Wysłany dnia

MOSFET G3R™ 750V SiC oferują niezrównaną wydajność i niezawodność Re

750MOSFET V G3R SiC

ĆWICZENIA, VA, Czerwiec 04, 2021 — Nowa generacja tranzystorów MOSFET 750V G3R™SiC firmy GeneSiC zapewni niespotykany dotąd poziom wydajności, solidność i jakość, która przewyższa jej odpowiedniki. Korzyści systemowe obejmują niskie spadki stanu włączenia w temperaturach roboczych, szybsze przełączanie prędkości, zwiększona gęstość mocy, minimalne dzwonienie (niski EMI) i kompaktowy rozmiar systemu. GeneSiC G3R™, oferowane w zoptymalizowanych dyskretnych pakietach o niskiej indukcyjności (SMD i otwór przelotowy), są zoptymalizowane do pracy z najniższymi stratami mocy we wszystkich warunkach pracy i ultraszybkimi prędkościami przełączania switching. Urządzenia te mają znacznie lepsze poziomy wydajności w porównaniu do współczesnych tranzystorów MOSFET SiC.

750MOSFET V G3R SiC

„Wysokosprawne zużycie energii stało się kluczowym elementem w konwerterach mocy nowej generacji, a urządzenia zasilające SiC nadal są kluczowymi komponentami napędzającymi tę rewolucję. Po latach prac rozwojowych nad osiągnięciem najniższej rezystancji w stanie włączenia oraz solidnej wydajności zwarciowej i lawinowej, cieszymy się, że możemy wypuścić na rynek najlepiej działające w branży tranzystory MOSFET 750 V SiC. Nasz G3R™ umożliwia projektantom energoelektroniki sprostanie wymagającej wydajności, Gęstość mocy i cele jakościowe w zastosowaniach takich jak falowniki słoneczne, Ładowarki pokładowe EV i zasilacze serwerowe/telekomunikacyjne. Pewna jakość, wspierane przez szybką realizację i produkcję wielkoseryjną zakwalifikowaną do przemysłu motoryzacyjnego, jeszcze bardziej zwiększa ich propozycję wartości. ” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.

funkcje –

  • Najniższa opłata za bramkę w branży (Qsol) i wewnętrzna rezystancja bramy (RG(WEWN))
  • Najniższa RDS(NA) zmiana wraz z temperaturą
  • Niska pojemność wyjściowa (CNAS) i miler pojemności (CGD)
  • 100% lawina (UIL) testowany podczas produkcji
  • Wiodąca w branży odporność na zwarcia
  • Szybka i niezawodna dioda w korpusie o niskim VF i niskie QRR
  • Wysokie i stabilne napięcie progowe bramki (VTH) we wszystkich warunkach temperaturowych i drenażu drenażu
  • Zaawansowana technologia pakowania dla niższej odporności termicznej i niższego dzwonienia
  • Jednorodność wytwarzania RDS(NA), VTH i napięcie przebicia (BV)
  • Kompleksowe portfolio produktów i bezpieczniejszy łańcuch dostaw z produkcją wielkoseryjną zakwalifikowaną do przemysłu motoryzacyjnego

Aplikacje –

  • Słoneczny (PV) Falowniki
  • EV / Ładowarki pokładowe HEV
  • serwer & Zasilacze telekomunikacyjne
  • Zasilacze bezprzerwowe (UPS)
  • Przetwornice DC-DC
  • Zasilacze impulsowe (SMPS)
  • Magazynowanie energii i ładowanie baterii Battery
  • Ogrzewanie indukcyjne

Wszystkie tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC Semiconductor są przeznaczone do zastosowań motoryzacyjnych (AEC-q101) i obsługuje PPAP.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&handluj SiC MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&handluj SiC MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&handluj SiC MOSFET

Arkusz danych i inne zasoby, odwiedzić – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ lub skontaktuj się sales@genesicsemi.com

Wszystkie urządzenia można kupić u autoryzowanych dystrybutorów – www.genesicsemi.com/sales-support

