Wysłany dnia

5Diody SiC Schottky MPS ™ generacji 650V zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność

Gen5 650V SiC Schottky MPS™

ĆWICZENIA, VA, Może 28, 2021 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca węglika krzemu (SiC) półprzewodnikowe urządzenia mocy,, ogłasza dostępność piątej generacji (Seria GE***) Prostowniki SiC Schottky MPS™, które wyznaczają nowy punkt odniesienia dzięki doskonałemu wskaźnikowi ceny do wydajności, wiodąca w branży odporność na prąd udarowy i odporność lawinową, i wysokiej jakości produkcja.

„GeneSiC był jednym z pierwszych producentów SiC, który komercyjnie dostarczył prostowniki Schottky SiC w 2011. Po ponad dekadzie dostarczania w branży wysokowydajnych i wysokiej jakości prostowników SiC, z radością wypuszczamy naszą 5. generację SiC Schottky MPS™ (Połączone-PiN-Schottky) diody, które oferują wiodącą w branży wydajność we wszystkich aspektach, aby spełnić cele wysokiej wydajności i gęstości mocy w zastosowaniach, takich jak zasilacze serwerowe/telekomunikacyjne i ładowarki akumulatorów. Rewolucyjna funkcja, która sprawia, że ​​nasza 5. generacja (Seria GE***) Diody SiC Schottky MPS™ wyróżniają się na tle swoich konkurentów niskim wbudowanym napięciem (znany również jako napięcie kolanowe);umożliwia najniższe straty przewodzenia diody we wszystkich warunkach obciążenia – kluczowe w zastosowaniach wymagających wysokiej wydajności zużycia energii. W przeciwieństwie do innych konkurencyjnych diod SiC, również zaprojektowanych tak, aby zapewniały charakterystykę dolnego kolana, dodatkową cechą naszych projektów diod Gen5 jest to, że nadal utrzymują wysoki poziom lawiny (UIL) wytrzymałość, której nasi klienci oczekują od GeneSiC Gen3 (Seria GC***) i Gen4 (Seria GD***) SiC Schottky MPS ™” powiedział Dr. Siddarth Sundaresan, Wiceprezes ds. Technologii w GeneSiC Semiconductor.

funkcje –

  • Niskie napięcie wbudowane – Najniższe straty przewodzenia we wszystkich warunkach obciążenia
  • Najwyższa Postać Zasługi – Kontrola jakości x VF
  • Optymalna wydajność cenowa
  • Zwiększona zdolność do prądu udarowego
  • 100% Lawina (UIL) Przetestowany
  • Niska rezystancja termiczna do pracy w chłodniejszej .
  • Zerowe odzyskiwanie do przodu i do tyłu
  • Szybkie przełączanie niezależne od temperatury
  • Dodatni współczynnik temperaturowy VF

Aplikacje –

  • Zwiększenie diody w korekcji współczynnika mocy (PFC)
  • Zasilacze serwerowe i telekomunikacyjne
  • Falowniki słoneczne
  • Zasilacze bezprzerwowe (UPS)
  • Ładowarki do akumulatorów
  • Wolnobieg / Dioda przeciwrównoległa w falownikach

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

Wszystkie urządzenia można kupić u autoryzowanych dystrybutorów – www.genesicsemi.com/sales-support

Arkusz danych i inne zasoby, odwiedzić – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ lub skontaktuj się sales@genesicsemi.com

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC Semiconductor jest pionierem i światowym liderem w technologii węglika krzemu, jednocześnie inwestując w technologie krzemowe dużej mocy. Wiodący światowi producenci systemów przemysłowych i obronnych polegają na technologii GeneSiC, aby podnieść wydajność i efektywność swoich produktów. Elektroniczne komponenty GeneSiC działają chłodniej, szybciej, i bardziej ekonomicznie, i odgrywają kluczową rolę w oszczędzaniu energii w szerokiej gamie systemów dużej mocy. Posiadamy wiodące patenty na technologie urządzeń zasilających o szerokiej przerwie energetycznej; rynek, który według prognoz osiągnie ponad $1 miliardów 2022. Naszą podstawową kompetencją jest dodawanie większej wartości naszym klientom’ produkt końcowy. Nasze wskaźniki wydajności i kosztów wyznaczają standardy w branży węglika krzemu.

