Multi-kHz, Tyrystory z ultrawysokiego napięcia z węglika krzemu pobrane dla naukowców z USA
ĆWICZENIA, VA, listopad 1, 2010 –To pierwsza w swoim rodzaju oferta, GeneSiC Semiconductor ogłasza dostępność rodziny tyrystorów z węglika krzemu 6,5 kV SCR do stosowania w energetyce…
GeneSiC wygrywa 2,53 mln USD od ARPA-E na rozwój urządzeń opartych na tyrystorach z węglika krzemu
ĆWICZENIA, VA, wrzesień 28, 2010 - Agencja Zaawansowanych Projektów Badawczych - Energia (ARPA-E) zawarła umowę o współpracy z zespołem kierowanym przez GeneSiC Semiconductor w celu opracowania powieści…
Siatki oporowe na energię odnawialną GeneSiC Semiconductor $ 1,5 mln z Departamentu Energii Stanów Zjednoczonych
ĆWICZENIA, VA, listopad 12, 2008 – Departament Energii USA przyznał firmie GeneSiC Semiconductor dwa oddzielne granty o łącznej wartości 1,5 mln USD na opracowanie wysokonapięciowego węglika krzemu (SiC) urządzenia, które…
GeneSiC Semiconductor nagrodzony wielokrotnymi grantami Departamentu Energii USA SBIR i STTR
ĆWICZENIA, VA, Październik 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., szybko rozwijający się innowator wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i bardzo wysokim napięciu (SiC) urządzenia, ogłosił, że został nagrodzony trzema odrębnymi…