Obwody i zespoły wysokonapięciowe korzystające z układów SiC, które oferują bezprecedensowe wartości znamionowe napięcia i bardzo szybkie przełączanie
Tępy, Wirginia., Listopad 7, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodniki mocy ogłaszają natychmiastową dostępność 8000 Prostowniki V SiC PiN; 8000 Prostowniki V SiC Schottky'ego, 3300 Prostowniki V SiC Schottky'ego i 6500 Tyrystory V SiC w formie gołej matrycy. Te unikalne produkty reprezentują urządzenia SiC o najwyższym napięciu na rynku, i jest szczególnie ukierunkowany na oprzyrządowanie do ropy i gazu, obwody powielaczy napięcia i zespoły wysokiego napięcia.
Współczesne obwody ultra wysokiego napięcia mają niską sprawność obwodu i duże rozmiary, ponieważ zwrotne prądy odzysku z prostowników krzemowych rozładowują połączone równolegle kondensatory. Przy wyższych temperaturach złącza prostownika, sytuacja ta jeszcze bardziej się pogarsza, ponieważ zwrotny prąd powrotny w prostownikach krzemowych rośnie wraz z temperaturą. Z ograniczeniami termicznymi zespołów wysokiego napięcia, temperatura złącza rośnie dość łatwo, nawet przy przepływie umiarkowanych prądów. Prostowniki wysokonapięciowe SiC oferują unikalne właściwości, które obiecują zrewolucjonizować zespoły wysokonapięciowe. GeneSiC 8000 V i 3300 Prostowniki V Schottky'ego mają zerowy prąd powrotny, który nie zmienia się wraz z temperaturą. To stosunkowo wysokie napięcie w jednym urządzeniu pozwala na zmniejszenie stopni zwielokrotniania napięcia wymaganych w typowych obwodach generatorów wysokiego napięcia, poprzez zastosowanie wyższych napięć wejściowych AC. Prawie idealna charakterystyka przełączania pozwala na eliminację/drastyczną redukcję sieci równoważących napięcie i obwodów tłumiących. 8000 Prostowniki V PiN oferują wyższe poziomy prądu i wyższe temperatury pracy. 6500 Dostępne są również chipy tyrystorowe V SiC przyspieszające R.&D nowych systemów.
„Te produkty pokazują silną pozycję GeneSiC w rozwoju chipów SiC w zakresie wielu kV. Wierzymy, że 8000 Klasa V wykracza poza to, co mogą zaoferować urządzenia Silicon w temperaturach znamionowych, i przyniesie znaczące korzyści naszym klientom. Niski VF w GeneSiC, Prostowniki i tyrystory SiC o małej pojemności zapewnią korzyści na poziomie systemu, które wcześniej nie były możliwe” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.
8000 Cechy techniczne prostownika V / 2 A SiC Bare Die PiN
- Tjmax = 210OC
- Odwrotne prądy upływowe < 50 uA w 175OC
- Reverse Recovery Charge 558 nC (typowy).
8000 V / 50 mA SiC Bare Die Schottky Rectifier Najważniejsze dane techniczne
- Całkowita pojemność 25 pF (typowy, w -1 V, 25OC).
- Dodatni współczynnik temperaturowy na VF
- Tjmax = 175OC
6500 Cechy techniczne tyrystora V SiC Bare Die
- Trzy ofiary - 80 Amperes (GA080TH65-CAU); 60 Amperes (GA060TH65-CAU); i 40 Amperes (GA040TH65-CAU)
- Tjmax = 200OC
3300 Najważniejsze dane techniczne prostownika typu Bare Die V / 0,3 A SiC
- Spadek w stanie 1.7 Faktura VAT 0.3 ZA
- Dodatni współczynnik temperaturowy na VF
- Tjmax = 175OC
- Ładowanie pojemnościowe 52 nC (typowy).
O GeneSiC Semiconductor Inc.
GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultrawysokim napięciu (SiC) urządzenia, i globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników mocy. W portfolio urządzeń znajduje się prostownik na bazie SiC, tranzystor, i tyrystorowe produkty, a także produkty prostownika krzemowego. GeneSiC opracował rozległą własność intelektualną i wiedzę techniczną, która obejmuje najnowsze osiągnięcia w urządzeniach zasilających SiC, z produktami ukierunkowanymi na energię alternatywną, automobilowy, w dół ole wiercenie olei, kontrola silnika, zasilacz, transport, i bezprzerwowego zasilania aplikacji. GeneSiC pozyskał liczne kontrakty badawczo-rozwojowe od agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, DTRA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, a także głównych wykonawców rządowych. W 2011, firma zdobyła prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 za komercjalizację tyrystorów SiC ultrawysokiego napięcia.
Po więcej informacji, Proszę odwiedź https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/baredie