Wysłany dnia

GeneSiC zdobywa prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 dla monolitycznego tranzystora-prostownika na bazie SiC

ĆWICZENIA, VA, grudzień 5, 2019 — r&Magazyn D wybrał firmę GeneSiC Semiconductor Inc.. z Dulles, VA jako odbiorca prestiżowego 2019 r&re 100 Nagroda za opracowanie monolitycznego przełącznika tranzystorowo-prostowniczego opartego na SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc, kluczowy innowator w urządzeniach zasilających opartych na węgliku krzemu został uhonorowany ogłoszeniem, że otrzymał prestiżową 2019 r&re 100 Nagroda. Ta nagroda jest uznaniem dla GeneSiC za wprowadzenie jednego z najważniejszych, nowo wprowadzone postępy w dziedzinie badań i rozwoju w wielu dyscyplinach w trakcie 2018. r&Magazyn D docenił technologię zasilaczy SiC średniego napięcia firmy GeneSiC za jej zdolność do monolitycznej integracji MOSFET i prostownika Schottky'ego w jednym układzie scalonym. Te możliwości osiągnięte przez urządzenie GeneSiC w decydujący sposób umożliwiają naukowcom zajmującym się elektroniką mocy opracowywanie układów energoelektronicznych nowej generacji, takich jak falowniki i przetwornice DC-DC. Umożliwi to rozwój produktów w pojazdach elektrycznych, infrastruktura ładowania, branża energii odnawialnej i magazynowania energii. GeneSiC zamówił zamówienia od wielu klientów w celu demonstracji zaawansowanego sprzętu energoelektronicznego wykorzystującego te urządzenia i kontynuuje rozwój swojej rodziny produktów MOSFET z węglika krzemu. R&D we wczesnej wersji aplikacji do konwersji mocy zostały opracowane przez Departament USA. energii i współpraca z Sandia National Laboratories.

Coroczny konkurs technologiczny prowadzony przez R.&Magazyn D oceniał wpisy różnych firm i graczy branżowych, organizacje badawcze i uniwersytety na całym świecie. Sędziami byli redaktorzy magazynu i panel ekspertów zewnętrznych, ocena każdego wpisu pod kątem jego znaczenia dla świata nauki i badań.

Według R.&Magazyn D., zdobywając R&re 100 Nagroda jest znakiem doskonałości znanym w branży, rząd, i środowiska akademickiego jako dowód na to, że produkt jest jednym z najbardziej innowacyjnych pomysłów roku. Ta nagroda jest uznaniem GeneSiC jako światowego lidera w tworzeniu produktów opartych na technologii, które zmieniają sposób, w jaki pracujemy i żyjemy.

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC jest szybko wschodzącym innowatorem w dziedzinie urządzeń zasilających SiC i jest silnie zaangażowany w rozwój węglika krzemu (SiC) oparte na urządzeniach do: (a) Urządzenia HV-HF SiC dla sieci energetycznej, Broń impulsowa i broń skierowana energia; i (b) Wysokotemperaturowe urządzenia zasilające SiC do siłowników lotniczych i poszukiwania ropy naftowej. GeneSiC Semiconductor Inc. rozwija węglik krzemu (SiC) oparte na urządzeniach półprzewodnikowych do wysokich temperatur, promieniowanie, i zastosowania w sieciach energetycznych. Obejmuje to rozwój prostowników, FET, urządzenia bipolarne, a także cząstki & detektory fotoniczne. GeneSiC ma dostęp do obszernego pakietu projektów półprzewodników, produkcja, zaplecze do charakteryzacji i testowania takich urządzeń. GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w projektowaniu urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów. Firma wyróżnia się dostarczaniem wysokiej jakości produktów, które są specjalnie dostosowane do wymagań każdego klienta. GeneSiC ma umowy typu prime/sub-contract od głównych agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii USA, Marynarka wojenna, DARPA, Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, Departament Handlu i inne departamenty Departamentu USA. Obrony. GeneSiC nadal szybko ulepsza infrastrukturę sprzętową i kadrową w firmie Dulles, Obiekt w Wirginii. Firma agresywnie zatrudnia personel doświadczony w produkcji złożonych urządzeń półprzewodnikowych, testowanie półprzewodników i projekty detektorów,. Dodatkowe informacje o firmie i jej produktach można uzyskać dzwoniąc do GeneSiC pod numer 703-996-8200 lub odwiedzającwww.genesicsemi.com.

