ĆWICZENIA, VA, Luty 12, 2020 — MOSFET GeneSiC Semiconductor nowej generacji 1200 V G3R ™ SiC z RDS(NA) poziomy od 20 mΩ do 350 mΩ zapewniają niespotykane dotąd poziomy wydajności, solidność i jakość, która przewyższa jej odpowiedniki. Zalety systemu obejmują wyższą wydajność, szybsza częstotliwość przełączania, zwiększona gęstość mocy, zmniejszone dzwonienie (EMI) i kompaktowy rozmiar systemu.
GeneSiC ogłasza dostępność swoich wiodących w branży tranzystorów MOSFET z węglika krzemu trzeciej generacji, które charakteryzują się wiodącą w branży wydajnością, solidność i jakość do wykorzystania nigdy wcześniej nie widzianych poziomów wydajności i niezawodności systemu w zastosowaniach motoryzacyjnych i przemysłowych.
Te tranzystory MOSFET SiC G3R ™, oferowane w zoptymalizowanych dyskretnych pakietach o niskiej indukcyjności (SMD i otwór przelotowy), są wysoce zoptymalizowane pod kątem projektów systemów zasilania wymagających podwyższonych poziomów wydajności i ultraszybkich prędkości przełączania. Urządzenia te mają znacznie lepsze poziomy wydajności w porównaniu z konkurencyjnymi produktami. Pewna jakość, wspierane przez szybkie zmiany w produkcji wielkoseryjnej dodatkowo zwiększają ich propozycję wartości.
„Po latach prac rozwojowych nad osiągnięciem najniższej rezystancji w stanie włączenia i zwiększonej wydajności zwarciowej, z niecierpliwością czekamy na wprowadzenie najlepszych w branży tranzystorów MOSFET 1200 V SiC 15+ produkty dyskretne i bez chipa. Jeśli systemy energoelektroniczne nowej generacji mają sprostać wymagającej wydajności, gęstość mocy i cele jakościowe w zastosowaniach takich jak motoryzacja, przemysłowy, energia odnawialna, transport, IT i telekomunikacja, wymagają wtedy znacznie lepszej wydajności i niezawodności urządzenia w porównaniu z obecnie dostępnymi tranzystorami SiC MOSFET” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.
funkcje –
- Superior Qsol x RDS(NA) zasługa – Tranzystory G3R ™ SiC MOSFET charakteryzują się najniższą w branży rezystancją w stanie włączenia przy bardzo niskim ładunku bramki, w wyniku do 20% lepszy wynik finansowy niż jakiekolwiek inne podobne urządzenie konkurencji
- Niskie straty przewodzenia we wszystkich temperaturach – Tranzystory MOSFET firmy GeneSiC charakteryzują się najłagodniejszą zależnością rezystancji w stanie stanu od temperatury, co zapewnia bardzo niskie straty przewodzenia we wszystkich temperaturach; znacznie lepsze niż jakikolwiek inny kanałowy i planarny MOSFET SiC na rynku
- 100 % testowany lawinowo – Solidne możliwości UIL są krytycznym wymaganiem w większości zastosowań terenowych. Dyskretny MOSFET SiC 1200 V firmy GeneSiC to 100 % lawina (UIL) testowany podczas produkcji
- Niski ładunek bramki i niski wewnętrzny opór bramki – Te parametry są krytyczne dla uzyskania ultraszybkiego przełączania i osiągnięcia najwyższej wydajności (niski Eon -Eoff) w szerokim zakresie częstotliwości przełączania aplikacji
- Stabilna praca przy normalnym wyłączeniu do 175 ° C – Wszystkie tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC są projektowane i wytwarzane przy użyciu najnowocześniejszych procesów, aby dostarczać produkty, które są stabilne i niezawodne we wszystkich warunkach pracy bez ryzyka awarii. Doskonała jakość tlenków bramek tych urządzeń zapobiega powstawaniu jakichkolwiek progów (VTH) dryf
- Niskie pojemności urządzenia – G3R ™ są zaprojektowane do szybszej i bardziej wydajnej jazdy dzięki niskim pojemnościom urządzeń - Ciss, Coss and Crss
- Szybka i niezawodna dioda korpusowa o niskim ładunku wewnętrznym – Tranzystory MOSFET firmy GeneSiC charakteryzują się wzorcowym niskim obciążeniem zwrotnym (QRR) we wszystkich temperaturach; 30% lepsze niż inne podobnie oceniane urządzenie konkurencji. Zapewnia to dalsze zmniejszenie strat mocy i zwiększenie częstotliwości roboczych
- Łatwość użycia – Tranzystory MOSFET SiC G3R ™ są przeznaczone do zasilania napięciem + 15 V. / -5Napęd do bramy V.. Zapewnia to największą kompatybilność z istniejącymi komercyjnymi sterownikami bramek IGBT i SiC MOSFET
Aplikacje –
- Pojazd elektryczny – Układ napędowy i ładowanie
- Falownik słoneczny i magazyn energii
- Przemysłowy napęd silnikowy
- Nieprzerwana dostawa energii (UPS)
- Zasilacz impulsowy (SMPS)
- Dwukierunkowe przetwornice DC-DC
- Inteligentna sieć i HVDC
- Nagrzewanie i spawanie indukcyjne
- Aplikacja zasilania impulsowego
Wszystkie urządzenia można kupić u autoryzowanych dystrybutorów – www.genesicsemi.com/sales-support
Arkusz danych i inne zasoby, odwiedzić – www.genesicsemi.com/sic-mosfet lub skontaktuj się sales@genesicsemi.com
Wszystkie tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC Semiconductor są przeznaczone do zastosowań motoryzacyjnych (AEC-q101) i obsługuje PPAP. Wszystkie urządzenia są oferowane w standardzie przemysłowym D2PAK, Pakiety TO-247 i SOT-227.
Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.
GeneSiC Semiconductor jest pionierem i światowym liderem w technologii węglika krzemu, jednocześnie inwestując w technologie krzemowe dużej mocy. Wiodący światowi producenci systemów przemysłowych i obronnych polegają na technologii GeneSiC, aby podnieść wydajność i efektywność swoich produktów. Elektroniczne komponenty GeneSiC działają chłodniej, szybciej, i bardziej ekonomicznie, i odgrywają kluczową rolę w oszczędzaniu energii w szerokiej gamie systemów dużej mocy. Posiadamy wiodące patenty na technologie urządzeń zasilających o szerokiej przerwie energetycznej; rynek, który według prognoz osiągnie ponad $1 miliardów 2022. Naszą podstawową kompetencją jest dodawanie większej wartości naszym klientom’ produkt końcowy. Nasze wskaźniki wydajności i kosztów wyznaczają standardy w branży węglika krzemu.
