Wysłany dnia

MOSFET G3R™ 750V SiC oferują niezrównaną wydajność i niezawodność Re

750MOSFET V G3R SiC

ĆWICZENIA, VA, Czerwiec 04, 2021 — Nowa generacja tranzystorów MOSFET 750V G3R™SiC firmy GeneSiC zapewni niespotykany dotąd poziom wydajności, solidność i jakość, która przewyższa jej odpowiedniki. Korzyści systemowe obejmują niskie spadki stanu włączenia w temperaturach roboczych, szybsze przełączanie prędkości, zwiększona gęstość mocy, minimalne dzwonienie (niski EMI) i kompaktowy rozmiar systemu. GeneSiC G3R™, oferowane w zoptymalizowanych dyskretnych pakietach o niskiej indukcyjności (SMD i otwór przelotowy), są zoptymalizowane do pracy z najniższymi stratami mocy we wszystkich warunkach pracy i ultraszybkimi prędkościami przełączania switching. Urządzenia te mają znacznie lepsze poziomy wydajności w porównaniu do współczesnych tranzystorów MOSFET SiC.

750MOSFET V G3R SiC

„Wysokosprawne zużycie energii stało się kluczowym elementem w konwerterach mocy nowej generacji, a urządzenia zasilające SiC nadal są kluczowymi komponentami napędzającymi tę rewolucję. Po latach prac rozwojowych nad osiągnięciem najniższej rezystancji w stanie włączenia oraz solidnej wydajności zwarciowej i lawinowej, cieszymy się, że możemy wypuścić na rynek najlepiej działające w branży tranzystory MOSFET 750 V SiC. Nasz G3R™ umożliwia projektantom energoelektroniki sprostanie wymagającej wydajności, Gęstość mocy i cele jakościowe w zastosowaniach takich jak falowniki słoneczne, Ładowarki pokładowe EV i zasilacze serwerowe/telekomunikacyjne. Pewna jakość, wspierane przez szybką realizację i produkcję wielkoseryjną zakwalifikowaną do przemysłu motoryzacyjnego, jeszcze bardziej zwiększa ich propozycję wartości. ” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.

funkcje –

  • Najniższa opłata za bramkę w branży (Qsol) i wewnętrzna rezystancja bramy (RG(WEWN))
  • Najniższa RDS(NA) zmiana wraz z temperaturą
  • Niska pojemność wyjściowa (CNAS) i miler pojemności (CGD)
  • 100% lawina (UIL) testowany podczas produkcji
  • Wiodąca w branży odporność na zwarcia
  • Szybka i niezawodna dioda w korpusie o niskim VF i niskie QRR
  • Wysokie i stabilne napięcie progowe bramki (VTH) we wszystkich warunkach temperaturowych i drenażu drenażu
  • Zaawansowana technologia pakowania dla niższej odporności termicznej i niższego dzwonienia
  • Jednorodność wytwarzania RDS(NA), VTH i napięcie przebicia (BV)
  • Kompleksowe portfolio produktów i bezpieczniejszy łańcuch dostaw z produkcją wielkoseryjną zakwalifikowaną do przemysłu motoryzacyjnego

Aplikacje –

  • Słoneczny (PV) Falowniki
  • EV / Ładowarki pokładowe HEV
  • serwer & Zasilacze telekomunikacyjne
  • Zasilacze bezprzerwowe (UPS)
  • Przetwornice DC-DC
  • Zasilacze impulsowe (SMPS)
  • Magazynowanie energii i ładowanie baterii Battery
  • Ogrzewanie indukcyjne

Wszystkie tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC Semiconductor są przeznaczone do zastosowań motoryzacyjnych (AEC-q101) i obsługuje PPAP.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&handluj SiC MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&handluj SiC MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&handluj SiC MOSFET

Arkusz danych i inne zasoby, odwiedzić – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ lub skontaktuj się sales@genesicsemi.com

Wszystkie urządzenia można kupić u autoryzowanych dystrybutorów – www.genesicsemi.com/sales-support

Elektronika Digi-Key

Farnell element14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC Semiconductor jest pionierem i światowym liderem w technologii węglika krzemu, jednocześnie inwestując w technologie krzemowe dużej mocy. Wiodący światowi producenci systemów przemysłowych i obronnych polegają na technologii GeneSiC, aby podnieść wydajność i efektywność swoich produktów. Elektroniczne komponenty GeneSiC działają chłodniej, szybciej, i bardziej ekonomicznie, i odgrywają kluczową rolę w oszczędzaniu energii w szerokiej gamie systemów dużej mocy. Posiadamy wiodące patenty na technologie urządzeń zasilających o szerokiej przerwie energetycznej; rynek, który według prognoz osiągnie ponad $1 miliardów 2022. Naszą podstawową kompetencją jest dodawanie większej wartości naszym klientom’ produkt końcowy. Nasze wskaźniki wydajności i kosztów wyznaczają standardy w branży węglika krzemu.

