Wysoka temperatura (210 C) Tranzystory złączowe SiC oferowane w hermetycznych opakowaniach

Obietnica wysokiej temperatury w tranzystorach SiC realizowana za pomocą zgodnych standardowych pakietów branżowych krytycznie poprawi działanie siłowników i zasilaczy wiertniczych i lotniczych

Tępy, Wirginia., Dec 10, 2013 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) Power Semiconductors ogłasza dziś natychmiastową dostępność poprzez swoich dystrybutorów i bezpośrednio rodzinę w opakowaniach wysokotemperaturowych 600 Tranzystory złączowe V SiC (SJT) w 3-50 Prąd znamionowy w amperach w standardach branżowych JEDEC w obudowach do montażu powierzchniowego i przelotowego. Zawierające te wysokie temperatury, niski opór, Tranzystory SiC wysokiej częstotliwości w hermetycznych obudowach, lutowie wysokotemperaturowe i hermetyzacja zwiększą wydajność konwersji i zmniejszą rozmiar / wagę / objętość aplikacji do konwersji mocy w wysokiej temperaturze.

Współczesny zasilacz wysokotemperaturowy, obwody sterowania silnikiem i siłowników stosowane w zastosowaniach związanych z ropą / gazem / w odwiertach oraz w przemyśle lotniczym cierpią z powodu braku dostępności realnego wysokotemperaturowego roztworu węglika krzemu. Tranzystory krzemowe mają niską sprawność obwodu i duże rozmiary, ponieważ mają wysokie prądy upływowe i niską, słabą charakterystykę przełączania. Oba te parametry pogarszają się przy wyższych temperaturach złącza. W środowiskach ograniczonych termicznie, temperatura złącza rośnie dość łatwo, nawet przy przepływie umiarkowanych prądów. Hermetycznie opakowane tranzystory SiC oferują unikalne właściwości, które mogą zrewolucjonizować możliwości zastosowań wiertniczych i lotniczych. GeneSiC 650 Tranzystory złączowe SiC V / 3-50 A mają prawie zerowe czasy przełączania, które nie zmieniają się wraz z temperaturą. Plik 210^OUrządzenia przystosowane do temperatury złącza C oferują stosunkowo duże marginesy temperaturowe do zastosowań, które działają w ekstremalnych warunkach.

Tranzystory złączowe oferowane przez GeneSiC charakteryzują się ultraszybkimi możliwościami przełączania, kwadratowy obszar bezpiecznej pracy z odwrotną polaryzacją (RBSOA), jak również niezależne od temperatury przejściowe straty energii i czasy przełączania. Te przełączniki są wolne od bramek tlenkowych ., normalnie wyłączony, wykazują dodatni współczynnik temperaturowy oporności, i mogą być napędzane przez komercyjne, powszechnie dostępne 15 Sterowniki bramek V IGBT, w przeciwieństwie do innych przełączników SiC. Oferując jednocześnie kompatybilność ze sterownikami SiC JFET, Tranzystory złączowe SiC można łatwo łączyć równolegle ze względu na ich pasującą charakterystykę przejściową.

“Ponieważ projektanci aplikacji wiertniczych i kosmicznych nadal przesuwają granice częstotliwości roboczej, jednocześnie wymagając wysokich sprawności obwodów, potrzebują przełączników SiC, które oferują standard wydajności, niezawodność i jednorodność produkcji. Wykorzystanie unikalnego urządzenia i innowacji produkcyjnych, Produkty SJT firmy GeneSiC pomagają projektantom osiągnąć to wszystko w bardziej solidnym rozwiązaniu. Produkty te uzupełniają hermetycznie opakowany prostownik SiC wydany w zeszłym roku przez GeneSiC, oraz gołe matryce wypuszczone na początku tego roku, jednocześnie torując nam drogę do oferowania wysokiej temperatury, niska indukcyjność, moduły mocy w najbliższej przyszłości ” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.

Izolowany TO-257 z 600 W SJTs:

• 65 mOhm / 20 Amp (2N7639-GA); 170 mOhm / 8 Amp (2N7637-GA); i 425 mOhm / 4 Amp (2N7635-GA)
• T_jmax = 210^OC
• Włącz/Wyłącz; Czasy wzlotów/upadków <50 typowe nanosekundy.
• Odpowiednia gołe matryce GA20JT06-CAL (w 2N7639-GA); GA10JT06-CAL (w 2N7637-GA); i GA05JT06-CAL (w 2N7635-GA)

Nieizolowany pakiet prototypowy TO-258 z 600 SJTs

• 25 mOhm / 50 Amp (Pakiet prototypów GA50JT06-258)
• T_jmax = 210^OC
• Włącz/Wyłącz; Czasy wzlotów/upadków <50 typowe nanosekundy.
• Odpowiednia gołe matryce GA50JT06-CAL (w GA50JT06-258)

Montaż powierzchniowy TO-276 (SMD0,5) z 600 SJTs

• 65 mOhm / 20 Amp (2N7640-GA); 170 mOhm / 8 Amp (2N7638-GA); i 425 mOhm / 4 Amp (2N7636-GA)
• T_jmax = 210^OC
• Włącz/Wyłącz; Czasy wzlotów/upadków <50 typowe nanosekundy.

Wszystkie urządzenia są 100% przetestowane pod kątem pełnych wartości znamionowych napięcia / prądu i umieszczone w hermetycznych opakowaniach. Oferowane jest wsparcie techniczne i modele obwodów SPICE. Urządzenia są natychmiast dostępne bezpośrednio w GeneSiC i / lub u autoryzowanych dystrybutorów.

O GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultrawysokim napięciu (SiC) urządzenia, i globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników mocy. W portfolio urządzeń znajduje się prostownik na bazie SiC, tranzystor, i tyrystorowe produkty, a także produkty prostownika krzemowego. GeneSiC opracował rozległą własność intelektualną i wiedzę techniczną, która obejmuje najnowsze osiągnięcia w urządzeniach zasilających SiC, z produktami ukierunkowanymi na energię alternatywną, automobilowy, w dół ole wiercenie olei, kontrola silnika, zasilacz, transport, i bezprzerwowego zasilania aplikacji. GeneSiC pozyskał liczne kontrakty badawczo-rozwojowe od agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, DTRA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, a także głównych wykonawców rządowych. W 2011, firma zdobyła prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 za komercjalizację tyrystorów SiC ultrawysokiego napięcia.

Po więcej informacji, Proszę odwiedź https://192.168.88.14/index.php/hit-sic/sjt