Wysłany dnia

Wiodące w branży tranzystory MOSFET 6,5 kV SiC firmy GeneSiC – awangarda nowej fali zastosowań

6.5MOSFETy kV SiC

ĆWICZENIA, VA, Październik 20, 2020 — GeneSiC wypuszcza na rynek tranzystory MOSFET z węglika krzemu 6,5 kV, które są liderem w zapewnianiu niespotykanych dotąd poziomów wydajności, wydajność i niezawodność w zastosowaniach związanych z konwersją mocy średniego napięcia, takich jak trakcja, energia pulsacyjna i infrastruktura inteligentnych sieci.

GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodniki mocy, dzisiaj ogłasza natychmiastową dostępność gołych układów scalonych 6,5 kV SiC MOSFET - G2R300MT65-CAL i G2R325MS65-CAL. Wkrótce zostaną wydane pełne moduły SiC wykorzystujące tę technologię. Oczekuje się, że aplikacje będą obejmować trakcję, moc pulsacyjna, infrastruktura sieci inteligentnych i inne przetwornice średniego napięcia.

G2R300MT65-CAL - G2R ™ SiC MOSFET 6,5kV 300mΩ

G2R325MS65-CAL - MOSFET G2R ™ SiC 6,5 kV 325 mΩ (z Integrated-Schottky) Bare Chip

G2R100MT65-CAL - G2R ™ SiC MOSFET 6,5kV 100mΩ

Innowacja GeneSiC obejmuje podwójnie implantowany półprzewodnik z tlenku metalu SiC (DMOSFET) konstrukcja urządzenia z barierą połączeniową schottky (JBS) prostownik zintegrowany z ogniwem elementarnym SiC DMOSFET. To najnowocześniejsze urządzenie zasilające może być używane w różnych obwodach konwersji mocy w następnej generacji systemów przetwarzania energii. Inne istotne zalety to bardziej wydajne działanie dwukierunkowe, niezależne od temperatury przełączanie, niskie straty przełączania i przewodzenia, mniejsze wymagania dotyczące chłodzenia, doskonała długoterminowa niezawodność, łatwość łączenia urządzeń równolegle i korzyści finansowe. Technologia GeneSiC zapewnia doskonałą wydajność, a także może zmniejszyć ślad netto materiału SiC w przetwornicach mocy.

“Tranzystory MOSFET SiC 6,5 kV firmy GeneSiC zostały zaprojektowane i wykonane na 6-calowych płytkach w celu uzyskania niskiej rezystancji w stanie włączenia, najwyższa jakość, i doskonały wskaźnik ceny do wydajności. Ta technologia MOSFET nowej generacji zapewnia wzorową wydajność, doskonała wytrzymałość i długoterminowa niezawodność w zastosowaniach związanych z konwersją mocy średniego napięcia.” powiedziany dr. Siddarth Sundaresan, Wiceprezes ds. Technologii w GeneSiC Semiconductor.

Funkcje technologii MOSFET 6,5 kV G2R ™ SiC firmy GeneSiC –

  • Duża lawina (UIS) i odporność na zwarcia
  • Superior Qsol x RDS(NA) wartość zasługi
  • Niezależne od temperatury straty przełączania
  • Niskie pojemności i niski ładunek bramki
  • Niskie straty we wszystkich temperaturach
  • Stabilna praca przy normalnym wyłączeniu do 175 ° C
  • +20 V / -5 Napęd do bramy V.

Arkusz danych i inne zasoby, odwiedzić – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip lub skontaktuj się sales@genesicsemi.com

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC Semiconductor jest pionierem i światowym liderem w technologii węglika krzemu, jednocześnie inwestując w technologie krzemowe dużej mocy. Wiodący światowi producenci systemów przemysłowych i obronnych polegają na technologii GeneSiC, aby podnieść wydajność i efektywność swoich produktów. Elektroniczne komponenty GeneSiC działają chłodniej, szybciej, i bardziej ekonomicznie, i odgrywają kluczową rolę w oszczędzaniu energii w szerokiej gamie systemów dużej mocy. Posiadamy wiodące patenty na technologie urządzeń zasilających o szerokiej przerwie energetycznej; rynek, który według prognoz osiągnie ponad $1 miliardów 2022. Naszą podstawową kompetencją jest dodawanie większej wartości naszym klientom’ produkt końcowy. Nasze wskaźniki wydajności i kosztów wyznaczają standardy w branży węglika krzemu.

Wysłany dnia

GeneSiC wygrywa 2,53 mln USD od ARPA-E na rozwój urządzeń opartych na tyrystorach z węglika krzemu

ĆWICZENIA, VA, wrzesień 28, 2010 - Agencja Zaawansowanych Projektów Badawczych - Energia (ARPA-E) zawarła umowę o współpracy z zespołem kierowanym przez GeneSiC Semiconductor w celu opracowania nowatorskiego ultrawysokiego napięcia węglika krzemu (SiC) Urządzenia oparte na tyrystorach. Oczekuje się, że urządzenia te będą kluczowymi czynnikami umożliwiającymi integrację wielkoskalowych elektrowni wiatrowych i słonecznych z inteligentną siecią nowej generacji.

