Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers
Tranzystory złączowe z węglika krzemu i prostowniki Schottky'ego zoptymalizowane do pracy w temperaturze 250 ° C
Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers
Tranzystory złączowe z węglika krzemu i prostowniki Schottky'ego zoptymalizowane do pracy w temperaturze 250 ° C
GeneSiC zdobywa prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 dla monolitycznego tranzystora-prostownika na bazie SiC
Wysokotemperaturowe tranzystory i prostowniki SiC ogólnego przeznaczenia oferowane po niskich kosztach