Elektronika Digi-Key

Farnell element14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC Semiconductor jest pionierem i światowym liderem w technologii węglika krzemu, jednocześnie inwestując w technologie krzemowe dużej mocy. Wiodący światowi producenci systemów przemysłowych i obronnych polegają na technologii GeneSiC, aby podnieść wydajność i efektywność swoich produktów. Elektroniczne komponenty GeneSiC działają chłodniej, szybciej, i bardziej ekonomicznie, i odgrywają kluczową rolę w oszczędzaniu energii w szerokiej gamie systemów dużej mocy. Posiadamy wiodące patenty na technologie urządzeń zasilających o szerokiej przerwie energetycznej; rynek, który według prognoz osiągnie ponad $1 miliardów 2022. Naszą podstawową kompetencją jest dodawanie większej wartości naszym klientom’ produkt końcowy. Nasze wskaźniki wydajności i kosztów wyznaczają standardy w branży węglika krzemu.

Wysłany dnia

GeneSiC zdobywa prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 dla monolitycznego tranzystora-prostownika na bazie SiC

ĆWICZENIA, VA, grudzień 5, 2019 — r&Magazyn D wybrał firmę GeneSiC Semiconductor Inc.. z Dulles, VA jako odbiorca prestiżowego 2019 r&re 100 Nagroda za opracowanie monolitycznego przełącznika tranzystorowo-prostowniczego opartego na SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc, kluczowy innowator w urządzeniach zasilających opartych na węgliku krzemu został uhonorowany ogłoszeniem, że otrzymał prestiżową 2019 r&re 100 Nagroda. Ta nagroda jest uznaniem dla GeneSiC za wprowadzenie jednego z najważniejszych, nowo wprowadzone postępy w dziedzinie badań i rozwoju w wielu dyscyplinach w trakcie 2018. r&Magazyn D docenił technologię zasilaczy SiC średniego napięcia firmy GeneSiC za jej zdolność do monolitycznej integracji MOSFET i prostownika Schottky'ego w jednym układzie scalonym. Te możliwości osiągnięte przez urządzenie GeneSiC w decydujący sposób umożliwiają naukowcom zajmującym się elektroniką mocy opracowywanie układów energoelektronicznych nowej generacji, takich jak falowniki i przetwornice DC-DC. Umożliwi to rozwój produktów w pojazdach elektrycznych, infrastruktura ładowania, branża energii odnawialnej i magazynowania energii. GeneSiC zamówił zamówienia od wielu klientów w celu demonstracji zaawansowanego sprzętu energoelektronicznego wykorzystującego te urządzenia i kontynuuje rozwój swojej rodziny produktów MOSFET z węglika krzemu. R&D we wczesnej wersji aplikacji do konwersji mocy zostały opracowane przez Departament USA. energii i współpraca z Sandia National Laboratories.

Coroczny konkurs technologiczny prowadzony przez R.&Magazyn D oceniał wpisy różnych firm i graczy branżowych, organizacje badawcze i uniwersytety na całym świecie. Sędziami byli redaktorzy magazynu i panel ekspertów zewnętrznych, ocena każdego wpisu pod kątem jego znaczenia dla świata nauki i badań.

Według R.&Magazyn D., zdobywając R&re 100 Nagroda jest znakiem doskonałości znanym w branży, rząd, i środowiska akademickiego jako dowód na to, że produkt jest jednym z najbardziej innowacyjnych pomysłów roku. Ta nagroda jest uznaniem GeneSiC jako światowego lidera w tworzeniu produktów opartych na technologii, które zmieniają sposób, w jaki pracujemy i żyjemy.