Wysłany dnia

Nowe tranzystory MOSFET SiC trzeciej generacji firmy GeneSiC, charakteryzujące się najlepszymi w branży zaletami

ĆWICZENIA, VA, Luty 12, 2020 — MOSFET GeneSiC Semiconductor nowej generacji 1200 V G3R ™ SiC z RDS(NA) poziomy od 20 mΩ do 350 mΩ zapewniają niespotykane dotąd poziomy wydajności, solidność i jakość, która przewyższa jej odpowiedniki. Zalety systemu obejmują wyższą wydajność, szybsza częstotliwość przełączania, zwiększona gęstość mocy, zmniejszone dzwonienie (EMI) i kompaktowy rozmiar systemu.

GeneSiC ogłasza dostępność swoich wiodących w branży tranzystorów MOSFET z węglika krzemu trzeciej generacji, które charakteryzują się wiodącą w branży wydajnością, solidność i jakość do wykorzystania nigdy wcześniej nie widzianych poziomów wydajności i niezawodności systemu w zastosowaniach motoryzacyjnych i przemysłowych.

Te tranzystory MOSFET SiC G3R ™, oferowane w zoptymalizowanych dyskretnych pakietach o niskiej indukcyjności (SMD i otwór przelotowy), są wysoce zoptymalizowane pod kątem projektów systemów zasilania wymagających podwyższonych poziomów wydajności i ultraszybkich prędkości przełączania. Urządzenia te mają znacznie lepsze poziomy wydajności w porównaniu z konkurencyjnymi produktami. Pewna jakość, wspierane przez szybkie zmiany w produkcji wielkoseryjnej dodatkowo zwiększają ich propozycję wartości.

„Po latach prac rozwojowych nad osiągnięciem najniższej rezystancji w stanie włączenia i zwiększonej wydajności zwarciowej, z niecierpliwością czekamy na wprowadzenie najlepszych w branży tranzystorów MOSFET 1200 V SiC 15+ produkty dyskretne i bez chipa. Jeśli systemy energoelektroniczne nowej generacji mają sprostać wymagającej wydajności, gęstość mocy i cele jakościowe w zastosowaniach takich jak motoryzacja, przemysłowy, energia odnawialna, transport, IT i telekomunikacja, wymagają wtedy znacznie lepszej wydajności i niezawodności urządzenia w porównaniu z obecnie dostępnymi tranzystorami SiC MOSFET” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.

