GeneSiC Semiconductor Inc, kluczowy innowator w urządzeniach zasilających opartych na węgliku krzemu został uhonorowany w zeszłym tygodniu ogłoszeniem, że otrzymał prestiżową 2011 r&re 100 Nagroda. Ta nagroda jest uznaniem dla GeneSiC za wprowadzenie jednego z najważniejszych, nowo wprowadzone postępy w dziedzinie badań i rozwoju w wielu dyscyplinach w trakcie 2010. r&Magazyn D docenił ultra-wysokonapięciowy tyrystor SiC firmy GeneSiC za jego zdolność do osiągania blokujących napięć i częstotliwości, których nigdy wcześniej nie wykorzystywano w demonstracjach energoelektroniki. Wartości napięcia >6.5kV, aktualna ocena w stanie włączenia 80 A i częstotliwości robocze >5 kHz są znacznie wyższe niż te wcześniej wprowadzone na rynku. Te możliwości osiągnięte przez tyrystory GeneSiC krytycznie umożliwiają badaczom energoelektroniki opracowywanie inwerterów podłączonych do sieci, Elastyczne
Systemy transmisji prądu przemiennego (FAKTY) i wysokonapięciowe systemy DC (HVDC). Pozwoli to na nowe wynalazki i rozwój produktów w ramach energii odnawialnej, falowniki słoneczne, falowniki wiatrowe,, i sektorach magazynowania energii. dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor skomentował: „Oczekuje się, że rynki na dużą skalę półprzewodnikowych podstacji elektrycznych i generatorów turbin wiatrowych otworzą się po tym, jak naukowcy zajmujący się konwersją mocy w pełni zdadzą sobie sprawę z zalet tyrystorów SiC. Te tyrystory SiC pierwszej generacji wykorzystują najniższy zademonstrowany spadek napięcia w stanie i rezystancję różnicową, jaką kiedykolwiek osiągnięto w tyrystorach SiC. Zamierzamy wypuścić przyszłe generacje tyrystorów SiC zoptymalizowanych pod kątem możliwości wyłączania sterowanego bramką i możliwości zasilania impulsowego oraz >10Oceny kV. Ponieważ nadal opracowujemy rozwiązania w zakresie pakowania w wysokich temperaturach i ultrawysokich napięciach, obecne tyrystory 6,5 kV są pakowane w moduły z całkowicie lutowanymi stykami, ograniczone do temperatur złącza 150oC. ” Ponieważ ten produkt został wprowadzony na rynek w październiku 2010, GeneSiC zarezerwował zamówienia od wielu klientów na demonstrację zaawansowanego sprzętu energoelektronicznego wykorzystującego tyrystory z węglika krzemu. GeneSiC kontynuuje rozwój swojej rodziny produktów tyrystorowych z węglika krzemu. R&D we wczesnej wersji do zastosowań związanych z konwersją mocy zostały opracowane dzięki wsparciu finansowemu SBIR z Departamentu USA. energii. Bardziej zaawansowany, Tyrystory SiC zoptymalizowane pod kątem mocy impulsowej są opracowywane w ramach innego kontraktu SBIR z ARDEC, Armia Stanów Zjednoczonych. Korzystanie z tych osiągnięć technicznych, inwestycje wewnętrzne od GeneSiC i zamówienia komercyjne od wielu klientów, Firma GeneSiC była w stanie zaoferować te tyrystory UHV jako produkty komercyjne.
49. coroczny konkurs technologiczny prowadzony przez R.&Magazyn D oceniał wpisy różnych firm i graczy branżowych, organizacje badawcze i uniwersytety na całym świecie. Sędziami byli redaktorzy magazynu i panel ekspertów zewnętrznych, ocena każdego wpisu pod kątem jego znaczenia dla świata nauki i badań.
Według R.&Magazyn D., zdobywając R&re 100 Nagroda jest znakiem doskonałości znanym w branży, rząd, i środowiska akademickiego jako dowód na to, że produkt jest jednym z najbardziej innowacyjnych pomysłów roku. Ta nagroda jest uznaniem GeneSiC jako światowego lidera w tworzeniu produktów opartych na technologii, które zmieniają sposób, w jaki pracujemy i żyjemy.
Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.
GeneSiC jest szybko wschodzącym innowatorem w dziedzinie urządzeń zasilających SiC i jest silnie zaangażowany w rozwój węglika krzemu (SiC) oparte na urządzeniach do: (a) Urządzenia HV-HF SiC dla sieci energetycznej, Broń impulsowa i broń skierowana energia; i (b) Wysokotemperaturowe urządzenia zasilające SiC do siłowników lotniczych i poszukiwania ropy naftowej. GeneSiC Semiconductor Inc. rozwija węglik krzemu (SiC) oparte na urządzeniach półprzewodnikowych do wysokich temperatur, promieniowanie, i zastosowania w sieciach energetycznych. Obejmuje to rozwój prostowników, FET, urządzenia bipolarne, a także cząstki & detektory fotoniczne. GeneSiC ma dostęp do obszernego pakietu projektów półprzewodników, produkcja, zaplecze do charakteryzacji i testowania takich urządzeń. GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w projektowaniu urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów. Firma wyróżnia się dostarczaniem wysokiej jakości produktów, które są specjalnie dostosowane do wymagań każdego klienta. GeneSiC ma umowy typu prime/sub-contract od głównych agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii USA, Marynarka wojenna, DARPA, Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, Departament Handlu i inne departamenty Departamentu USA. Obrony. GeneSiC nadal szybko ulepsza infrastrukturę sprzętową i kadrową w firmie Dulles, Obiekt w Wirginii. Firma agresywnie zatrudnia personel doświadczony w produkcji złożonych urządzeń półprzewodnikowych, testowanie półprzewodników i projekty detektorów,. Dodatkowe informacje o firmie i jej produktach można uzyskać dzwoniąc do GeneSiC pod numer 703-996-8200 lub odwiedzającwww.genesicsemi.com.
