GeneSiC rozwija się, aby dostarczać możliwie najlepsze projekty zorientowane na klienta, dostarczając urządzeniom zasilającym SiC doskonały wskaźnik ceny do wydajności, wysoka wytrzymałość i wysoka jakość.
Aplikacje obejmują:
- Zwiększenie diody w korekcji współczynnika mocy (PFC)
- Zasilacz impulsowy (SMPS)
- Pojazdy elektryczne – Układ napędowy, Konwerter DC-DC i wbudowane ładowanie
- Ekstremalnie szybka infrastruktura ładowania
- Falowniki słoneczne i magazynowanie energii
- Trakcja
- Zasilacze do centrów danych
- Nagrzewanie i spawanie indukcyjne
- Przetwornice wysokiego napięcia DC-DC
- Wolne koła / Dioda przeciwrównoległa
- Oświetlenie LED i HID
- Systemy obrazowania medycznego
- Przekształtniki mocy do wiercenia w dolnym otworze
- Wykrywanie wysokiego napięcia
- Moc impulsowa
Wizyta www.genesicsemi.com/applications uczyć się więcej!
Do zastosowań związanych z wykrywaniem wysokiego napięcia, takich jak zabezpieczenie DE-SAT i obwody rozruchowe napędu bramkowego po stronie wysokiego napięcia, pakiety DO-214 i TO-252-2 to idealne rozwiązania.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GB01SLT06-214 650 1 DO-214
GB01SLT12-214 1200 1 DO-214
GB01SLT12-252 1200 1 TO-252-2
GB02SLT12-214 1200 2 DO-214
GB02SLT12-252 1200 2 TO-252-2
GAP3SLT33-214 3300 0.3 DO-214
Pakiet TO-247-3 zapewnia dużą elastyczność w zakresie wyższej gęstości mocy i redukcji BOM w zastosowaniach, takich jak korekcja współczynnika mocy (PFC) wewnętrzne, które mają wspólną katodę między dwiema diodami.
Part Number Voltage, VRRM
(V) Forward Current, IF
(A) Package
GC2X5MPS12-247 1200 5 / 10 TO-247-3
GC2X8MPS12-247 1200 8 / 16 TO-247-3
GC2X10MPS12-247 1200 10 / 20 TO-247-3
GC2X15MPS12-247 1200 15 / 30 TO-247-3
GC2X20MPS12-247 1200 20 / 40 TO-247-3
noty aplikacyjne:
AN-1 1200 Diody V Schottky'ego z niezmiennymi temperaturami wysokościami barier i współczynnikami idealności
Październik 2010 AN-1 1200 Diody V Schottky'ego z niezmiennymi temperaturami wysokościami barier i współczynnikami idealności
AN-2 1200 Diody V SiC JBS z ultra niskim pojemnościowym ładowaniem zwrotnym do szybkiego przełączania aplikacji
Październik 2010 AN-2 1200 Diody V SiC JBS z ultra niskim pojemnościowym ładowaniem zwrotnym do szybkiego przełączania aplikacji
Niezawodność diody mocy AN1001 SiC
wrzesień, 2018Niezawodność diody mocy AN1001 SiC
AN1002 Zrozumienie danych technicznych diody Schottky'ego SiC Power
wrzesień, 2018AN1002 Zrozumienie danych technicznych diody Schottky'ego SiC Power
Instrukcja użytkowania modelu AN1003 SPICE
grudzień, 2018Instrukcja użytkowania modelu AN1003 SPICE
Artykuły techniczne:
Prostowniki SiC PiN dużej mocy
Dec, 2005 Prostowniki SiC PiN dużej mocy
Prostowniki SiC PiN dużej mocy
Czerwiec, 2007 Prostowniki SiC PiN dużej mocy
Szybkie wykrywanie neutronów za pomocą półizolacyjnych detektorów z węglika krzemu
Czerwiec, 2008 Szybkie wykrywanie neutronów za pomocą półizolacyjnych detektorów z węglika krzemu
Rozwój detektorów promieniowania opartych na półizolacyjnym węgliku krzemu
Październik, 2008 Rozwój detektorów promieniowania opartych na półizolacyjnym węgliku krzemu
Korelacja między czasem życia rekombinacji nośnej a spadkiem napięcia przewodzenia w diodach 4H-SiC PiN
wrzesień, 2010 Korelacja między czasem życia rekombinacji nośnej a spadkiem napięcia przewodzenia w diodach 4H-SiC PiN
