Wydania GeneSiC 25 Tranzystory z węglika krzemu mOhm / 1700 V.

Przełączniki SiC oferujące najniższe straty przewodzenia i doskonałą zdolność zwarciową uwalnianą dla obwodów mocy wysokiej częstotliwości

Tępy, Wirginia., Październik 28, 2014 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodników mocy ogłasza dziś natychmiastową dostępność rodziny niskopornościowych 1700V i 1200 Tranzystory złączowe V SiC w obudowie TO-247. Zastosowanie wysokiego napięcia, Wysoka częstotliwość, Tranzystory złączowe SiC zdolne do wysokich temperatur i niskiej rezystancji zwiększą wydajność konwersji i zmniejszą rozmiar / wagę / objętość aplikacji energoelektronicznych wymagających wyższych napięć magistrali. Urządzenia te są przeznaczone do użytku w wielu różnych zastosowaniach, w tym w mikrosieciach prądu stałego, Szybkie ładowarki samochodowe, serwer, zasilacze telekomunikacyjne i sieciowe, zasilacze bezprzerwowe, falowniki słoneczne, Systemy elektrowni wiatrowych, i przemysłowe systemy sterowania silnikami.

Tranzystory złączowe SiC (SJT) oferowane przez GeneSiC charakteryzują się ultraszybkimi możliwościami przełączania (podobny do MOSFETów SiC), kwadratowy obszar bezpiecznej pracy z odwrotną polaryzacją (RBSOA), jak również niezależne od temperatury przejściowe straty energii i czasy przełączania. Te przełączniki są wolne od bramek tlenkowych ., normalnie wyłączony, wykazują dodatni współczynnik temperaturowy oporności, i mogą być napędzane przez komercyjne sterowniki bramek, w przeciwieństwie do innych przełączników SiC. Unikalnymi zaletami SJT w porównaniu z innymi przełącznikami SiC jest jego wyższa długoterminowa niezawodność, >10 możliwość zwarcia usec, i doskonałe zdolności lawinowe

“Te ulepszone SJT oferują znacznie wyższe zyski prądu (>100), bardzo stabilna i solidna wydajność w porównaniu z innymi przełącznikami SiC. SJT firmy GeneSiC oferują wyjątkowo niskie straty przewodzenia przy prądach znamionowych jako doskonałe straty podczas wyłączania w obwodach mocy. Wykorzystanie unikalnego urządzenia i innowacji produkcyjnych, Produkty tranzystorowe firmy GeneSiC pomagają projektantom uzyskać bardziej niezawodne rozwiązanie,” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.

1700 Wypuszczenie tranzystora złącza V SiC

• 25 mOhm (GA50JT17-247), 65 mOhm (GA16JT17-247), 220 mOhm (GA04JT17-247)
• Bieżący zysk (godz_FE) >90
• T_jmax = 175^OC
• Włącz/Wyłącz; Czasy wzlotów/upadków <30 typowe nanosekundy.

1200 Wypuszczenie tranzystora złącza V SiC

• 25 mOhm (GA50JT12-247), 120 mOhm (GA10JT12-247), 210 mOhm (GA05JT12-247)
• Bieżący zysk (godz_FE) >90
• T_jmax = 175^OC
• Włącz/Wyłącz; Czasy wzlotów/upadków <30 typowe nanosekundy.

Wszystkie urządzenia są 100% przetestowany pod kątem pełnego napięcia / prądu znamionowego i umieszczony w wersji bezhalogenowej, Pakiety TO-247 zgodne z RoHS. Urządzenia są natychmiast dostępne u autoryzowanych dystrybutorów GeneSiC.

Po więcej informacji, odwiedź https://192.168.88.14/komercyjne-sic / sic-junction-tranzystory /