funkcje –

  • Superior Qsol x RDS(NA) zasługa – Tranzystory G3R ™ SiC MOSFET charakteryzują się najniższą w branży rezystancją w stanie włączenia przy bardzo niskim ładunku bramki, w wyniku do 20% lepszy wynik finansowy niż jakiekolwiek inne podobne urządzenie konkurencji
  • Niskie straty przewodzenia we wszystkich temperaturach – Tranzystory MOSFET firmy GeneSiC charakteryzują się najłagodniejszą zależnością rezystancji w stanie stanu od temperatury, co zapewnia bardzo niskie straty przewodzenia we wszystkich temperaturach; znacznie lepsze niż jakikolwiek inny kanałowy i planarny MOSFET SiC na rynku
  • 100 % testowany lawinowo – Solidne możliwości UIL są krytycznym wymaganiem w większości zastosowań terenowych. Dyskretny MOSFET SiC 1200 V firmy GeneSiC to 100 % lawina (UIL) testowany podczas produkcji
  • Niski ładunek bramki i niski wewnętrzny opór bramki – Te parametry są krytyczne dla uzyskania ultraszybkiego przełączania i osiągnięcia najwyższej wydajności (niski Eon -Eoff) w szerokim zakresie częstotliwości przełączania aplikacji
  • Stabilna praca przy normalnym wyłączeniu do 175 ° C – Wszystkie tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC są projektowane i wytwarzane przy użyciu najnowocześniejszych procesów, aby dostarczać produkty, które są stabilne i niezawodne we wszystkich warunkach pracy bez ryzyka awarii. Doskonała jakość tlenków bramek tych urządzeń zapobiega powstawaniu jakichkolwiek progów (VTH) dryf
  • Niskie pojemności urządzenia – G3R ™ są zaprojektowane do szybszej i bardziej wydajnej jazdy dzięki niskim pojemnościom urządzeń - Ciss, Coss and Crss
  • Szybka i niezawodna dioda korpusowa o niskim ładunku wewnętrznym – Tranzystory MOSFET firmy GeneSiC charakteryzują się wzorcowym niskim obciążeniem zwrotnym (QRR) we wszystkich temperaturach; 30% lepsze niż inne podobnie oceniane urządzenie konkurencji. Zapewnia to dalsze zmniejszenie strat mocy i zwiększenie częstotliwości roboczych
  • Łatwość użycia – Tranzystory MOSFET SiC G3R ™ są przeznaczone do zasilania napięciem + 15 V. / -5Napęd do bramy V.. Zapewnia to największą kompatybilność z istniejącymi komercyjnymi sterownikami bramek IGBT i SiC MOSFET

Aplikacje –

  • Pojazd elektryczny – Układ napędowy i ładowanie
  • Falownik słoneczny i magazyn energii
  • Przemysłowy napęd silnikowy
  • Nieprzerwana dostawa energii (UPS)
  • Zasilacz impulsowy (SMPS)
  • Dwukierunkowe przetwornice DC-DC
  • Inteligentna sieć i HVDC
  • Nagrzewanie i spawanie indukcyjne
  • Aplikacja zasilania impulsowego

Wszystkie urządzenia można kupić u autoryzowanych dystrybutorów – www.genesicsemi.com/sales-support

Elektronika Digi-Key

Farnell element14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Arkusz danych i inne zasoby, odwiedzić – www.genesicsemi.com/sic-mosfet lub skontaktuj się sales@genesicsemi.com

Wszystkie tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC Semiconductor są przeznaczone do zastosowań motoryzacyjnych (AEC-q101) i obsługuje PPAP. Wszystkie urządzenia są oferowane w standardzie przemysłowym D2PAK, Pakiety TO-247 i SOT-227.

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC Semiconductor jest pionierem i światowym liderem w technologii węglika krzemu, jednocześnie inwestując w technologie krzemowe dużej mocy. Wiodący światowi producenci systemów przemysłowych i obronnych polegają na technologii GeneSiC, aby podnieść wydajność i efektywność swoich produktów. Elektroniczne komponenty GeneSiC działają chłodniej, szybciej, i bardziej ekonomicznie, i odgrywają kluczową rolę w oszczędzaniu energii w szerokiej gamie systemów dużej mocy. Posiadamy wiodące patenty na technologie urządzeń zasilających o szerokiej przerwie energetycznej; rynek, który według prognoz osiągnie ponad $1 miliardów 2022. Naszą podstawową kompetencją jest dodawanie większej wartości naszym klientom’ produkt końcowy. Nasze wskaźniki wydajności i kosztów wyznaczają standardy w branży węglika krzemu.

Wysłany dnia

Tranzystory MOSFET SiC 3300V i 1700V 1000mΩ firmy GeneSiC rewolucjonizują miniaturyzację dodatkowych zasilaczy

ĆWICZENIA, VA, grudzień 4, 2020 — GeneSiC ogłasza dostępność wiodących w branży dyskretnych tranzystorów MOSFET SiC 3300 V i 1700 V, które są zoptymalizowane pod kątem uzyskania niezrównanej miniaturyzacji, niezawodność i oszczędność energii w przemyśle.

