Hybrydowe moduły prostownika SiC Schottky'ego / Si IGBT firmy GeneSiC umożliwiają pracę w temperaturze 175 ° C
1200 Tranzystory V SiC „Super” Junction pracujące przy 250 °C przy wyjątkowo niskich stratach energii do zastosowań związanych z konwersją energii
Stabilność charakterystyk elektrycznych tranzystorów SiC „Super” Junction w długotrwałej pracy DC i impulsowej w różnych temperaturach