noty aplikacyjne:
AN-10A Sterujące tranzystory złączowe SiC (SJT) z gotowymi do użycia krzemowymi sterownikami bramek IGBT: Koncepcja napędu jednopoziomowego
Może 2013 AN-10A Sterujące tranzystory złączowe SiC (SJT) z gotowymi do użycia krzemowymi sterownikami bramek IGBT: Koncepcja napędu jednopoziomowego
AN-10B Sterujące tranzystory złączowe SiC (SJT): Koncepcja napędu dwupoziomowego
Czerwiec 2013 AN-10B Sterujące tranzystory złączowe SiC (SJT): Koncepcja napędu dwupoziomowego
Tablica rozdzielcza z podwójnym impulsem
Sep 2014 Tablica rozdzielcza z podwójnym impulsem
Karta sterownika bramki dużej mocy
Sep 2014 Karta sterownika bramki dużej mocy
Płytka sterownika bramki małej mocy
Sep 2014 Płytka sterownika bramki małej mocy
Artykuły techniczne:
1200 Klasa V 4H-SiC “Super” Tranzystory złączowe z bieżącymi zyskami 88 i ultraszybkie przełączanie
wrzesień, 20111200 Klasa V 4H-SiC “Super” Tranzystory złączowe z bieżącymi zyskami 88 i ultraszybkie przełączanie
1200 Tranzystory V SiC „Super” Junction pracujące przy 250 °C przy wyjątkowo niskich stratach energii do zastosowań związanych z konwersją energii
Listopad, 2011 1200 Tranzystory V SiC „Super” Junction pracujące przy 250 °C przy wyjątkowo niskich stratach energii do zastosowań związanych z konwersją energii
Wykorzystywanie obietnicy wysokiej temperatury SiC
luty, 2012 Wykorzystywanie obietnicy wysokiej temperatury SiC
Węglik krzemu “Super” Tranzystory złączowe działające w temperaturze 500°C
kwiecień, 2012 Węglik krzemu “Super” Tranzystory złączowe działające w temperaturze 500°C
Stabilność charakterystyk elektrycznych tranzystorów SiC „Super” Junction w długotrwałej pracy DC i impulsowej w różnych temperaturach
Może, 2012 Stabilność charakterystyk elektrycznych tranzystorów SiC „Super” Junction w długotrwałej pracy DC i impulsowej w różnych temperaturach