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC jest szybko wschodzącym innowatorem w dziedzinie urządzeń zasilających SiC i jest silnie zaangażowany w rozwój węglika krzemu (SiC) oparte na urządzeniach do: (a) Urządzenia HV-HF SiC dla sieci energetycznej, Broń impulsowa i broń skierowana energia; i (b) Wysokotemperaturowe urządzenia zasilające SiC do siłowników lotniczych i poszukiwania ropy naftowej. GeneSiC Semiconductor Inc. rozwija węglik krzemu (SiC) oparte na urządzeniach półprzewodnikowych do wysokich temperatur, promieniowanie, i zastosowania w sieciach energetycznych. Obejmuje to rozwój prostowników, FET, urządzenia bipolarne, a także cząstki & detektory fotoniczne. GeneSiC ma dostęp do obszernego pakietu projektów półprzewodników, produkcja, zaplecze do charakteryzacji i testowania takich urządzeń. GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w projektowaniu urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów. Firma wyróżnia się dostarczaniem wysokiej jakości produktów, które są specjalnie dostosowane do wymagań każdego klienta. GeneSiC ma umowy typu prime/sub-contract od głównych agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii USA, Marynarka wojenna, DARPA, Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, Departament Handlu i inne departamenty Departamentu USA. Obrony. GeneSiC nadal szybko ulepsza infrastrukturę sprzętową i kadrową w firmie Dulles, Obiekt w Wirginii. Firma agresywnie zatrudnia personel doświadczony w produkcji złożonych urządzeń półprzewodnikowych, testowanie półprzewodników i projekty detektorów,. Dodatkowe informacje o firmie i jej produktach można uzyskać dzwoniąc do GeneSiC pod numer 703-996-8200 lub odwiedzającwww.genesicsemi.com.

Wysłany dnia

GeneSiC wygrywa 2,53 mln USD od ARPA-E na rozwój urządzeń opartych na tyrystorach z węglika krzemu

ĆWICZENIA, VA, wrzesień 28, 2010 - Agencja Zaawansowanych Projektów Badawczych - Energia (ARPA-E) zawarła umowę o współpracy z zespołem kierowanym przez GeneSiC Semiconductor w celu opracowania nowatorskiego ultrawysokiego napięcia węglika krzemu (SiC) Urządzenia oparte na tyrystorach. Oczekuje się, że urządzenia te będą kluczowymi czynnikami umożliwiającymi integrację wielkoskalowych elektrowni wiatrowych i słonecznych z inteligentną siecią nowej generacji.

„Ta wysoce konkurencyjna nagroda dla GeneSiC pozwoli nam umocnić naszą pozycję lidera technicznego w technologii multi-kV Silicon Carbide, a także nasze zaangażowanie w alternatywne rozwiązania energetyczne w skali sieci z rozwiązaniami półprzewodnikowymi,”Skomentował dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC. „Tworzone przez nas tyrystory Multi-kV SiC są kluczową technologią umożliwiającą realizację elastycznych systemów transmisji AC (FAKTY) elementów i wysokiego napięcia DC (HVDC) architektury przewidziane w kierunku zintegrowanego, wydajny, Inteligentna sieć przyszłości. Tyrystory na bazie SiC firmy GeneSiC oferują 10-krotnie wyższe napięcie, 100X szybsze częstotliwości przełączania i praca w wyższych temperaturach w rozwiązaniach przetwarzania mocy FACTS i HVDC w porównaniu z konwencjonalnymi tyrystorami na bazie krzemu. ”

W kwietniu 2010, GeneSiC odpowiedziała na Agile Delivery of Electrical Power Technology (ADEPT) pozyskanie ze strony ARPA-E, która starała się zainwestować w materiały do ​​fundamentalnych postępów w przełącznikach wysokiego napięcia, które mogą przeskoczyć istniejącą wydajność przekształtnika mocy, oferując jednocześnie obniżenie kosztów. Propozycja firmy zatytułowana „Tyrystor z przełączaną anodą z węglika krzemu do konwersji mocy średniego napięcia” została wybrana, aby zapewnić lekką, stan stały, konwersja energii średniego napięcia do zastosowań o dużej mocy, takich jak półprzewodnikowe podstacje elektryczne i generatory turbin wiatrowych. Wdrożenie tych zaawansowanych technologii półprzewodników mocy może zapewnić aż 25-30 procentowe zmniejszenie zużycia energii elektrycznej poprzez zwiększenie sprawności dostarczania energii elektrycznej. Wybrane innowacje miały wspierać i promować USA. firmom dzięki przywództwu technologicznemu, poprzez wysoce konkurencyjny proces.