GeneSiC Semiconductor, pionier i globalny dostawca wszechstronnego portfolio węglika krzemu (SiC) półprzewodniki mocy, dziś ogłasza natychmiastową dostępność tranzystorów MOSFET SiC 3300 V i 1700 V nowej generacji - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, i G2R1000MT33J. Te tranzystory SiC MOSFET zapewniają najwyższy poziom wydajności, na podstawie flagowych wartości zasługi (FoM) które usprawniają i upraszczają systemy zasilania w magazynach energii, energia odnawialna, silniki przemysłowe, falowniki ogólnego przeznaczenia i oświetlenie przemysłowe. Wydane produkty są:

G2R1000MT33J - 3300V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET

G2R1000MT17D - 1700 V 1000 mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G2R1000MT17J - MOSFET 1700V 1000mΩ TO-263-7 SiC

G3R450MT17D - 1700 V 450 mΩ TO-247-3 SiC MOSFET

G3R450MT17J - MOSFET 1700V 450mΩ TO-263-7 SiC

Nowe tranzystory MOSFET SiC 3300V i 1700V firmy GeneSiC, dostępne w opcjach 1000mΩ i 450mΩ jako dyskretne pakiety SMD i Through-Hole, są wysoce zoptymalizowane pod kątem projektów systemów zasilania wymagających podwyższonych poziomów wydajności i ultraszybkich prędkości przełączania. Urządzenia te mają znacznie lepsze poziomy wydajności w porównaniu z konkurencyjnymi produktami. Pewna jakość, wspierane przez szybkie zmiany w produkcji masowej dodatkowo zwiększają ich ofertę wartości.

„W zastosowaniach takich jak inwertery słoneczne 1500V, tranzystor MOSFET w zasilaczu pomocniczym może być zmuszony do wytrzymania napięć w zakresie 2500 V., w zależności od napięcia wejściowego, przekładnia transformatora i napięcie wyjściowe. Tranzystory MOSFET o wysokim napięciu przebicia eliminują potrzebę stosowania przełączników połączonych szeregowo w technologii Flyback, Przetworniki przyspieszające i do przodu zmniejszają w ten sposób liczbę części i zmniejszają złożoność obwodu. Dyskretne tranzystory MOSFET SiC 3300V i 1700V firmy GeneSiC pozwalają projektantom na stosowanie prostszej topologii opartej na pojedynczym przełączniku, a jednocześnie zapewniają klientom niezawodne, kompaktowy i ekonomiczny system” powiedział Sumit Jadav, Senior Applications Manager w GeneSiC Semiconductor.

funkcje –

  • Doskonały wskaźnik ceny do wydajności
  • Sztandarowy Qsol x RDS(NA) wartość zasługi
  • Niska pojemność wewnętrzna i niski ładunek bramki
  • Niskie straty we wszystkich temperaturach
  • Wysoka odporność na lawiny i zwarcia
  • Wzorcowe napięcie progowe dla normalnie wyłączonej stabilnej pracy do 175 ° C

Aplikacje –

  • Energia odnawialna (falowniki słoneczne) i magazynowanie energii
  • Silniki przemysłowe (i więź)
  • Falowniki ogólnego przeznaczenia
  • Oświetlenie przemysłowe
  • Sterowniki piezo
  • Generatory wiązki jonów

Wszystkie urządzenia można kupić u autoryzowanych dystrybutorów – www.genesicsemi.com/sales-support

Arkusz danych i inne zasoby, odwiedzić – www.genesicsemi.com/sic-mosfet lub skontaktuj się sales@genesicsemi.com

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC Semiconductor jest pionierem i światowym liderem w technologii węglika krzemu, jednocześnie inwestując w technologie krzemowe dużej mocy. Wiodący światowi producenci systemów przemysłowych i obronnych polegają na technologii GeneSiC, aby podnieść wydajność i efektywność swoich produktów. Elektroniczne komponenty GeneSiC działają chłodniej, szybciej, i bardziej ekonomicznie, i odgrywają kluczową rolę w oszczędzaniu energii w szerokiej gamie systemów dużej mocy. Posiadamy wiodące patenty na technologie urządzeń zasilających o szerokiej przerwie energetycznej; rynek, który według prognoz osiągnie ponad $1 miliardów 2022. Naszą podstawową kompetencją jest dodawanie większej wartości naszym klientom’ produkt końcowy. Nasze wskaźniki wydajności i kosztów wyznaczają standardy w branży węglika krzemu.

