ĆWICZENIA, VA, Czerwiec 04, 2021 — Nowa generacja tranzystorów MOSFET 750V G3R™SiC firmy GeneSiC zapewni niespotykany dotąd poziom wydajności, solidność i jakość, która przewyższa jej odpowiedniki. Korzyści systemowe obejmują niskie spadki stanu włączenia w temperaturach roboczych, szybsze przełączanie prędkości, zwiększona gęstość mocy, minimalne dzwonienie (niski EMI) i kompaktowy rozmiar systemu. GeneSiC G3R™, oferowane w zoptymalizowanych dyskretnych pakietach o niskiej indukcyjności (SMD i otwór przelotowy), są zoptymalizowane do pracy z najniższymi stratami mocy we wszystkich warunkach pracy i ultraszybkimi prędkościami przełączania switching. Urządzenia te mają znacznie lepsze poziomy wydajności w porównaniu do współczesnych tranzystorów MOSFET SiC.
„Wysokosprawne zużycie energii stało się kluczowym elementem w konwerterach mocy nowej generacji, a urządzenia zasilające SiC nadal są kluczowymi komponentami napędzającymi tę rewolucję. Po latach prac rozwojowych nad osiągnięciem najniższej rezystancji w stanie włączenia oraz solidnej wydajności zwarciowej i lawinowej, cieszymy się, że możemy wypuścić na rynek najlepiej działające w branży tranzystory MOSFET 750 V SiC. Nasz G3R™ umożliwia projektantom energoelektroniki sprostanie wymagającej wydajności, Gęstość mocy i cele jakościowe w zastosowaniach takich jak falowniki słoneczne, Ładowarki pokładowe EV i zasilacze serwerowe/telekomunikacyjne. Pewna jakość, wspierane przez szybką realizację i produkcję wielkoseryjną zakwalifikowaną do przemysłu motoryzacyjnego, jeszcze bardziej zwiększa ich propozycję wartości. ” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.
funkcje –
- Najniższa opłata za bramkę w branży (Qsol) i wewnętrzna rezystancja bramy (RG(WEWN))
- Najniższa RDS(NA) zmiana wraz z temperaturą
- Niska pojemność wyjściowa (CNAS) i miler pojemności (CGD)
- 100% lawina (UIL) testowany podczas produkcji
- Wiodąca w branży odporność na zwarcia
- Szybka i niezawodna dioda w korpusie o niskim VF i niskie QRR
- Wysokie i stabilne napięcie progowe bramki (VTH) we wszystkich warunkach temperaturowych i drenażu drenażu
- Zaawansowana technologia pakowania dla niższej odporności termicznej i niższego dzwonienia
- Jednorodność wytwarzania RDS(NA), VTH i napięcie przebicia (BV)
- Kompleksowe portfolio produktów i bezpieczniejszy łańcuch dostaw z produkcją wielkoseryjną zakwalifikowaną do przemysłu motoryzacyjnego
Aplikacje –
- Słoneczny (PV) Falowniki
- EV / Ładowarki pokładowe HEV
- serwer & Zasilacze telekomunikacyjne
- Zasilacze bezprzerwowe (UPS)
- Przetwornice DC-DC
- Zasilacze impulsowe (SMPS)
- Magazynowanie energii i ładowanie baterii Battery
- Ogrzewanie indukcyjne
Wszystkie tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC Semiconductor są przeznaczone do zastosowań motoryzacyjnych (AEC-q101) i obsługuje PPAP.
G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&handluj SiC MOSFET
G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&handluj SiC MOSFET
G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&handluj SiC MOSFET
Arkusz danych i inne zasoby, odwiedzić – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ lub skontaktuj się sales@genesicsemi.com
Wszystkie urządzenia można kupić u autoryzowanych dystrybutorów – www.genesicsemi.com/sales-support
Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.
GeneSiC Semiconductor jest pionierem i światowym liderem w technologii węglika krzemu, jednocześnie inwestując w technologie krzemowe dużej mocy. Wiodący światowi producenci systemów przemysłowych i obronnych polegają na technologii GeneSiC, aby podnieść wydajność i efektywność swoich produktów. Elektroniczne komponenty GeneSiC działają chłodniej, szybciej, i bardziej ekonomicznie, i odgrywają kluczową rolę w oszczędzaniu energii w szerokiej gamie systemów dużej mocy. Posiadamy wiodące patenty na technologie urządzeń zasilających o szerokiej przerwie energetycznej; rynek, który według prognoz osiągnie ponad $1 miliardów 2022. Naszą podstawową kompetencją jest dodawanie większej wartości naszym klientom’ produkt końcowy. Nasze wskaźniki wydajności i kosztów wyznaczają standardy w branży węglika krzemu.
