Wiodące w branży tranzystory MOSFET 6,5 kV SiC firmy GeneSiC – awangarda nowej fali zastosowań
ĆWICZENIA, VA, Październik 20, 2020 — GeneSiC wypuszcza na rynek tranzystory MOSFET z węglika krzemu 6,5 kV, które są liderem w zapewnianiu niespotykanych dotąd poziomów wydajności, sprawność i niezawodność w zastosowaniach związanych z konwersją mocy średniego napięcia…
GeneSiC zdobywa prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 dla monolitycznego tranzystora-prostownika na bazie SiC
ĆWICZENIA, VA, grudzień 5, 2019 — r&Magazyn D wybrał firmę GeneSiC Semiconductor Inc.. z Dulles, VA jako odbiorca prestiżowego 2019 r&re 100 Nagroda za opracowanie materiałów na bazie SiC…
Wysoki prąd 650V, 1200Diody V i 1700V SiC Schottky MPS ™ w pakiecie mini-moduł SOT-227
ĆWICZENIA, VA, Może 11, 2019 — GeneSiC staje się liderem na rynku urządzeń wysokoprądowych (100 A i 200 ZA) Diody Schottky'ego SiC w mini module SOT-227 GeneSiC wprowadził GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227…
GeneSiC wypuszcza na rynek najlepiej działający w branży MPS 1700V SiC Schottky™ diody
ĆWICZENIA, VA, styczeń 7, 2019 — GeneSiC wypuszcza kompleksową ofertę diod 1700V SiC Schottky MPS ™ trzeciej generacji w pakiecie TO-247-2 GeneSiC wprowadził GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 i…
Hybrydowe moduły prostownika SiC Schottky'ego / Si IGBT firmy GeneSiC umożliwiają pracę w temperaturze 175 ° C
ĆWICZENIA, VA, Marsz 5, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodników mocy ogłasza dziś natychmiastową dostępność jej…