Węglik krzemu to półprzewodnikowy materiał nowej generacji o znacznie lepszych właściwościach niż konwencjonalny krzem, na przykład zdolność wytrzymywania napięcia dziesięciokrotnie wyższego - i stokrotnie wyższego od natężenia prądu - w temperaturach dochodzących do 300ºC. Te cechy sprawiają, że idealnie nadaje się do zastosowań wymagających dużej mocy, takich jak pojazdy hybrydowe i elektryczne, energia odnawialna (wiatr i słońce) instalacje, i systemy sterowania siecią elektryczną.

Obecnie dobrze wiadomo, że bardzo wysokie napięcie (>10kV) Węglik krzemu (SiC) technologia urządzeń odegra rewolucyjną rolę w sieci energetycznej nowej generacji. Tyrystorowe urządzenia SiC oferują najwyższą wydajność w stanie włączenia dla >5 Urządzenia kV, i są szeroko stosowane w obwodach konwersji mocy średniego napięcia, takich jak ograniczniki prądu uszkodzeniowego, Przetwornice AC-DC, Statyczne kompensatory VAR i kompensatory szeregowe. Tyrystory oparte na SiC oferują również największą szansę na wczesne zastosowanie ze względu na ich podobieństwo do konwencjonalnych elementów sieci energetycznej. Inne obiecujące zastosowania i zalety tych urządzeń obejmują:

  • Systemy zarządzania i kondycjonowania mocy do konwersji średniego napięcia DC poszukiwane w ramach Future Naval Capability (FNC) US Navy, Elektromagnetyczne systemy wyrzutni, systemy broni wysokoenergetycznej i obrazowanie medyczne. Możliwość zwiększenia częstotliwości roboczej 10-100x pozwala na bezprecedensową poprawę wielkości, waga, objętość i ostatecznie, koszt takich systemów.
  • Różnorodne magazynowanie energii, zastosowania w fizyce wysokich temperatur i wysokich energii. Zastosowania magazynowania energii i sieci energetycznej zyskują coraz większą uwagę, ponieważ świat koncentruje się na bardziej wydajnych i opłacalnych rozwiązaniach w zakresie zarządzania energią.

GeneSiC jest szybko wschodzącym innowatorem w dziedzinie urządzeń zasilających SiC i jest silnie zaangażowany w rozwój węglika krzemu (SiC) oparte na urządzeniach do: (a) Urządzenia HV-HF SiC dla sieci energetycznej, Broń impulsowa i broń skierowana energia; i (b) Wysokotemperaturowe urządzenia zasilające SiC do siłowników lotniczych i poszukiwania ropy naftowej.

“Staliśmy się liderem w dziedzinie technologii SiC ultra wysokiego napięcia, wykorzystując nasze podstawowe kompetencje w projektowaniu urządzeń i procesów, oferując szeroki wachlarz produktów, charakteryzacja, i obiekty testowe,”Podsumowuje dr. Singh. „Stanowisko GeneSiC zostało teraz skutecznie potwierdzone przez Departament Środowiska Stanów Zjednoczonych dzięki tej znaczącej dalszej nagrody”.

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC

Strategicznie zlokalizowany w pobliżu Waszyngtonu, DC w Dulles, Wirginia, GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i bardzo wysokim napięciu (SiC) urządzenia. Aktualne projekty rozwojowe obejmują prostowniki wysokotemperaturowe, Tranzystory SuperJunction (SJT) i szeroka gama urządzeń opartych na tyrystorach. GeneSiC ma lub miał umowy typu prime/subcontracts z głównymi agencjami rządu USA, w tym Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego. Firma przeżywa obecnie znaczny wzrost, oraz zatrudnienie wykwalifikowanego personelu w zakresie projektowania urządzeń zasilających i detektorów,, produkcja, i testowanie. By dowiedzieć się więcej, Proszę odwiedźwww.genesicsemi.com.