Płytka sterownika bramki zoptymalizowana pod kątem wysokich prędkości przełączania i modeli opartych na zachowaniu umożliwia inżynierom zajmującym się projektowaniem układów energoelektronicznych weryfikację i ilościowe określenie korzyści z SJT w ocenie na poziomie płytki i symulacji obwodów
ĆWICZENIA, V.A., Listopad 19, 2014 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodników mocy ogłasza dziś natychmiastową dostępność płytki ewaluacyjnej sterownika bramki i rozszerzyła wsparcie projektowe dla przełączników o najniższych stratach w branży - tranzystora złączowego SiC (SJT) - z w pełni kwalifikowanym modelem LTSPICE IV. Korzystanie z nowej płyty sterownika bramki, Projektanci obwodów konwersji mocy mogą zweryfikować korzyści płynące z poniżej 15 nanosekund, niezależna od temperatury charakterystyka przełączania tranzystorów złączowych SiC, z niskimi stratami mocy sterownika. Zawiera nowe modele SPICE, Projektanci obwodów mogą łatwo ocenić korzyści, jakie zapewniają układy SJT firmy GeneSiC w celu osiągnięcia wyższego poziomu sprawności niż jest to możliwe w przypadku konwencjonalnych krzemowych przełączników mocy dla urządzeń o porównywalnych wartościach znamionowych.
Karta sterownika bramki GA03IDDJT30-FR4 odpowiednia dla SJT z GeneSiC
Tranzystory złączowe SiC mają znacząco inną charakterystykę niż inne technologie tranzystorów SiC, a także tranzystory krzemowe. Płytki sterownika bramki, które mogą zapewnić niskie straty mocy, jednocześnie oferując wysokie prędkości przełączania, były potrzebne do zapewnienia rozwiązań napędowych wykorzystujących zalety tranzystorów złączowych SiC. GeneSiC jest w pełni izolowany GA03IDDJT30-FR4 Płytka sterownika bramki pobiera sygnał 0 / 12V i TTL, aby optymalnie dopasować przebiegi napięcia / prądu wymagane do zapewnienia małych czasów narastania / opadania, przy jednoczesnym zminimalizowaniu ciągłego zapotrzebowania na prąd do utrzymania normalnie wyłączonego przewodu SJT podczas stanu włączenia. Konfiguracja pinów i współczynniki kształtu są podobne do innych tranzystorów SiC. GeneSiC udostępnił również pliki Gerber i BOM dla użytkowników końcowych, aby umożliwić im uwzględnienie korzyści wynikających z wprowadzonych innowacji projektowych sterowników.
SJT oferują dobrze zachowujące się właściwości stanu włączenia i przełączania, ułatwiając tworzenie modeli SPICE opartych na zachowaniu, które są również bardzo zgodne z podstawowymi modelami opartymi na fizyce. Korzystanie z ugruntowanych i zrozumiałych modeli opartych na fizyce, Parametry SPICE zostały wydane po szeroko zakrojonych testach z zachowaniem urządzenia. Modele SPICE firmy GeneSiC są porównywane z danymi mierzonymi eksperymentalnie we wszystkich arkuszach danych urządzeń i mają zastosowanie do wszystkich 1200 V i 1700 Udostępniono tranzystory złączowe V SiC.
SJT firmy GeneSiC są w stanie dostarczać częstotliwości przełączania, które są większe niż 15 razy wyższy niż rozwiązania oparte na IGBT. Ich wyższe częstotliwości przełączania mogą umożliwić stosowanie mniejszych elementów magnetycznych i pojemnościowych, zmniejszając w ten sposób całkowity rozmiar, waga i koszt układów energoelektronicznych.
Ten model SPICE tranzystora złączowego SiC stanowi uzupełnienie wszechstronnego zestawu narzędzi wspomagających projektowanie firmy GeneSiC, dokumentacja techniczna, i informacje o niezawodności, aby zapewnić inżynierom energoelektroniki zasoby projektowe niezbędne do wdrożenia kompleksowej rodziny tranzystorów i prostowników złączowych SiC firmy GeneSiC w następnej generacji systemów zasilania.
Arkusze danych karty sterownika bramki GeneSiC oraz modele SJT SPICE można pobrać z witryny https://192.168.88.14/commercial-sic/sic-junction-transistors/
