Półprzewodnik dzisiaj
Październik 28, 2014 – Ulepszono premiery GeneSiC, tranzystory złączowe SiC o niższej rezystancji włączenia 1700 V i 1200 V
Aktualności Power Electronics Europe
Sep 5, 2013 – Wspomniano, że SJT firmy GeneSiC oferują niższe ogólne straty niż inne przełączniki SiC
Driving SiC Switches – from Compound Semiconductor Magazine (Pg 41)
lipiec 29, 2013 – SJTs offer IGBT-driver compatible operation
Compound Semiconductor Magazine (Pg 33)
Marsz, 2012 – SiC Electronics: Exploiting High Temperature Promises
Systemy zasilania Bodo (Pg 44)
Luty, 2012 – Silicon Carbide Thyristors usher in the Smart Grid Revolution