„Ta wysoce konkurencyjna nagroda dla GeneSiC pozwoli nam umocnić naszą pozycję lidera technicznego w technologii multi-kV Silicon Carbide, a także nasze zaangażowanie w alternatywne rozwiązania energetyczne w skali sieci z rozwiązaniami półprzewodnikowymi,”Skomentował dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC. „Tworzone przez nas tyrystory Multi-kV SiC są kluczową technologią umożliwiającą realizację elastycznych systemów transmisji AC (FAKTY) elementów i wysokiego napięcia DC (HVDC) architektury przewidziane w kierunku zintegrowanego, wydajny, Inteligentna sieć przyszłości. Tyrystory na bazie SiC firmy GeneSiC oferują 10-krotnie wyższe napięcie, 100X szybsze częstotliwości przełączania i praca w wyższych temperaturach w rozwiązaniach przetwarzania mocy FACTS i HVDC w porównaniu z konwencjonalnymi tyrystorami na bazie krzemu. ”

W kwietniu 2010, GeneSiC odpowiedziała na Agile Delivery of Electrical Power Technology (ADEPT) pozyskanie ze strony ARPA-E, która starała się zainwestować w materiały do ​​fundamentalnych postępów w przełącznikach wysokiego napięcia, które mogą przeskoczyć istniejącą wydajność przekształtnika mocy, oferując jednocześnie obniżenie kosztów. Propozycja firmy zatytułowana „Tyrystor z przełączaną anodą z węglika krzemu do konwersji mocy średniego napięcia” została wybrana, aby zapewnić lekką, stan stały, konwersja energii średniego napięcia do zastosowań o dużej mocy, takich jak półprzewodnikowe podstacje elektryczne i generatory turbin wiatrowych. Wdrożenie tych zaawansowanych technologii półprzewodników mocy może zapewnić aż 25-30 procentowe zmniejszenie zużycia energii elektrycznej poprzez zwiększenie sprawności dostarczania energii elektrycznej. Wybrane innowacje miały wspierać i promować USA. firmom dzięki przywództwu technologicznemu, poprzez wysoce konkurencyjny proces.

Węglik krzemu to półprzewodnikowy materiał nowej generacji o znacznie lepszych właściwościach niż konwencjonalny krzem, na przykład zdolność wytrzymywania napięcia dziesięciokrotnie wyższego - i stokrotnie wyższego od natężenia prądu - w temperaturach dochodzących do 300ºC. Te cechy sprawiają, że idealnie nadaje się do zastosowań wymagających dużej mocy, takich jak pojazdy hybrydowe i elektryczne, energia odnawialna (wiatr i słońce) instalacje, i systemy sterowania siecią elektryczną.

Obecnie dobrze wiadomo, że bardzo wysokie napięcie (>10kV) Węglik krzemu (SiC) technologia urządzeń odegra rewolucyjną rolę w sieci energetycznej nowej generacji. Tyrystorowe urządzenia SiC oferują najwyższą wydajność w stanie włączenia dla >5 Urządzenia kV, i są szeroko stosowane w obwodach konwersji mocy średniego napięcia, takich jak ograniczniki prądu uszkodzeniowego, Przetwornice AC-DC, Statyczne kompensatory VAR i kompensatory szeregowe. Tyrystory oparte na SiC oferują również największą szansę na wczesne zastosowanie ze względu na ich podobieństwo do konwencjonalnych elementów sieci energetycznej. Inne obiecujące zastosowania i zalety tych urządzeń obejmują:

  • Systemy zarządzania i kondycjonowania mocy do konwersji średniego napięcia DC poszukiwane w ramach Future Naval Capability (FNC) US Navy, Elektromagnetyczne systemy wyrzutni, systemy broni wysokoenergetycznej i obrazowanie medyczne. Możliwość zwiększenia częstotliwości roboczej 10-100x pozwala na bezprecedensową poprawę wielkości, waga, objętość i ostatecznie, koszt takich systemów.
  • Różnorodne magazynowanie energii, zastosowania w fizyce wysokich temperatur i wysokich energii. Zastosowania magazynowania energii i sieci energetycznej zyskują coraz większą uwagę, ponieważ świat koncentruje się na bardziej wydajnych i opłacalnych rozwiązaniach w zakresie zarządzania energią.

GeneSiC jest szybko wschodzącym innowatorem w dziedzinie urządzeń zasilających SiC i jest silnie zaangażowany w rozwój węglika krzemu (SiC) oparte na urządzeniach do: (a) Urządzenia HV-HF SiC dla sieci energetycznej, Broń impulsowa i broń skierowana energia; i (b) Wysokotemperaturowe urządzenia zasilające SiC do siłowników lotniczych i poszukiwania ropy naftowej.

“Staliśmy się liderem w dziedzinie technologii SiC ultra wysokiego napięcia, wykorzystując nasze podstawowe kompetencje w projektowaniu urządzeń i procesów, oferując szeroki wachlarz produktów, charakteryzacja, i obiekty testowe,”Podsumowuje dr. Singh. „Stanowisko GeneSiC zostało teraz skutecznie potwierdzone przez Departament Środowiska Stanów Zjednoczonych dzięki tej znaczącej dalszej nagrody”.

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC

Strategicznie zlokalizowany w pobliżu Waszyngtonu, DC w Dulles, Wirginia, GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i bardzo wysokim napięciu (SiC) urządzenia. Aktualne projekty rozwojowe obejmują prostowniki wysokotemperaturowe, Tranzystory SuperJunction (SJT) i szeroka gama urządzeń opartych na tyrystorach. GeneSiC ma lub miał umowy typu prime/subcontracts z głównymi agencjami rządu USA, w tym Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego. Firma przeżywa obecnie znaczny wzrost, oraz zatrudnienie wykwalifikowanego personelu w zakresie projektowania urządzeń zasilających i detektorów,, produkcja, i testowanie. By dowiedzieć się więcej, Proszę odwiedźwww.genesicsemi.com.