ĆWICZENIA, VA, listopad 12, 2008 – Departament Energii USA przyznał firmie GeneSiC Semiconductor dwa oddzielne granty o łącznej wartości 1,5 mln USD na opracowanie wysokonapięciowego węglika krzemu (SiC) urządzenia, które będą służyć jako kluczowe czynniki umożliwiające wiatr- oraz integracja energii słonecznej z krajową siecią elektroenergetyczną.
„Te nagrody pokazują, że DOE wierzy w możliwości GeneSiC, a także zaangażowanie w alternatywne rozwiązania energetyczne,”Zauważa dr. Ranbir Singh, prezes GeneSiC. "Zintegrowany, wydajna sieć energetyczna ma kluczowe znaczenie dla przyszłości energetycznej kraju - a opracowywane przez nas urządzenia SiC mają kluczowe znaczenie dla przezwyciężenia nieefektywności konwencjonalnych technologii krzemowych ”.
Pierwsza nagroda to grant SBIR w wysokości 750 tys. Dolarów na rozwój technologii fast, ultra-wysokonapięciowe urządzenia bipolarne SiC. Drugi to grant w wysokości 750 000 USD dla STTR fazy II na opracowanie bramkowanych optycznie przełączników SiC dużej mocy.
Węglik krzemu to materiał półprzewodnikowy nowej generacji, który jest w stanie wytrzymać 10-krotnie większe napięcie i 100-krotnie większy prąd niż krzem, dzięki czemu idealnie nadaje się do zastosowań wymagających dużej mocy, takich jak energia odnawialna (wiatr i słońce) instalacje i systemy sterowania sieciami elektrycznymi.
konkretnie, te dwie nagrody są dla:
- Rozwój wysokich częstotliwości, wielokilowoltowe wyłączanie bramki SiC (GTO) urządzenia zasilające. Aplikacje rządowe i komercyjne obejmują systemy zarządzania energią i kondycjonowania statków, przemysł użyteczności publicznej, i obrazowanie medyczne.
- Projektowanie i produkcja bramkowanych optycznie wysokich napięć, przełączniki SiC dużej mocy. Stosowanie światłowodów do przełączania zasilania jest idealnym rozwiązaniem w środowiskach, w których występują zakłócenia elektromagnetyczne (EMI), oraz aplikacje wymagające bardzo wysokich napięć.
Urządzenia SiC opracowywane przez GeneSiC służą do różnych sposobów magazynowania energii, sieć energetyczna, i zastosowań wojskowych, które są przedmiotem coraz większej uwagi, ponieważ świat koncentruje się na bardziej wydajnych i opłacalnych rozwiązaniach w zakresie zarządzania energią.
Siedziba poza Waszyngtonem, DC w Dulles, Wirginia, GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i bardzo wysokim napięciu (SiC) urządzenia. Aktualne projekty rozwojowe obejmują prostowniki wysokotemperaturowe, tranzystory polowe (FET) i urządzenia bipolarne, jak również cząstka & detektory fotoniczne. GeneSiC posiada umowy główne / podwykonawcze od głównych agencji rządowych USA, w tym Departament Energii, Marynarka wojenna, DARPA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego. Firma przeżywa obecnie znaczny wzrost, oraz zatrudnienie wykwalifikowanego personelu w zakresie projektowania urządzeń zasilających i detektorów,, produkcja, i testowanie. By dowiedzieć się więcej, Proszę odwiedź www.genesicsemi.com.
