Wysłany dnia 2019-06-102020-05-11Prostowniki SiC PiN dużej mocy Dec, 2005 Prostowniki SiC PiN dużej mocy
Wysłany dnia 2019-06-102020-05-11Prostowniki SiC PiN dużej mocy Czerwiec, 2007 Prostowniki SiC PiN dużej mocy
Wysłany dnia 2019-06-102020-05-11Szybkie wykrywanie neutronów za pomocą półizolacyjnych detektorów z węglika krzemu Czerwiec, 2008 Szybkie wykrywanie neutronów za pomocą półizolacyjnych detektorów z węglika krzemu
Wysłany dnia 2019-06-102020-05-11Rozwój detektorów promieniowania opartych na półizolacyjnym węgliku krzemu Październik, 2008 Rozwój detektorów promieniowania opartych na półizolacyjnym węgliku krzemu
Wysłany dnia 2019-06-102020-05-11Korelacja między czasem życia rekombinacji nośnej a spadkiem napięcia przewodzenia w diodach 4H-SiC PiN wrzesień, 2010 Korelacja między czasem życia rekombinacji nośnej a spadkiem napięcia przewodzenia w diodach 4H-SiC PiN
Wysłany dnia 2019-06-102020-05-11Zestawy hybrydowe Si-IGBT/SiC Rectifier i prostowniki SiC JBS wrzesień, 2011 Zestawy hybrydowe Si-IGBT/SiC Rectifier i prostowniki SiC JBS
Wysłany dnia 2019-06-102020-05-1112.9 Diody kV SiC PiN z niskimi spadkami w stanie załączenia i wysoką żywotnością nośników wrzesień, 2011 12.9 Diody kV SiC PiN z niskimi spadkami w stanie załączenia i wysoką żywotnością nośników
Wysłany dnia 2019-06-102020-05-111200 V Prostowniki Schottky'ego SiC zoptymalizowane pod kątem ≥ 250 °C praca z najniższą w swojej klasie pojemnością złącza lipiec, 2012 1200 V Prostowniki Schottky'ego SiC zoptymalizowane pod kątem ≥ 250 °C praca z najniższą w swojej klasie pojemnością złącza
Wysłany dnia 2019-06-102020-05-1115 Diody kV SiC PiN osiągają 95% granicy lawinowej i stabilnej długotrwałej pracy Zniszczyć, 2013 15 Diody kV SiC PiN osiągają 95% granicy lawinowej i stabilnej długotrwałej pracy