Wysłany dnia

Wysoki prąd 650V, 1200Diody V i 1700V SiC Schottky MPS ™ w pakiecie mini-moduł SOT-227

ĆWICZENIA, VA, Może 11, 2019 — GeneSiC staje się liderem na rynku urządzeń wysokoprądowych (100 A i 200 ZA) Diody Schottky'ego SiC w minimodule SOT-227

GeneSiC wprowadził GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 i GC2X100MPS06-227; diody Schottky'ego SiC o najwyższym w branży prądzie znamionowym 650 V i 1700 V, dodanie do istniejącej oferty minimodułów 1200V SiC z diodami Schottky'ego – GB2X50MPS12-227 i GB2X100MPS12-227. Te diody SiC zastępują ultraszybkie diody odzyskiwania na bazie krzemu, umożliwiając inżynierom budowanie obwodów przełączających o większej wydajności i wyższej gęstości mocy. Oczekuje się, że aplikacje będą obejmować szybkie ładowarki do pojazdów elektrycznych, napędy silnikowe, zasilacze transportowe, zasilacze rektyfikacyjne dużej mocy i zasilacze przemysłowe,.

Oprócz izolowanej płyty bazowej pakietu mini-modułu SOT-227, te nowo uwolnione diody charakteryzują się niskim spadkiem napięcia przewodzenia, zerowe odzyskiwanie do przodu, zero odzysku wstecznego, niska pojemność złącza i są przystosowane do maksymalnej temperatury pracy 175°C. Technologia diody Schottky'ego SiC trzeciej generacji firmy GeneSiC zapewnia wiodącą w branży odporność lawinową i prąd udarowy (Ifsm) krzepkość, w połączeniu z wysokiej jakości 6-calową produkcją zakwalifikowaną do przemysłu motoryzacyjnego i zaawansowaną technologią montażu dyskretnego o wysokiej niezawodności.

Te diody SiC są kompatybilnymi pinami bezpośrednimi zamiennikami innych diod dostępnych w SOT-227 (mini-moduł) pakiet. Korzystając z ich niższych strat mocy (chłodniejsza praca) i możliwość przełączania wysokiej częstotliwości, projektanci mogą teraz osiągnąć większą wydajność konwersji i większą gęstość mocy w projektach.

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC jest szybko wschodzącym innowatorem w dziedzinie urządzeń zasilających SiC i jest silnie zaangażowany w rozwój węglika krzemu (SiC) oparte na urządzeniach do: (a) Urządzenia HV-HF SiC dla sieci energetycznej, Broń impulsowa i broń skierowana energia; i (b) Wysokotemperaturowe urządzenia zasilające SiC do siłowników lotniczych i poszukiwania ropy naftowej. GeneSiC Semiconductor Inc. rozwija węglik krzemu (SiC) oparte na urządzeniach półprzewodnikowych do wysokich temperatur, promieniowanie, i zastosowania w sieciach energetycznych. Obejmuje to rozwój prostowników, FET, urządzenia bipolarne, a także cząstki & detektory fotoniczne. GeneSiC ma dostęp do obszernego pakietu projektów półprzewodników, produkcja, zaplecze do charakteryzacji i testowania takich urządzeń. GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w projektowaniu urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów. Firma wyróżnia się dostarczaniem wysokiej jakości produktów, które są specjalnie dostosowane do wymagań każdego klienta. GeneSiC ma umowy typu prime/sub-contract od głównych agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii USA, Marynarka wojenna, DARPA, Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, Departament Handlu i inne departamenty Departamentu USA. Obrony. GeneSiC nadal szybko ulepsza infrastrukturę sprzętową i kadrową w firmie Dulles, Obiekt w Wirginii. Firma agresywnie zatrudnia personel doświadczony w produkcji złożonych urządzeń półprzewodnikowych, testowanie półprzewodników i projekty detektorów,. Dodatkowe informacje o firmie i jej produktach można uzyskać dzwoniąc do GeneSiC pod numer 703-996-8200 lub odwiedzającwww.genesicsemi.com.

