GeneSiC rozwija się, aby dostarczać możliwie najlepsze projekty zorientowane na klienta, dostarczając urządzeniom zasilającym SiC doskonały wskaźnik ceny do wydajności, wysoka wytrzymałość i wysoka jakość.
Aplikacje obejmują:
- Zwiększenie diody w korekcji współczynnika mocy (PFC)
- Zasilacz impulsowy (SMPS)
- Pojazdy elektryczne – Układ napędowy, Konwerter DC-DC i wbudowane ładowanie
- Ekstremalnie szybka infrastruktura ładowania
- Falowniki słoneczne i magazynowanie energii
- Trakcja
- Zasilacze do centrów danych
- Nagrzewanie i spawanie indukcyjne
- Przetwornice wysokiego napięcia DC-DC
- Wolne koła / Dioda przeciwrównoległa
- Oświetlenie LED i HID
- Systemy obrazowania medycznego
- Przekształtniki mocy do wiercenia w dolnym otworze
- Wykrywanie wysokiego napięcia
- Moc impulsowa
Wizyta www.genesicsemi.com/applications uczyć się więcej!
Do zastosowań związanych z wykrywaniem wysokiego napięcia, takich jak zabezpieczenie DE-SAT i obwody rozruchowe napędu bramkowego po stronie wysokiego napięcia, pakiety DO-214 i TO-252-2 to idealne rozwiązania.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GB01SLT06-214 650 1 DO-214
GB01SLT12-214 1200 1 DO-214
GB01SLT12-252 1200 1 TO-252-2
GB02SLT12-214 1200 2 DO-214
GB02SLT12-252 1200 2 TO-252-2
GAP3SLT33-214 3300 0.3 DO-214
Pakiet TO-247-3 zapewnia dużą elastyczność w zakresie wyższej gęstości mocy i redukcji BOM w zastosowaniach, takich jak korekcja współczynnika mocy (PFC) wewnętrzne, które mają wspólną katodę między dwiema diodami.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GC2X5MPS12-247 1200 5 / 10 TO-247-3
GC2X8MPS12-247 1200 8 / 16 TO-247-3
GC2X10MPS12-247 1200 10 / 20 TO-247-3
GC2X15MPS12-247 1200 15 / 30 TO-247-3
GC2X20MPS12-247 1200 20 / 40 TO-247-3
noty aplikacyjne:
Przepraszam, nie znaleziono żadnych postów.
Artykuły techniczne:
Zestawy hybrydowe Si-IGBT/SiC Rectifier i prostowniki SiC JBS
wrzesień, 2011 Zestawy hybrydowe Si-IGBT/SiC Rectifier i prostowniki SiC JBS
12.9 Diody kV SiC PiN z niskimi spadkami w stanie załączenia i wysoką żywotnością nośników
wrzesień, 2011 12.9 Diody kV SiC PiN z niskimi spadkami w stanie załączenia i wysoką żywotnością nośników
1200 V Prostowniki Schottky'ego SiC zoptymalizowane pod kątem ≥ 250 °C praca z najniższą w swojej klasie pojemnością złącza
lipiec, 2012 1200 V Prostowniki Schottky'ego SiC zoptymalizowane pod kątem ≥ 250 °C praca z najniższą w swojej klasie pojemnością złącza
15 Diody kV SiC PiN osiągają 95% granicy lawinowej i stabilnej długotrwałej pracy
Zniszczyć, 2013 15 Diody kV SiC PiN osiągają 95% granicy lawinowej i stabilnej długotrwałej pracy