noty aplikacyjne:
Przepraszam, nie znaleziono żadnych postów.
Artykuły techniczne:
Zestawy hybrydowe Si-IGBT/SiC Rectifier i prostowniki SiC JBS
wrzesień, 2011 Zestawy hybrydowe Si-IGBT/SiC Rectifier i prostowniki SiC JBS
12.9 Diody kV SiC PiN z niskimi spadkami w stanie załączenia i wysoką żywotnością nośników
wrzesień, 2011 12.9 Diody kV SiC PiN z niskimi spadkami w stanie załączenia i wysoką żywotnością nośników
1200 V Prostowniki Schottky'ego SiC zoptymalizowane pod kątem ≥ 250 °C praca z najniższą w swojej klasie pojemnością złącza
lipiec, 2012 1200 V Prostowniki Schottky'ego SiC zoptymalizowane pod kątem ≥ 250 °C praca z najniższą w swojej klasie pojemnością złącza
15 Diody kV SiC PiN osiągają 95% granicy lawinowej i stabilnej długotrwałej pracy
Zniszczyć, 2013 15 Diody kV SiC PiN osiągają 95% granicy lawinowej i stabilnej długotrwałej pracy
