Wysłany dnia 2019-06-102020-05-111200 Klasa V 4H-SiC “Super” Tranzystory złączowe z bieżącymi zyskami 88 i ultraszybkie przełączanie wrzesień, 2011 1200 Klasa V 4H-SiC “Super” Tranzystory złączowe z bieżącymi zyskami 88 i ultraszybkie przełączanie
Wysłany dnia 2019-06-102020-05-11200 Tranzystory V SiC „Super” Junction pracujące przy 250 °C przy wyjątkowo niskich stratach energii do zastosowań związanych z konwersją energii Listopad, 2011 1200 Tranzystory V SiC „Super” Junction pracujące przy 250 °C przy wyjątkowo niskich stratach energii do zastosowań związanych z konwersją energii
Wysłany dnia 2019-06-102020-05-11Wykorzystywanie obietnicy wysokiej temperatury SiC luty, 2012 Wykorzystywanie obietnicy wysokiej temperatury SiC
Wysłany dnia 2019-06-102020-05-11Węglik krzemu “Super” Tranzystory złączowe działające w temperaturze 500°C kwiecień, 2012 Węglik krzemu “Super” Tranzystory złączowe działające w temperaturze 500°C
Wysłany dnia 2019-06-102020-05-11Stabilność charakterystyk elektrycznych tranzystorów SiC „Super” Junction w długotrwałej pracy DC i impulsowej w różnych temperaturach Może, 2012 Stabilność charakterystyk elektrycznych tranzystorów SiC „Super” Junction w długotrwałej pracy DC i impulsowej w różnych temperaturach
Wysłany dnia 2019-06-102020-05-11Tranzystory złączowe SiC „Super” z ultraszybkimi tranzystorami (< 15 ns) Możliwość przełączania Może, 2012 Tranzystory złączowe SiC „Super” z ultraszybkimi tranzystorami (< 15 ns) Możliwość przełączania
Wysłany dnia 2019-06-102020-05-11Charakterystyka stabilności wzmocnienia prądowego i pracy w trybie lawinowym 4H-SiC BJT Październik, 2012 Charakterystyka stabilności wzmocnienia prądowego i pracy w trybie lawinowym 4H-SiC BJT
Wysłany dnia 2019-06-102020-05-1110 Wyłączniki BJT SiC kV - statyczne, charakterystyka przełączania i niezawodności Może, 2013 10 Wyłączniki BJT SiC kV - statyczne, charakterystyka przełączania i niezawodności
Wysłany dnia 2019-06-102020-05-11Szybko dojrzewające tranzystory złączowe SiC z obecnym wzmocnieniem (b) > 130, Napięcia blokujące do 2700 V i stabilna praca długoterminowa Październik, 2013 Szybko dojrzewające tranzystory złączowe SiC z obecnym wzmocnieniem (b) > 130, Napięcia blokujące do 2700 V i stabilna praca długoterminowa
Wysłany dnia 2019-06-102020-05-11Tranzystory złączowe z węglika krzemu i prostowniki Schottky'ego zoptymalizowane do pracy w temperaturze 250 ° C kwiecień, 2014 Tranzystory złączowe z węglika krzemu i prostowniki Schottky'ego zoptymalizowane do pracy w temperaturze 250 ° C