promissoras para esses dispositivos incluem:

  • Sistemas de gerenciamento de energia e condicionamento de energia para conversão de média tensão DC buscada sob a Capacidade Naval do Futuro (FNC) da Marinha dos EUA, Sistemas de lançamento eletromagnético, sistemas de armas de alta energia e imagens médicas. A capacidade de frequência operacional 10-100X mais alta permite melhorias sem precedentes no tamanho, peso, volume e finalmente, custo de tais sistemas.
  • Uma variedade de armazenamento de energia, aplicações físicas de alta temperatura e alta energia. As aplicações de armazenamento de energia e rede elétrica estão recebendo cada vez mais atenção à medida que o mundo se concentra em soluções de gerenciamento de energia mais eficientes e econômicas.

GeneSiC é um inovador emergente rápido na área de dispositivos de energia SiC e tem um forte compromisso com o desenvolvimento de Carbeto de Silício (SiC) dispositivos baseados em: (uma) Dispositivos HV-HF SiC para Rede Elétrica, Poder pulsado e armas de energia dirigida; e (b) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.

“Emergimos como líderes em tecnologia de SiC de ultra-alta tensão, alavancando nossa competência principal em design de dispositivos e processos com um amplo conjunto de fabricação, caracterização, e instalações de teste,”Conclui o Dr.. Singh. “A posição do GeneSiC agora foi efetivamente validada pelo US DOE com este significativo prêmio subsequente.”

Sobre o GeneSiC Semiconductor

Estrategicamente localizado perto de Washington, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo (SiC) dispositivos. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo (SJT) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Marinha, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, DARPA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, fabricação, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, por favor visiteDispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.

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Redes de impulso de energia renovável GeneSiC Semiconductor US $ 1,5 milhão do Departamento de Energia dos EUA

DULLES, VA, novembro 12, 2008 – O Departamento de Energia dos EUA concedeu à GeneSiC Semiconductor duas doações separadas, totalizando US $ 1,5 milhão para o desenvolvimento de carboneto de silício de alta tensão (SiC) dispositivos que servirão como facilitadores-chave para o vento- e integração de energia solar com a rede elétrica do país.

“Esses prêmios demonstram a confiança do DOE nas capacidades do GeneSiC, bem como seu compromisso com soluções de energia alternativa,”Observa o Dr.. Ranbir Singh, presidente da GeneSiC. "Um Integrado, rede de energia eficiente é crítica para o futuro energético da nação - e os dispositivos SiC que estamos desenvolvendo são essenciais para superar as ineficiências das tecnologias convencionais de silício. ”

O primeiro prêmio é um subsídio SBIR de Fase II de US $ 750.000 para o desenvolvimento de, dispositivos bipolares SiC de ultra-alta voltagem. O segundo é um subsídio STTR de Fase II de US $ 750.000 para o desenvolvimento de switches SiC de alta potência com controle óptico.

O carboneto de silício é um material semicondutor de próxima geração com a capacidade de lidar com 10x a voltagem e 100x a corrente do silício, tornando-o idealmente adequado para aplicações de alta potência, como energia renovável (eólica e solar) instalações e sistemas de controle de rede elétrica.

Especificamente, os dois prêmios são para:

  • Desenvolvimento de alta frequência, Multi-kilovolt SiC gate-off-off (GTO) dispositivos de energia. Aplicações governamentais e comerciais incluem gerenciamento de energia e sistemas de condicionamento para navios, a indústria de utilidades, e imagens médicas.
  • Projeto e fabricação de alta tensão opticamente fechada, dispositivos de comutação SiC de alta potência. Usar fibra óptica para alternar energia é uma solução ideal para ambientes atormentados por interferência eletromagnética (EMI), e aplicações que requerem voltagens ultra-altas.

Os dispositivos SiC que GeneSiC está desenvolvendo servem a uma variedade de armazenamento de energia, malha energética, e aplicações militares, que estão recebendo atenção cada vez maior à medida que o mundo se concentra em soluções de gerenciamento de energia mais eficientes e econômicas.

Sediada fora de Washington, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo (SiC) dispositivos. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, transistores de efeito de campo (FETs) e dispositivos bipolares, bem como partícula & detectores fotônicos. GeneSiC tem contratos principais / subcontratados das principais agências do governo dos EUA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Marinha, DARPA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, fabricação, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, por favor visite Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.