Zespoły wysokonapięciowe, w których można wykorzystać te prostowniki o niskiej pojemności, oferujące niezależne od temperatury zerowe prądy wsteczne powrotne w izolowanych obudowach
Thief River Falls/Dulles, Wirginia., Może 28, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodniki mocy ogłaszają natychmiastową dostępność 3300 V/0.3 Amperowe prostowniki Schottky'ego SiC – GAP3SLT33-220FP. Ten wyjątkowy produkt reprezentuje prostownik SiC o najwyższym napięciu na rynku, i jest specjalnie ukierunkowany na obwody powielacza napięcia i zespoły wysokonapięciowe stosowane w szerokim zakresie promieniowania rentgenowskiego, Zasilacze lasera i generatora cząstek.
Współczesne obwody powielacza napięcia cierpią z powodu niskiej wydajności obwodów i dużych rozmiarów, ponieważ wsteczne prądy powrotne z prostowników krzemowych rozładowują kondensatory połączone równolegle. Przy wyższych temperaturach złącza prostownika, sytuacja ta się pogarsza, ponieważ wsteczny prąd powrotny w prostownikach krzemowych wzrasta wraz z temperaturą. Z ograniczeniami termicznymi zespołów wysokiego napięcia, temperatura złącza rośnie dość łatwo, nawet przy przepływie umiarkowanych prądów. Prostowniki wysokonapięciowe SiC oferują unikalne właściwości, które obiecują zrewolucjonizować zespoły wysokonapięciowe. GeneSiC 3300 Prostowniki Schottky V/0,3 A charakteryzują się zerowym prądem zwrotnym, który nie zmienia się wraz z temperaturą. To stosunkowo wysokie napięcie w jednym urządzeniu pozwala na zmniejszenie stopni zwielokrotniania napięcia wymaganych w typowych obwodach generatorów wysokiego napięcia, poprzez zastosowanie wyższych napięć wejściowych AC. Prawie idealna charakterystyka przełączania pozwala na eliminację/drastyczną redukcję sieci równoważących napięcie i obwodów tłumiących. Izolowana izolowana obudowa TO-220 Full Pack charakteryzuje się standardowym w branży kształtem ze zwiększonym odstępem między pinami w zespołach otworów przelotowych.
„Ta oferta produktów pochodzi z lat nieustannych wysiłków w GeneSiC. Wierzymy, że 3300 Ocena V jest kluczowym wyróżnikiem na rynku generatorów wysokiego napięcia, i przyniesie znaczące korzyści naszym klientom. Niski VF w GeneSiC, Niskopojemnościowe prostowniki Schottky'ego SiC umożliwiają ten przełomowy produkt” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.
3300 Cechy techniczne prostownika V/0.3 A SiC
- Spadek w stanie 1.7 Faktura VAT 0.3 ZA
- Dodatni współczynnik temperaturowy na VF
- Tjmax = 175OC
- Ładowanie pojemnościowe 52 nC (typowy).
Wszystkie urządzenia są 100% przetestowany pod kątem pełnego napięcia / prądu znamionowego i umieszczony w wersji bezhalogenowej, Standard przemysłowy zgodny z RoHS TO-220FP (Pełny pakiet) pakiety. Urządzenia są natychmiast dostępne u Autoryzowanego Dystrybutora GeneSiC, Digikey.
O GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultrawysokim napięciu (SiC) urządzenia, i globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników mocy. W portfolio urządzeń znajduje się prostownik na bazie SiC, tranzystor, i tyrystorowe produkty, a także produkty prostownika krzemowego. GeneSiC opracował rozległą własność intelektualną i wiedzę techniczną, która obejmuje najnowsze osiągnięcia w urządzeniach zasilających SiC, z produktami ukierunkowanymi na energię alternatywną, automobilowy, w dół ole wiercenie olei, kontrola silnika, zasilacz, transport, i bezprzerwowego zasilania aplikacji. GeneSiC pozyskał liczne kontrakty badawczo-rozwojowe od agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, DTRA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, a także głównych wykonawców rządowych. W 2011, firma zdobyła prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 za komercjalizację tyrystorów SiC ultrawysokiego napięcia.
Po więcej informacji, odwiedź www.genesicsemi.com