Wysłany dnia

Wiodące w branży tranzystory MOSFET 6,5 kV SiC firmy GeneSiC – awangarda nowej fali zastosowań

6.5MOSFETy kV SiC

ĆWICZENIA, VA, Październik 20, 2020 — GeneSiC wypuszcza na rynek tranzystory MOSFET z węglika krzemu 6,5 kV, które są liderem w zapewnianiu niespotykanych dotąd poziomów wydajności, wydajność i niezawodność w zastosowaniach związanych z konwersją mocy średniego napięcia, takich jak trakcja, energia pulsacyjna i infrastruktura inteligentnych sieci.

GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodniki mocy, dzisiaj ogłasza natychmiastową dostępność gołych układów scalonych 6,5 kV SiC MOSFET - G2R300MT65-CAL i G2R325MS65-CAL. Wkrótce zostaną wydane pełne moduły SiC wykorzystujące tę technologię. Oczekuje się, że aplikacje będą obejmować trakcję, moc pulsacyjna, infrastruktura sieci inteligentnych i inne przetwornice średniego napięcia.

G2R300MT65-CAL - G2R ™ SiC MOSFET 6,5kV 300mΩ

G2R325MS65-CAL - MOSFET G2R ™ SiC 6,5 kV 325 mΩ (z Integrated-Schottky) Bare Chip

G2R100MT65-CAL - G2R ™ SiC MOSFET 6,5kV 100mΩ

Innowacja GeneSiC obejmuje podwójnie implantowany półprzewodnik z tlenku metalu SiC (DMOSFET) konstrukcja urządzenia z barierą połączeniową schottky (JBS) prostownik zintegrowany z ogniwem elementarnym SiC DMOSFET. To najnowocześniejsze urządzenie zasilające może być używane w różnych obwodach konwersji mocy w następnej generacji systemów przetwarzania energii. Inne istotne zalety to bardziej wydajne działanie dwukierunkowe, niezależne od temperatury przełączanie, niskie straty przełączania i przewodzenia, mniejsze wymagania dotyczące chłodzenia, doskonała długoterminowa niezawodność, łatwość łączenia urządzeń równolegle i korzyści finansowe. Technologia GeneSiC zapewnia doskonałą wydajność, a także może zmniejszyć ślad netto materiału SiC w przetwornicach mocy.

“Tranzystory MOSFET SiC 6,5 kV firmy GeneSiC zostały zaprojektowane i wykonane na 6-calowych płytkach w celu uzyskania niskiej rezystancji w stanie włączenia, najwyższa jakość, i doskonały wskaźnik ceny do wydajności. Ta technologia MOSFET nowej generacji zapewnia wzorową wydajność, doskonała wytrzymałość i długoterminowa niezawodność w zastosowaniach związanych z konwersją mocy średniego napięcia.” powiedziany dr. Siddarth Sundaresan, Wiceprezes ds. Technologii w GeneSiC Semiconductor.

Funkcje technologii MOSFET 6,5 kV G2R ™ SiC firmy GeneSiC –

  • Duża lawina (UIS) i odporność na zwarcia
  • Superior Qsol x RDS(NA) wartość zasługi
  • Niezależne od temperatury straty przełączania
  • Niskie pojemności i niski ładunek bramki
  • Niskie straty we wszystkich temperaturach
  • Stabilna praca przy normalnym wyłączeniu do 175 ° C
  • +20 V / -5 Napęd do bramy V.

Arkusz danych i inne zasoby, odwiedzić – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip lub skontaktuj się sales@genesicsemi.com

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC Semiconductor jest pionierem i światowym liderem w technologii węglika krzemu, jednocześnie inwestując w technologie krzemowe dużej mocy. Wiodący światowi producenci systemów przemysłowych i obronnych polegają na technologii GeneSiC, aby podnieść wydajność i efektywność swoich produktów. Elektroniczne komponenty GeneSiC działają chłodniej, szybciej, i bardziej ekonomicznie, i odgrywają kluczową rolę w oszczędzaniu energii w szerokiej gamie systemów dużej mocy. Posiadamy wiodące patenty na technologie urządzeń zasilających o szerokiej przerwie energetycznej; rynek, który według prognoz osiągnie ponad $1 miliardów 2022. Naszą podstawową kompetencją jest dodawanie większej wartości naszym klientom’ produkt końcowy. Nasze wskaźniki wydajności i kosztów wyznaczają standardy w branży węglika krzemu.

