Pobierz przewodnik wyboru produktów
Tranzystory MOSFET G3R ™ SiC firmy GeneSiC charakteryzują się wiodącą w branży wydajnością w przełączaniu wysokiego napięcia do okablowania o niespotykanym dotąd poziomie wydajności, praca w wysokich temperaturach i niezawodność systemu.
funkcje:
- Technologia G3R ™ dla +15 V Gate Drive
- Superior Qsol x RDS(NA) Figura zasługi
- Niskie ładowanie bramki i pojemność urządzenia
- Niskie straty przewodzenia w wysokiej temperaturze
- Doskonała odporność na lawiny i zwarcia
- Stabilna praca przy normalnym wyłączeniu do 175 ° C
- Szybka i niezawodna dioda ciała
- Zoptymalizowane opakowanie dzięki połączeniu źródła Kelvina
Korzyści:
- Doskonały wskaźnik opłacalności
- Zwiększona gęstość mocy dla systemu kompaktowego
- Niski wewnętrzny R.sol do pracy z wysoką częstotliwością przełączania
- Mniejsze straty dla wyższej wydajności systemu
- Zminimalizowane dzwonienie bramki
- Ulepszone możliwości termiczne
- Prosty w prowadzeniu
- Łatwość pracy równoległej bez ucieczki termicznej
Aplikacje:
- Pojazdy elektryczne - układ napędowy i ładowanie
- Falowniki słoneczne i magazynowanie energii
- Inteligentna sieć i HVDC
- Napędy silnikowe
- Wysokonapięciowe przetwornice DC-DC i AC-DC
- Nagrzewanie i spawanie indukcyjne
- Zasilacze impulsowe
- Aplikacje z zasilaniem impulsowym
750V SiC MOSFET
| O oporze, rDS(NA) | Bare Chip | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |
|
| 10 mΩ | G3R10MT07-CAL | |||
| 12 mΩ | G4R12MT07-CAU | |||
| 60 mΩ | G3R60MT07J | G3R60MT07D | G3R60MT07K |
1200V SiC MOSFET
| O oporze, rDS(NA) | Bare Chip | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
 |  |  |  |  |
|
| 10 mΩ | G4R10MT12-CAU | ||||
| 12 mΩ | G3R12MT12-CAL | G3R12MT12K | |||
| 20 mΩ | G3R20MT12-CAL | G3R20MT12K | G3R20MT12N | ||
| 30 mΩ | G3R30MT12-CAL | G3R30MT12J | G3R30MT12K | ||
| 40 mΩ | G3R40MT12J | G3R40MT12D | G3R40MT12K | ||
| 75 mΩ | G3R75MT12J | G3R75MT12D | G3R75MT12K | ||
| 160 mΩ | G3R160MT12J | G3R160MT12D | |||
| 350 mΩ | G3R350MT12J | G3R350MT12D |
1700V SiC MOSFET
| O oporze, rDS(NA) | Bare Chip | TO-263-7 | TO-247-3 | TO-247-4 | SOT-227 |
|---|---|---|---|---|---|
| | | | |
|
| 20 mΩ | G3R20MT17-CAL | G3R20MT17K | G3R20MT17N | ||
| 45 mΩ | G3R45MT17-CAL | G3R45MT17D | G3R45MT17K | ||
| 160 mΩ | G3R160MT17J | G3R160MT17D | |||
| 450 mΩ | G3R450MT17J | G3R450MT17D | |||
| 1000 mΩ | G2R1000MT17J | G2R1000MT17D |
3300V SiC MOSFET
| O oporze, rDS(NA) | Bare Chip | TO-263-7 | TO-247-4 |
|---|---|---|---|
| | |
|
| 50 mΩ | G2R50MT33-CAL | G2R50MT33K | |
| 120 mΩ | G2R120MT33J | ||
| 1000 mΩ | G2R1000MT33J |
6500V SiC MOSFET
| O oporze, rDS(NA) | Bare Chip |
|---|---|
|
|
| 300 mΩ | G2R300MT65-CAL |
| 325 mΩ | G2R325MS65-CAL |
