Wysokotemperaturowe tranzystory i prostowniki SiC ogólnego przeznaczenia oferowane po niskich kosztach

Wysoka temperatura (>210^OC) Tranzystory połączeniowe i prostowniki w małych obudowach z puszek metalowych oferują rewolucyjne korzyści w zakresie wydajności w różnych zastosowaniach, w tym wzmacnianiu, niskoszumowe obwody i elementy sterujące siłownikiem w odwiercie

ĆWICZENIA, VA, Marsz 9, 2015 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodników mocy ogłasza dziś natychmiastową dostępność linii kompaktowych, wysokotemperaturowe tranzystory złączowe SiC oraz linia prostowników w obudowach metalowych TO-46. Te oddzielne komponenty są zaprojektowane i wyprodukowane do pracy w temperaturach otoczenia wyższych niż 215^OC. Zastosowanie wysokiej temperatury, tranzystory i prostowniki SiC zdolne do wysokiego napięcia i niskiej rezystancji zmniejszają rozmiar / wagę / objętość aplikacji elektronicznych wymagających obsługi większej mocy w podwyższonych temperaturach. Urządzenia te są przeznaczone do użytku w wielu różnych zastosowaniach, w tym w wielu różnych obwodach wiertniczych, oprzyrządowanie geotermalne, uruchomienie elektromagnesu, wzmocnienie ogólnego przeznaczenia, i zasilacze impulsowe.

Wysokotemperaturowe tranzystory złączowe SiC (SJT) oferowane przez GeneSiC wykazują czasy narastania / opadania poniżej 10 nsek, co umożliwia >10 Przełączanie MHz, a także kwadratowy obszar bezpiecznego działania z polaryzacją wsteczną (RBSOA). Przejściowe straty energii i czasy przełączania są niezależne od temperatury złącza. Te przełączniki są wolne od bramek tlenkowych ., normalnie wyłączony, wykazują dodatni współczynnik temperaturowy oporności, i którymi można się kierować 0/+5 Sterowniki bramek V TTL, w przeciwieństwie do innych przełączników SiC. Unikalnymi zaletami SJT w porównaniu z innymi przełącznikami SiC jest jego wyższa długoterminowa niezawodność, >20 możliwość zwarcia usec, i doskonałe zdolności lawinowe. Urządzenia te mogą być używane jako wydajne wzmacniacze, ponieważ obiecują znacznie wyższą liniowość niż jakikolwiek inny przełącznik SiC.

Wysokotemperaturowe prostowniki Schottky'ego SiC oferowane przez GeneSiC wykazują niskie spadki napięcia w stanie włączenia, i najniższe w branży prądy upływowe w podwyższonych temperaturach. Niezależne od temperatury, prawie zerowa charakterystyka przełączania z odzyskiem zwrotnym, Prostowniki SiC Schottky są idealnymi kandydatami do zastosowań o wysokiej sprawności, obwody wysokotemperaturowe. Opakowania puszek metalowych TO-46, a także powiązane procesy pakowania stosowane do tworzenia tych produktów, umożliwiają długotrwałe użytkowanie tam, gdzie wysoka niezawodność ma kluczowe znaczenie.

“Produkty tranzystorowe i prostownikowe firmy GeneSiC są projektowane i produkowane od podstaw, aby umożliwić pracę w wysokich temperaturach. Te kompaktowe SJT w obudowie TO-46 zapewniają wysokie zyski prądowe (>110), 0/+5 Kontrola V TTL, i solidna wydajność. Urządzenia te zapewniają niskie straty przewodzenia i wysoką liniowość. Projektujemy naszą linię prostowników „SHT”, oferować niskie prądy upływowe w wysokich temperaturach. Te produkty w metalowych opakowaniach uzupełniają nasze produkty TO-257 i metalowe SMD wprowadzone na rynek w zeszłym roku, oferując niewielkie rozmiary, rozwiązania odporne na wibracje” powiedział Dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor.

Wśród wydanych dzisiaj produktów są:

240 Tranzystory złączowe mOhm SiC:

• 300 Napięcie blokujące V.. Numer części GA05JT03-46
• 100 Napięcie blokujące V.. Numer części GA05JT01-46
• Bieżący zysk (godz_FE) >110
• T_jmax = 210^OC
• Włącz/Wyłącz; Czasy wzlotów/upadków <10 typowe nanosekundy.

Aż do 4 Amperowe wysokotemperaturowe diody Schottky'ego:

• 600 Napięcie blokujące V.. Numer części GB02SHT06-46
• 300 Napięcie blokujące V.. Numer części GB02SHT03-46
• 100 Napięcie blokujące V.. Numer części GB02SHT01-46
• Całkowity ładunek pojemnościowy 9 nC
• T_jmax = 210^OC.

Wszystkie urządzenia są 100% przetestowane pod kątem pełnych wartości napięcia / prądu i umieszczone w metalowych puszkach TO-46. Urządzenia są natychmiast dostępne u autoryzowanych dystrybutorów GeneSiC.

O GeneSiC Semiconductor Inc.

GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i ultrawysokim napięciu (SiC) urządzenia, i globalny dostawca szerokiej gamy półprzewodników mocy. W portfolio urządzeń znajduje się prostownik na bazie SiC, tranzystor, i tyrystorowe produkty, a także moduły diod krzemowych. GeneSiC opracował rozległą własność intelektualną i wiedzę techniczną, która obejmuje najnowsze osiągnięcia w urządzeniach zasilających SiC, z produktami ukierunkowanymi na energię alternatywną, automobilowy, odwierty wiertnicze, kontrola silnika, zasilacz, transport, i bezprzerwowego zasilania aplikacji. W 2011, firma zdobyła prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 za komercjalizację tyrystorów SiC ultrawysokiego napięcia.

Po więcej informacji, Proszę odwiedź https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-schottky-rectifiers/; i https://192.168.88.14/high-temperature-sic/high-temperature-sic-junction-transistors/.