Wysłany dnia

GeneSiC zdobywa prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 dla monolitycznego tranzystora-prostownika na bazie SiC

ĆWICZENIA, VA, grudzień 5, 2019 — r&Magazyn D wybrał firmę GeneSiC Semiconductor Inc.. z Dulles, VA jako odbiorca prestiżowego 2019 r&re 100 Nagroda za opracowanie monolitycznego przełącznika tranzystorowo-prostowniczego opartego na SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc, kluczowy innowator w urządzeniach zasilających opartych na węgliku krzemu został uhonorowany ogłoszeniem, że otrzymał prestiżową 2019 r&re 100 Nagroda. Ta nagroda jest uznaniem dla GeneSiC za wprowadzenie jednego z najważniejszych, nowo wprowadzone postępy w dziedzinie badań i rozwoju w wielu dyscyplinach w trakcie 2018. r&Magazyn D docenił technologię zasilaczy SiC średniego napięcia firmy GeneSiC za jej zdolność do monolitycznej integracji MOSFET i prostownika Schottky'ego w jednym układzie scalonym. Te możliwości osiągnięte przez urządzenie GeneSiC w decydujący sposób umożliwiają naukowcom zajmującym się elektroniką mocy opracowywanie układów energoelektronicznych nowej generacji, takich jak falowniki i przetwornice DC-DC. Umożliwi to rozwój produktów w pojazdach elektrycznych, infrastruktura ładowania, branża energii odnawialnej i magazynowania energii. GeneSiC zamówił zamówienia od wielu klientów w celu demonstracji zaawansowanego sprzętu energoelektronicznego wykorzystującego te urządzenia i kontynuuje rozwój swojej rodziny produktów MOSFET z węglika krzemu. R&D we wczesnej wersji aplikacji do konwersji mocy zostały opracowane przez Departament USA. energii i współpraca z Sandia National Laboratories.

Coroczny konkurs technologiczny prowadzony przez R.&Magazyn D oceniał wpisy różnych firm i graczy branżowych, organizacje badawcze i uniwersytety na całym świecie. Sędziami byli redaktorzy magazynu i panel ekspertów zewnętrznych, ocena każdego wpisu pod kątem jego znaczenia dla świata nauki i badań.

Według R.&Magazyn D., zdobywając R&re 100 Nagroda jest znakiem doskonałości znanym w branży, rząd, i środowiska akademickiego jako dowód na to, że produkt jest jednym z najbardziej innowacyjnych pomysłów roku. Ta nagroda jest uznaniem GeneSiC jako światowego lidera w tworzeniu produktów opartych na technologii, które zmieniają sposób, w jaki pracujemy i żyjemy.

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC jest szybko wschodzącym innowatorem w dziedzinie urządzeń zasilających SiC i jest silnie zaangażowany w rozwój węglika krzemu (SiC) oparte na urządzeniach do: (a) Urządzenia HV-HF SiC dla sieci energetycznej, Broń impulsowa i broń skierowana energia; i (b) Wysokotemperaturowe urządzenia zasilające SiC do siłowników lotniczych i poszukiwania ropy naftowej. GeneSiC Semiconductor Inc. rozwija węglik krzemu (SiC) oparte na urządzeniach półprzewodnikowych do wysokich temperatur, promieniowanie, i zastosowania w sieciach energetycznych. Obejmuje to rozwój prostowników, FET, urządzenia bipolarne, a także cząstki & detektory fotoniczne. GeneSiC ma dostęp do obszernego pakietu projektów półprzewodników, produkcja, zaplecze do charakteryzacji i testowania takich urządzeń. GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w projektowaniu urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów. Firma wyróżnia się dostarczaniem wysokiej jakości produktów, które są specjalnie dostosowane do wymagań każdego klienta. GeneSiC ma umowy typu prime/sub-contract od głównych agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii USA, Marynarka wojenna, DARPA, Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, Departament Handlu i inne departamenty Departamentu USA. Obrony. GeneSiC nadal szybko ulepsza infrastrukturę sprzętową i kadrową w firmie Dulles, Obiekt w Wirginii. Firma agresywnie zatrudnia personel doświadczony w produkcji złożonych urządzeń półprzewodnikowych, testowanie półprzewodników i projekty detektorów,. Dodatkowe informacje o firmie i jej produktach można uzyskać dzwoniąc do GeneSiC pod numer 703-996-8200 lub odwiedzającwww.genesicsemi.com.