Wysłany dnia

GeneSiC wypuszcza na rynek najlepiej działający w branży MPS 1700V SiC Schottky™ diody

ĆWICZENIA, VA, styczeń 7, 2019 — GeneSiC wypuszcza kompleksowe portfolio swoich diod 1700V SiC Schottky MPS™ trzeciej generacji w obudowie TO-247-2

GeneSiC wprowadził GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 i GB50MPS17-247; najbardziej wydajne w branży diody SiC 1700 V dostępne w popularnym zestawie przewlekanym TO-247-2. Te diody SiC 1700 V zastępują ultraszybkie diody odzyskiwania na bazie krzemu i inne starej generacji 1700 V SiC JBS, umożliwiając inżynierom budowanie obwodów przełączających o większej wydajności i wyższej gęstości mocy. Oczekuje się, że aplikacje będą obejmować szybkie ładowarki do pojazdów elektrycznych, napędy silnikowe, zasilacze transportowe i energia odnawialna.

GB50MPS17-247 to dioda scalona PiN-Schottky'ego 1700V 50A SiC, dyskretna dioda mocy SiC o najwyższym prądzie znamionowym w branży. Te nowo uwolnione diody charakteryzują się niskim spadkiem napięcia przewodzenia, zerowe odzyskiwanie do przodu, zero odzysku wstecznego, niska pojemność złącza i są przystosowane do maksymalnej temperatury pracy 175°C. Technologia diody Schottky'ego SiC trzeciej generacji firmy GeneSiC zapewnia wiodącą w branży odporność lawinową i prąd udarowy (Ifsm) krzepkość, w połączeniu z wysokiej jakości 6-calową odlewnią motoryzacyjną i zaawansowaną, wysoce niezawodną technologią montażu dyskretnego.

Te diody SiC są kompatybilnymi pinami bezpośrednimi zamiennikami innych diod dostępnych w pakiecie TO-247-2. Korzystając z ich niższych strat mocy (chłodniejsza praca) i możliwość przełączania wysokiej częstotliwości, projektanci mogą teraz osiągnąć większą wydajność konwersji i większą gęstość mocy w projektach.

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC jest szybko wschodzącym innowatorem w dziedzinie urządzeń zasilających SiC i jest silnie zaangażowany w rozwój węglika krzemu (SiC) oparte na urządzeniach do: (a) Urządzenia HV-HF SiC dla sieci energetycznej, Broń impulsowa i broń skierowana energia; i (b) Wysokotemperaturowe urządzenia zasilające SiC do siłowników lotniczych i poszukiwania ropy naftowej. GeneSiC Semiconductor Inc. rozwija węglik krzemu (SiC) oparte na urządzeniach półprzewodnikowych do wysokich temperatur, promieniowanie, i zastosowania w sieciach energetycznych. Obejmuje to rozwój prostowników, FET, urządzenia bipolarne, a także cząstki & detektory fotoniczne. GeneSiC ma dostęp do obszernego pakietu projektów półprzewodników, produkcja, zaplecze do charakteryzacji i testowania takich urządzeń. GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w projektowaniu urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów. Firma wyróżnia się dostarczaniem wysokiej jakości produktów, które są specjalnie dostosowane do wymagań każdego klienta. GeneSiC ma umowy typu prime/sub-contract od głównych agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii USA, Marynarka wojenna, DARPA, Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, Departament Handlu i inne departamenty Departamentu USA. Obrony. GeneSiC nadal szybko ulepsza infrastrukturę sprzętową i kadrową w firmie Dulles, Obiekt w Wirginii. Firma agresywnie zatrudnia personel doświadczony w produkcji złożonych urządzeń półprzewodnikowych, testowanie półprzewodników i projekty detektorów,. Dodatkowe informacje o firmie i jej produktach można uzyskać dzwoniąc do GeneSiC pod numer 703-996-8200 lub odwiedzającwww.genesicsemi.com.